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- [发明专利]一种智能卡载带的制作方法-CN202211443155.3在审
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陆小勇;肖金磊;陈凝;杜艳春
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紫光同芯微电子有限公司
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2022-11-17
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2023-03-03
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C23C28/02
- 本申请公开了一种智能卡载带的制作方法，可应用于智能卡载带制作技术领域。该方法包括：提供一侧附着有蚀刻成型的铜箔层的基层材料；对所述铜箔层进行沉积前预处理；在预处理后的所述铜箔层的接触面上进行物理气相沉积，生成接触面半光亮镍层；在所述铜箔层的压焊面上电镀半光亮镍层，生成压焊面半光亮镍层；对生成所述接触面半光亮镍层和所述压焊面半光亮镍层的所述基层材料进行预电镀金处理；对预电镀金处理后的所述基层材料进行镀软金处理，实现智能卡载带的制作。因此，本申请在接触面半光亮镍层的生成上使用物理气相沉积的方法，减少污染物的流入，使镍薄膜晶粒致密性更高，从而提高智能卡载带的抗盐雾腐蚀能力。
- 一种智能卡制作方法
- [发明专利]一种安全芯片主动防护层结构-CN201910167064.3在审
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陆小勇;肖金磊;陈凝;郭耀华;许秋林
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紫光同芯微电子有限公司
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2019-03-06
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2020-09-15
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H01L23/528
- 本发明提供了一种安全芯片主动防护层结构。所述安全芯片主动防护层结构包括焊线孔、第一钝化层介质、第二钝化层介质、金属铝层、第一黏附阻挡层、金属塞、第二黏附阻挡层、金属阻挡层、介质层和铜金属层，其中，金属塞由金属钨通过化学气相沉积CVD工艺形成。本发明提供的方案，摒弃了传统的用铝金属填洞作为和下层金属连接的金属，而是通过化学气相沉积CVD工艺形成金属钨作为金属塞，在金属阻挡层上沉积钛/氮化钛及金属钨，将接触孔的关键尺寸做到远低于0.1um以下,下层第二黏附阻挡层和金属阻挡层的黏附性很好，满足电迁移和应力迁移的可靠性要求，和金属铝层主动防护层宽度小于1um的设计要求，并能够起到安全保护作用。
- 一种安全芯片主动防护结构
- [发明专利]一种新型芯片存放盒-CN201910014643.4在审
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刘兵;许秋林;肖金磊;何晓玉;欧阳睿
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紫光同芯微电子有限公司
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2019-01-08
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2020-07-14
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H01L21/673
- 本发明提供了一种新型芯片存放盒，包括盒体和盒盖，所述盒体包括第一正方体基座和圆形凸状体，圆形凸状体位于第一正方体基座的正上方中间位置，第一正方体基座底部具有第一圆形凹状槽，第一圆形凹状槽与圆形凸状体相对设置；盒盖包括第二正方体基座，第二正方体基座一面具有第二圆形凹状槽，第二圆形凹状槽内壁具有两个位置对称的盒盖内扣槽。本发明的盒体与盒盖可相互拆卸锁扣，有利于芯片存放和保护。而且，若干盒体之间可拆卸连接，便于芯片存放盒的累积存放，节省了成本。该盒体中设计了位置对称的外倒扣和位置对称的盒体内扣槽，这与盒盖的盒盖内扣槽能够相互锁住和解锁，便于芯片存放盒的安装放置。
- 一种新型芯片存放
- [实用新型]安全芯片主动防护层结构-CN201920280598.2有效
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陆小勇;肖金磊;陈凝;郭耀华;许秋林
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紫光同芯微电子有限公司
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2019-03-06
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2020-06-26
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H01L23/528
- 本实用新型提供了安全芯片主动防护层结构。所述安全芯片主动防护层结构包括焊线孔、第一钝化层介质、第二钝化层介质、金属铝层、第一黏附阻挡层、金属塞、第二黏附阻挡层、金属阻挡层、介质层和铜金属层，其中，金属塞由金属钨通过化学气相沉积CVD工艺形成。本实用新型的方案，摒弃了传统的用铝金属填洞作为和下层金属连接的金属，而是通过化学气相沉积CVD工艺形成金属钨作为金属塞，在金属阻挡层上沉积钛/氮化钛及金属钨，将接触孔的关键尺寸做到远低于0.1um以下,下层第二黏附阻挡层和金属阻挡层的黏附性很好，满足电迁移和应力迁移的可靠性要求，和金属铝层主动防护层宽度小于1um的设计要求，并能够起到安全保护作用。
- 安全芯片主动防护结构
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