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[发明专利]一种硅基MSM光电探测器-CN202210776345.0在审
发明人：崔积适;肖洪地 -专利权人：三明学院
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基MSM光电探测器,包括：硅衬底波导层，形成在所述硅衬底波导层上方的光吸收层；在所述光吸收层上形成的P型轻掺杂区；与所述P型轻掺杂区连接的N型轻掺杂区；电连接在所述光吸收层第一端部的第一电极，电连接在所述光吸收层第二端部的第二电极，电连接在N型轻掺杂区的第三电极；其中，所述第一电极和所述第二电极配置为在有光信号时产生信号电流，暗电流被所述第三电极输运，解决了MSM结构的探测器存在较大的暗电流问题。
一种 msm 光电探测器

[发明专利]一种锗lab区硅基锗探测器-CN202210776366.2在审
发明人：崔积适;肖洪地 -专利权人：三明学院
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供了一种锗lab区硅基锗探测器,包括：硅波导层；第一表面与所述硅波导层接触的光吸收层；与光吸收层第二表面接触的光吸收层slab区，其中，所述光吸收层slab区包括与所述光吸收层的接触的接触部、以及与所述接触部连接的第一延伸部；与所述硅波导层连接的第二延伸部；生长在所述第一延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第一电极；生长在所述第二延伸部上且远离所述硅波导层的一端的第二电极。解决了现有技术中硅基锗光电探测器，存在部分光信号被电极吸收，导致探测器的响应度小的问题。
一种 lab 区硅基锗探测器

[发明专利]一种Y分支波导分束器建模方法、装置、设备及存储介质-CN202210650775.8在审
发明人：崔积适;肖洪地 -专利权人：三明学院
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02B27/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种Y分支波导分束器建模方法、装置、设备及存储介质，涉及集成光子学技术领域，包括：获取第一输出波导和第二输出波导的输出功率目标比例值；获取Y分支波导分束器基本参数，并根据所述基本参数建立Y分支波导分束器的初始模型；根据所述目标比例值，调整所述模型输入波导的位置，生成与所述目标比例值相匹配的Y分支波导分束器模型。旨在解决现有技术中的非对称型Y分支波导制作方法存在控制精度大、控制难度高、具有较大损耗、不利于制作结构紧凑器件的问题。
一种分支波导分束器建模方法装置设备存储介质

[发明专利]一种硅基锗探测器及其制作工艺-CN202210650959.4在审
发明人：崔积适;肖洪地 -专利权人：三明学院
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基锗探测器及其制作工艺,包括：衬底层；配置在所述衬底层中心部的硅脊波导层；覆盖所述硅脊波导层上的锗吸收层；配置在所述锗吸收层上的第一电极、配置在所述衬底层上的第二电极和第三电极。解决了现有技术中，为了增加带宽而减小硅波导层的宽度，进而导致光的吸收不充分的问题。
一种硅基锗探测器及其制作工艺

[发明专利]可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法-CN202010998919.X有效
发明人： 肖洪地;赵冲冲;杨小坤;刘杰 -专利权人：山东大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及可转移氧化镓单晶薄膜的制备方法，该方法包括如下步骤：通过电化学刻蚀技术制备纳米多孔GaN薄膜；采用有机金属化学气相沉积技术在纳米多孔GaN薄膜上外延生长氧化镓单晶薄膜；采用PDMS压印技术转移氧化镓单晶薄膜；采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术去除GaN层，完成制备。本方法可制备大面积(cm2)、可转移至任何衬底(如：硅、塑料、金属)上的氧化镓单晶薄膜，不仅规避了机械剥离之缺点，而且还规避了氧化镓单晶衬底热导率差、不导电、价格昂贵、难以光电子集成等难题，所制备的薄膜可用于柔性半导体光电器件。
转移氧化镓单晶薄膜制备方法

[发明专利]一种交叉指形电极有源器件及其光器件-CN202210639857.2在审
发明人：崔积适;肖洪地 -专利权人：三明学院
申请日： 2022-06-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种交叉指形电极有源器件及其光器件，包括：衬底层；配置在所述衬底层上的硅波导层，以及配置在所述硅波导层上的硅脊波导层，其中，所述硅波导层和硅脊波导层配置为定向引导电磁波且能够对光进行分束；设置在所述硅波导层第一侧的多个第一电极，设置在所述波导层第二侧且与多个所述第一电极相匹配的多个第二电极，其中，所述第一侧和第二侧相对，其中，所述第一电极和所述第二电极交错设置。基于本发明，通过对硅波导层两侧位置相对的电极进行交错设置，进一步的减小电极之间的寄生电容效应，从而减小高频信号的损耗，提高有源器件的带宽，有效提高光电芯片的带宽和信息传输速率。
一种交叉电极有源器件及其

[发明专利]一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法-CN202210217165.9在审
发明人： 肖洪地;冯博;栾彩娜 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L31/036 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于p型铟酸亚铜单晶薄膜的自驱动日盲光电探测器及其制备方法。所述自驱动日盲光电探测器包括衬底，衬底上方设置有n型宽带隙半导体单晶薄膜，所述n型宽带隙半导体单晶薄膜上方设置有p型铟酸亚铜单晶薄膜和第一电极，p型铟酸亚铜单晶薄膜和第一电极之间为空白区域；所述p型铟酸亚铜单晶薄膜上方设置有第二电极。本发明制备的自驱动日盲光电探测器具有更优良的探测性能，在日盲光源的照射下，施加零偏压，实现器件的日盲波段自驱动探测，且具有较高的光电灵敏度，可广泛应用于太空、海底等特殊环境。
一种基于型铟酸亚铜单晶薄膜驱动光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法-CN201910098470.9有效
发明人：曹得重;肖洪地 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明公开的是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法，具体包括以下步骤：步骤1、在电解液中，对生长在c‑面蓝宝石衬底上的n‑GaN/n+‑GaN周期性结构进行电化学刻蚀，制得纳米多孔GaN；步骤2、采用退火技术将所述纳米多孔GaN转变为具有GaN/纳米空腔周期性结构的GaN薄膜；步骤3、在所述GaN薄膜上依次外延生长n‑GaN层、InGaN/GaN超晶格和多量子阱层以及Mg掺杂p‑GaN层，制得InGaN基蓝光二极管。本发明是一种具有GaN/纳米空腔的蓝光发光二极管的制备方法，能够制备出大面积、高发光效率的InGaN基蓝光发光二极管。
一种具有 gan 纳米空腔发光二极管制备方法

[发明专利]一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法-CN201810320236.1在审
发明人： 肖洪地;曹得重;杨小坤 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光发光二极管的制备方法。该方法首先采用电化学刻蚀法，以生长在c‑面蓝宝石衬底上的GaN/n‑GaN周期性结构为阳极，以Pt丝为阴极，在硝酸、草酸或氢氟酸酸性溶液中刻蚀制备纳米多孔GaN分布布拉格反射镜；然后，采用MOCVD方法在纳米多孔GaN分布布拉格反射镜上外延生长InGaN基蓝光LED。所得InGaN基蓝光LED表面光滑平整，发光强度和荧光寿命分别是参比LED的5‑8倍和3‑5倍。所制备的具有纳米多孔GaN分布布拉格反射镜的InGaN基蓝光LED可用于照明、平面显示、生物医学器件等应用领域。
分布布拉格反射镜纳米多孔制备蓝光LED 蓝光发光二极管生物医学器件草酸阴极电化学刻蚀周期性结构蓝宝石阳极平面显示酸性溶液外延生长荧光寿命氢氟酸硝酸参比衬底可用刻蚀平整生长

[发明专利]溶致液晶驱油体系及其制备方法与应用-CN200910013849.1无效
发明人：于丽;郑利强;马洪超;袁杰;李干佐;肖洪地;顾强 -专利权人：山东大学
申请日： 2009-01-15 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C09K8/584 文献下载
摘要：本发明涉及一种溶致液晶驱油体系及其制备方法与应用。溶致液晶驱油体系质量份组成为：表面活性剂20-35份，助表面活性剂10-30份，水相40-65份；所述的表面活性剂是非离子表面活性剂或阴离子表面活性剂，助表面活性剂选自醇或有机酸。本发明溶致液晶驱油体系的应用，用于原油三次采油工艺简单、易于实施，有很好的驱油效果，化学驱采收率达到18％-25wt％OOIP。
液晶体系及其制备方法应用

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