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[发明专利]提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管-CN202111435648.8在审
发明人：王晓亮;甄子新;冯春;王权;肖红领;姜丽娟;李巍;王茜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本公开提供一种提高抗辐照能力和耐氢特性的GaN基高电子迁移率晶体管及制备方法，高电子迁移率晶体管包括：依次叠设的衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、沟道层(4)、势垒层(5)及介质层(6)；所述势垒层(5)上设有夹着所述介质层(6)的源极(7)及漏极(8)，所述介质层(6)上设有栅极(9)；其中，所述介质层(6)包括叠设的第一介质层(61)与第二介质层(62)，所述第一介质层(61)的材料包括氮化物材料，所述第二介质层(62)的材料包括高k介质材料。
提高辐照能力特性 gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]两级Doherty功率放大器-CN202111382006.6在审
发明人：王晓亮;贾叶婷;李巍;冯春;姜丽娟;肖红领;徐健凯;王茜;贺腾 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本公开提供一种两级Doherty功率放大器，包括：驱动级电路(1)，用于对输入的射频信号进行放大；不等分功率分配器(2)，用于对放大后的射频信号进行不均等的功率分配，得到第一功率信号及第二功率信号；其中，第一功率信号的功率大于第二功率信号，不等分功率分配器由集总元件构成；载波功率放大支路(3)，用于对第一功率信号进行再次放大，其中，载波功率放大支路(3)基于集总元件构成的高通π型网络进行阻抗变换；峰值功率放大支路(4)，用于对第二功率信号进行再次放大，峰值功率放大支路(4)基于集总元件构成的高通π型网络进行相位补偿；其中，载波功率放大支路(3)及峰值功率放大支路(4)的晶体管的栅极偏置电压可调节。
两级 doherty 功率放大器

[发明专利]功率放大器-CN202211081340.2在审
发明人：李巍;王晓亮;王茜;徐健凯;贺腾;冯春;肖红领;姜丽娟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本公开提供一种功率放大器，包括：晶体管，包括第一电极和第二电极，用于对输入信号进行功率放大；输入匹配电路，分别与信号源和第一电极相连接，用于将晶体管的输入阻抗与信号源的输出阻抗相匹配；栅极偏置电路，分别与第一电源和第一电极相连接，用于控制晶体管的偏置电压；负反馈电路，分别与第一电极和第二电极相连接，用于反馈第二电极的输出信号到第一电极，以增大功率放大器的增益平坦度；输出匹配电路，分别与负载和第二电极相连接，用于将晶体管的输出阻抗与负载的阻抗相匹配等，其中，输入匹配电路包括第一传输线、第二传输线和第三传输线，第二传输线和第三传输线分别并联在第一传输线的两端构成双支节结构。
功率放大器

[实用新型]一种超宽带功率放大器-CN202221715744.8有效
发明人：李巍;王晓亮;王茜;冯春;贺腾;肖红领;姜丽娟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超宽带功率放大器，包括：晶体管M1，源极接地，栅极作为输入端，漏极作为输出端；输入匹配电路，接收射频输入信号，用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配；栅极偏置电路，用于对晶体管M1的栅极进行直流供电，控制晶体管的电学偏置状态；漏极偏置电路，用于控制晶体管的漏极偏置电压，并给功率放大器的电路提供直流功率；输出匹配电路，一端与晶体管M1的漏极相连，另一端连接外接负载，用于将功率放大器的输出阻抗与外接负载的阻抗相匹配；以及负反馈电路，一端与晶体管M1的漏极相连，另一端与晶体管M1的栅极相连，用于对晶体管的输出信号进行分压并反馈至晶体管M1的输入端侧，以改善功率放大器电路的增益平坦度。
一种宽带功率放大器

[发明专利]一种超宽带功率放大器-CN202210763107.6在审
发明人：李巍;王晓亮;王茜;冯春;贺腾;肖红领;姜丽娟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本公开提供一种超宽带功率放大器，包括：晶体管M1，源极接地，栅极作为输入端，漏极作为输出端；输入匹配电路，接收射频输入信号，用于将功率放大器的输入阻抗与射频源的输出阻抗匹配；栅极偏置电路，用于对晶体管M1的栅极进行直流供电，控制晶体管M1的电学偏置状态；漏极偏置电路，用于控制晶体管M1的漏极偏置电压，并给功率放大器的电路提供直流功率；输出匹配电路，一端与晶体管M1的漏极相连，另一端连接外接负载，用于将功率放大器的输出阻抗与外接负载的阻抗相匹配；以及负反馈电路，一端与晶体管M1的漏极相连，另一端与晶体管M1的栅极相连，用于对晶体管M1的输出信号进行分压并反馈至晶体管M1的输入端侧，以改善功率放大器电路的增益平坦度。
一种宽带功率放大器

[发明专利]功率放大电路及集成电路-CN202111608158.3在审
发明人：王晓亮;刘智超;李巍;冯春;肖红领;姜丽娟;王茜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率放大电路，包括：第一匹配电路、RC并联电路、非均匀晶体管电路和第二匹配电路；第一匹配电路的输入端与信号源输出端连接；RC并联电路的输入端与第一匹配电路的输出端连接，RC并联电路用于与第一匹配电路结合，减小非均匀晶体管电路的栅极电容以稳定地传送信号；非均匀晶体管电路的输入端与RC并联电路的输出端连接，非均匀晶体管电路用于将信号进行功率放大，输出放大信号；第二匹配电路的输入端与非均匀晶体管电路的输出端连接，第二匹配电路用于减少放大信号的损耗，并输出放大信号至终端负载。
功率放大电路集成电路

[发明专利]应用于MMIC中的紧凑型电容、电阻并联结构-CN202111344295.0在审
发明人：王晓亮;刘智超;李巍;冯春;肖红领;姜丽娟;王茜 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本公开提供了应用于MMIC中的紧凑型电容、电阻并联结构，包括：薄膜电阻、第一金属层、介质层、第二金属层和空气桥；薄膜电阻和第一金属层分别制作在衬底上，薄膜电阻第一端与第一金属层连接；介质层制作在第一金属层和薄膜电阻上；第二金属层制作在介质层上；空气桥第一端与薄膜电阻第二端连接，空气桥第二端与第二金属层连接。
应用于 mmic 中的紧凑型电容电阻并联结构

[发明专利]晶圆的室温等静压金属键合方法-CN202010204986.X有效
发明人：王晓亮;郭芬;肖红领;王权;姜丽娟;冯春;王茜;李巍;刘宏新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本公开提供一种晶圆的室温等静压金属键合方法，包括：步骤S1：清洗待键合晶圆，去除晶圆表面杂质；步骤S2：在清洗干净的晶圆表面沉积金属中间层；步骤S3：将分别完成金属中间层沉积的两晶圆正面对准贴合，固定后装入模具内，采用真空泵对模具进行抽真空处理并密封；步骤S4：将密封完好的模具置于等静压键合机的高压缸中，锁紧高压缸，充入液体压力介质，使模具完全浸入液体压力介质中，并与液体压力介质直接接触；步骤S5：设置键合压力及键合时间，对待键合晶圆进行键合，键合结束后，卸压并取出键合晶圆，完成晶圆的室温等静压金属键合。
室温静压金属键方法

[发明专利]具有n-p-n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN201811432850.3有效
发明人：王晓亮;陈昌禧;王权;徐健凯;冯春;姜丽娟;肖红领;王茜 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有n‑p‑n结构背势垒的高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中，该电子迁移率晶体管包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；背势垒缓冲层，位于高阻缓冲层之上，为n型掺杂区、p型掺杂区和n型掺杂区形成的横向三明治结构；高迁移率沟道层，位于背势垒缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；欧姆电极，位于盖帽层之上；以及栅极，位于盖帽层之上；其中，p型掺杂区位于栅极所在区域的正下方。该HEMT一方面可以提高对二维电子气的限制作用，减轻短沟道效应的影响，另一方面可以减少二维电子气被掺Fe高阻缓冲层中的深能级陷阱俘获的数量，提高器件的稳定性。
具有结构背势垒电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]MOSFET器件-CN201910175096.8有效
发明人：王晓亮;倪炜江;冯春;肖红领;姜丽娟;李巍;王权 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种MOSFET器件，应用于半导体技术领域，包括：该MOSFET器件有源区的原胞结构从下至上依次为漏极(1)、n+衬底(2)、n型缓冲层(3)、n‑漂移区(4)、n型JFET区(5)、P基区(6)和n+层(7)，该MOSFET器件有源区的原胞结构为非对称结构，该原胞结构内设置有一个沟槽(8)，沟槽(8)的一侧为栅介质(9)和多晶硅栅电极(10)，另一侧为P+区(11)和源极(12)，多晶硅栅电极(10)和源极(12)之间用介质层(13)隔离。该器件结构可有效的屏蔽沟槽(8)底部栅介质的电场，从而提高器件的可靠性和寿命，同时得到很低的导通电阻和栅漏电容。
mosfet 器件

[发明专利]旋转托盘固定装置-CN201811412952.9有效
发明人：王晓亮;姜丽娟;王权;徐健凯;冯春;肖红领;李巍 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种旋转托盘固定装置，包括：旋转轴；支撑爪，固定于旋转轴上，包含一轴心体和n个爪臂，n≥3；各个爪臂与轴心体相接，且末端设有一凸台，该凸台使得待放置的托盘置于该支撑爪内实现托盘平面方向上的限位，在各个爪臂末端的凸台上对应设有一压块，该压块使得待放置的托盘置于该支撑爪内实现垂直于托盘平面方向的限位，该压块与凸台固定实现托盘的稳定固定；以及沟槽，设置于支撑爪的各个爪臂内。该装置不仅实现了托盘在旋转过程中的稳固，而且还有助于减弱惯性对转动的影响，并能够提高能量利用率。
旋转托盘固定装置

[发明专利]托盘支撑和固定装置-CN201811412951.4有效
发明人：王晓亮;徐健凯;姜丽娟;王权;冯春;肖红领 -专利权人：中国科学院半导体研究所;中国科学院大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种托盘支撑和固定装置，包括：陶瓷盘，用于放置托盘；压块，设置于陶瓷盘的边缘，用于固定托盘于陶瓷盘上；以及金属支架，固定于陶瓷盘下方，具有n个支架臂，n≥3，用于支撑陶瓷盘，该金属支架与实现托盘旋转的旋转轴固定，在旋转时，带动陶瓷盘与其上放置的托盘一起稳固转动，其中，该金属支架的支架臂的长度小于陶瓷盘的半径。本发明解决了感应加热中电磁力可能引起的托盘晃动或侧翻的问题，同时还可减少托盘升温后对周围空间的辐射热量损失，进一步提高加热效率。
托盘支撑固定装置

[发明专利]抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法-CN202010288020.9在审
发明人：王晓亮;储佳焰;肖红领;姜丽娟;王权;冯春;王茜;李巍;刘宏新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种抑制GaN衬底在外延生长过程中背面分解的方法，包括：步骤1：选择一GaN衬底；步骤2：在GaN衬底正面制备第一临时保护层；步骤3：在GaN衬底背面制备第二临时保护层；步骤4：去除步骤2中在GaN衬底正面制备的第一临时保护层；步骤5：清洗GaN衬底后，在生长腔室将步骤4制备的GaN衬底外延生长制备外延结构；步骤6：去除步骤3中在GaN衬底背面制备第二临时保护层，清洗干净外延片。本公开有利于提升外延过程中外延片的温度均匀性和外延材料性能，以及降低由于衬底分解对于后续器件工艺制备的影响。
抑制 gan 衬底外延生长过程背面分解方法

[发明专利]阶梯型混合栅p-GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法-CN202010252675.0在审
发明人：王晓亮;牛迪;王权;李巍;肖红领;冯春;姜丽娟;王茜;刘宏新 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构及制作方法，其阶梯型混合栅p‑GaN氮化镓基晶体管结构自下而上顺次包括：衬底、成核层、高阻层、高迁移率层和势垒层；还包括：p型GaN帽层、源极、漏极、绝缘介质层和栅极；p型GaN帽层、源极和漏极，分别制作在势垒层上面；绝缘介质层分别制作在势垒层和p型GaN帽层上；制作在势垒层上的绝缘介质层位于p型GaN帽层、源极和漏极间；在p型GaN帽层上制作的至少两个高度不同的绝缘介质层；栅极制作在p型GaN帽层和制作在p型GaN帽层上的绝缘介质层上面。本公开利于减小器件栅极漏电，改善器件栅极击穿特性，增加器件的栅压摆幅，增加器件阈值电压，提高氮化镓基器件的输出电流和可靠性。
阶梯混合 gan 氮化晶体管结构制作方法

[发明专利]改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局-CN201811632458.3在审
发明人：王晓亮;秦彦斌;姜丽娟;冯春;王权;肖红领 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善GaN HEMT器件散热性能的结构及布局，该结构包括：衬底；外延结构，制作于该衬底之上；源极，制作于该外延结构之上；漏极，制作于该外延结构之上；以及栅极，制作于该外延结构之上；其中，源极的宽度大于所述漏极的宽度，所述宽度表示在栅长方向上的尺寸。该结构通过将源电极尺寸做大，使得源电极相较于漏电极沿着栅长方向的尺寸增大，以增大金属的面积，使得多指器件源电极两侧的栅指间距增大，有利于平衡多指器件内部有源区的温度，当器件的布局需要多个单胞进行组合时，通过设计版图，将单胞之间用pad连接，利用金属的良好导热性，帮助器件散热。
改善 gan hemt 器件散热性能结构布局

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