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[发明专利]一种环形电容及其制备方法、电容阵列及其制备方法-CN202310878615.3在审
发明人：侯斌斌;孙亮;车春城;肖红玺;曲峰 -专利权人：北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-17 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供一种环形电容，其包括介质基板、第一极板、电介质层和第二极板，其中，所述介质基板具有盲槽，所述第一极板、所述电介质层和所述第二极板均位于所述盲槽内，且三者填充所述盲槽；所述第一极板覆盖所述盲槽侧壁，所述电介质层覆盖所述第一极板，所述第二极板覆盖所述电介质层。
一种环形电容及其制备方法阵列

[发明专利]原子气室及其制作方法-CN202310593744.8在审
发明人：张硕;王琪;孙亮;覃一锋;宁云龙;孙同虎;赵小娅;胡扬端瑞;葛壮;展岩良;肖红玺;刘琨;冀新友;曲峰;刘明晶 -专利权人：北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01C19/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种原子气室及其制作方法，属于原子气室的制造技术领域。原子气室，包括依次层叠的第一硅基板、玻璃基板、第二硅基板；所述第一硅基板朝向所述第二硅基板的第一表面设置有多个间隔设置的第一凹槽；所述玻璃基板包括多个间隔设置的通孔，所述通孔与所述第一凹槽一一对应，所述通孔在所述第一硅基板上的正投影落入对应的第一凹槽内；所述第二硅基板朝向所述第一硅基板的第二表面设置有多个间隔设置的第二凹槽，所述通孔与所述第二凹槽一一对应，所述通孔在所述第二硅基板上的正投影落入对应的第二凹槽内；每一所述通孔与对应的所述第一凹槽和所述第二凹槽组成一腔室。本发明的技术方案能够简化原子气室的制备工艺。
原子及其制作方法

[发明专利]一种背板及其制作方法、检测装置-CN201810903417.7有效
发明人：赵海生;肖红玺;李嘉鹏;蒋会刚;裴晓光 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-08-09 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种背板及其制作方法、检测装置，涉及X射线衍射技术领域，为解决采用现有技术制作的XRD产品中的光电转换器件，具有较高的漏电流，影响XRD产品的生产良率的问题。所述背板的制作方法包括：在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层；对所述有机物层进行构图形成第一过孔，所述第一过孔能够将所述薄膜晶体管阵列层中的信号传输层暴露出来；在所述第一过孔中沉积形成光电转换器件。本发明提供的背板用于将接收到的光信号转换为电信号并传输至芯片进行分析。
一种背板及其制作方法检测装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201710123374.6有效
发明人：刘冲;赵海生;肖志莲;肖红玺;王薇;裴晓光 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板，包括：衬底；设置在所述衬底上的第一信号线和第二信号线，所述第一信号线与所述第二信号线同层设置且相互间隔；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一信号线和所述第二信号线；所述绝缘层上形成有贯穿该绝缘层的槽，所述槽延伸至所述第一信号线和第二信号线所在层的底面而将所述第一信号线和所述第二信号线间隔开，使得所述第一信号线和所述第二信号线之间绝缘。相应地，本发明还提供一种阵列基板的制作方法、显示装置。本发明能够减少方格不良。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法-CN201710047075.9有效
发明人：肖志莲;蒋会刚;裴晓光;刘冲;赵海生;黄雄天;肖红玺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板制备方法，阵列基板包括形成在基底上的保护层，以及贯穿所述保护层的过孔，还包括第一导电层，第一导电层位于形成有所述过孔的保护层上远离所述基底的一侧。通过令第一导电层在过孔底部的厚度大于第一导电层在非过孔区域的厚度，即增加了第一导电层在过孔底部的厚度，可以减小过孔中孔底与孔顶的段差，从而减小过孔内部第一导电膜层脱落的风险，进而避免电极信号中断，提高TFT的电连接性能。
一种阵列显示面板制备方法

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法-CN201710086972.0有效
发明人：肖志莲;赵海生;肖红玺;裴晓光;刘冲 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，属于半导体技术领域。该制造方法包括提供一衬底基板；在衬底基板上制作栅极金属层，栅极金属层包括间隔设置的栅线和公共电极信号线；在栅极金属层上形成栅极绝缘层、有源层、源漏极层、钝化层和保护图形；在钝化层和栅极绝缘层上开设用于连接公共电极信号线的过孔。通过在栅线上方形成保护图形，使得在刻蚀过程中，需要刻透钝化层、保护图形和栅极绝缘层才会使栅线露出，而公共电极信号线上方没有设置保护图形，在刻蚀过程中，只需刻透钝化层和栅极绝缘层就会将公共电极信号线露出，因此在形成过孔的过程中可以保证在公共电极信号线露出时，栅线不露出，从而避免栅线与公共电极信号线出现短接。
一种阵列及其制造方法

[发明专利]平板探测器基板及其制备方法、平板探测器-CN201810201784.2有效
发明人：蒋会刚;高建剑;肖红玺 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明提供一种平板探测器基板及其制备方法、平板探测器，属于传感器制造技术领域，其可解决现有的X射线平板探测器的阵列基板制备过程中，刻蚀半导体层时容易对光电二极管的第一极造成过刻的问题。本发明的平板探测器基板的制备方法包括：通过构图工艺在基底上形成，包括光电二极管的第一极的图形；在所述基底上依次沉积刻蚀阻挡材料层，以及半导体材料层，并通过构图工艺形成，包括刻蚀阻挡层、以及所述光电二极管的半导体层的图形；其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括金属氧化物。
平板探测器光电二极管基板制备刻蚀阻挡层构图工艺第一极基底传感器制造技术半导体材料层刻蚀半导体层金属氧化物阻挡材料层半导体层阵列基板制备过程刻蚀沉积

[发明专利]移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置-CN201811104527.3在审
发明人：刘冲;赵海生;肖红玺;李宝金;王薇;裴晓光 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种移位寄存器、栅极驱动电路及显示装置，在形成串联且叠层设置的电容结构的过程中，制作完第一电容器后，通过保留GOA工艺中位于移位寄存器区域的树脂层，再通过进行ITO Mask工艺形成位于树脂层上且与第一电容器串联的第二电容器，这样串联的两个电容器能够实现窄边框设计并且可以保证电容结构存储电容的容量满足设计要求，保留的树脂层可以解决在后续进行ITO Mask工艺时，不会造成像现有技术中由于将移位寄存器区域的树脂层做挖空处理而影响ITO工艺的ITO Mask曝光、造成ITO残留、导致ITO残留处发生短路、从而使移位寄存器工作异常、发生异常显示的问题。
移位寄存器树脂层电容器串联栅极驱动电路第一电容器电容结构显示装置残留窄边框设计存储电容工作异常挖空处理异常显示短路保留叠层曝光制作保证

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置-CN201610353751.0有效
发明人：刘冲;赵海生;裴晓光;肖志莲;彭志龙;肖红玺;王薇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，用以降低阵列基板的集线区由于引出线之间的凹槽而引起的斜线不良现象。本发明提供的一种阵列基板，包括多个引出线，所述多个引出线在阵列基板的集线区形成的多个凹槽处具有填充物，使得所述凹槽的上表面与所述凹槽周边的引出线处于同一水平面；其中，所述填充物为具有绝缘性和透明性的材料组成。
一种阵列及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201410601808.5有效
发明人：刘冲;赵海生;马海涛;肖红玺;彭志龙;刘还平 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，本发明的阵列基板的制备方法，其包括如下步骤：在基底上方，依次沉积第一透明导电薄膜和源漏金属薄膜；通过构图工艺形成包括源漏金属图案的图形；通过构图工艺形成包括像素电极，以及位于源漏金属图案下方的修复结构的图形。本发明的阵列基板是通过上述制备方法制备的。本发明的显示装置包括该阵列基板。
阵列基板制备显示装置构图工艺源漏金属透明导电薄膜源漏金属薄膜图案像素电极修复结构基底沉积

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法-CN201710024197.6在审
发明人：肖志莲;肖红玺;赵海生 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-01-13 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的制备方法中，源极和漏极中的源、漏极所采用的金属材料被形成欧姆接触层的反应气体腐蚀而导致显示不良的问题。本发明的薄膜晶体管的制备方法，包括通过一次构图工艺，在衬底的上方形成包括有源层和位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上的欧姆接触层的图形；在完成上述步骤的衬底上，通过构图工艺，形成包括源极和漏极的图形。
薄膜晶体管及其制备方法显示

[发明专利]一种薄膜晶体管、显示基板以及液晶显示装置-CN201610565661.8在审
发明人：裴晓光;赵海生;肖红玺;蒋会刚;肖志莲;刘冲;林子锦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本申请提供一种薄膜晶体管、显示基板以及液晶显示装置，以提高薄膜晶体管的开启电流，降低薄膜晶体管的关闭电流。本申请提供的薄膜晶体管，包括：依次设置于衬底基板之上的栅极、栅极绝缘层和有源层，还包括：设置于所述有源层之上的源极，以及设置于所述栅极绝缘层与所述有源层之间的漏极。
一种薄膜晶体管显示以及液晶显示装置

[实用新型]一种提升器和干法刻蚀系统-CN201420040302.7有效
发明人：蒋会刚;肖红玺;刘华锋;谢海征;高建剑;蔡志光 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-01-22 - 公布日： 2014-07-16 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升器，除了包括本体和底座，还包括：支撑杆、支撑头、定位环、弹性件和接触环；本体安装在底座上；支撑杆穿过本体，支撑杆上端设置支撑头，支撑头的下端与本体的顶部之间有活动空间，支撑杆穿过设置于底座上的定位环，且支撑杆的底部设置有接触环，定位环与接触环之间设置有弹性件。上述提升器由于在本体中间设置有支撑杆，由于定位环和接触环之间设置有弹性件，支撑杆以及支撑杆上端的支撑头未被压缩时，支撑头与本体之间具有一定活动空间；当支撑头受到基板的重力而下降时，定位环随着支撑杆向下运动而位置下降，弹性件被压缩，接触环的位置也下降，能及时检测出基板的偏移或损坏，避免基板和下部电极受损坏。
一种提升刻蚀系统

[发明专利]一种刻蚀设备反应腔的电极和刻蚀设备-CN201410022519.X无效
发明人：蒋会刚;肖红玺;谢海征;高建剑;高福亮;蒋晓纬 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-01-17 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种刻蚀设备反应腔的电极和刻蚀设备，属于显示装置制造技术领域，其可解决现有的干法刻蚀设备的电极孔发生堵塞时需要把电极整体拆下且拆卸又极其繁琐的问题。本发明的刻蚀设备反应腔的电极包括一平板，平板上设有多个第一通孔，所述电极还包括多个具有第二通孔的嵌入件，所述嵌入件嵌入所述第一通孔内。本发明的刻蚀设备包括上述刻蚀设备反应腔的电极。本发明能够使刻蚀设备反应腔的电极的维护更为省时省力。
一种刻蚀设备反应电极

[实用新型]一种基板处理装置-CN201320483919.1有效
发明人：蒋会刚;肖红玺;刘华锋;吴平;谢海征;高福亮;林雨 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基板处理装置，该装置包括处理基板的处理设备，以及设置于所述处理设备入口处的气刀。本实用新型的基板处理装置，能够对要进入处理设备的基板进行吹扫，以尽量去除基板上的杂质。这样，最终进入处理设备的基板上几乎没有杂质，因此不会因杂质而导致后续对基板进行处理时发生不良，提高了产品质量。
一种处理装置

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