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[发明专利]一种基于封装结构的低维光电器件测试系统及方法-CN202310824848.5在审
发明人：南海燕;潘炳宇;丁扬;王成林;戚任贤;肖少庆;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于封装结构的低维光电器件测试系统及方法，属于半导体器件领域。本发明使用光刻、刻蚀、PVD沉积、电镀、切割等工艺在玻璃晶圆的基础上制造出两侧带有铜柱的透明玻璃板，然后在透明玻璃板下表面上使用光刻、电镀等工艺制作阵列排布的铜柱，得到一种封装结构的光电器件测试系统。本发明制备方法工艺成熟，不仅可以实现器件在不同波长的可见光与近红外光的探测，而且可以重复利用，并且避免了传统测电时使用bonding的工艺对材料造成损伤的情况发生；此外，本发明能够得到更稳定的光电流输出，且环境光强度的波动和其他干扰因素影响较小，得到的光电流强度比较高，对细微的光信号有较为快速的响应。
一种基于封装结构光电器件测试系统方法

[发明专利]一种晶面可调控的二维碲化锡材料及其制备方法-CN202310493652.2在审
发明人：蔡正阳;丁常源;张志伟;顾晓峰;南海燕;肖少庆 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶面可调控的二维碲化锡材料的制备方法，所述方法包括：将锡源与碲源在保护性气体中进行化学气相沉积反应，在生长衬底表面得到二维碲化锡材料，并且生长的碲化锡材料的晶面与生长衬底的晶面相一致。本发明以第一主族或第二主族与第七主族元素形成的化合物为衬底，在管式炉中放入碲源和锡源，通过化学气相沉积的方法制备二维碲化锡材料，生长的二维碲化锡的晶面会与所选用的衬底的晶面相同，即生长衬底起到调控碲化锡晶面的作用。本发明所述方法简单易操作，过程可控，所得材料形貌良好，具有广阔的应用前景。
一种晶面可调控二维碲化锡材料及其制备方法

[发明专利]一种宽光谱硅基-硫化钼异质结光电探测器的制备方法-CN202111597763.5有效
发明人：南海燕;王成林;肖少庆;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器的方法包括如下步骤：先利用温和等离子体技术处理硅基衬底表面的SiO2层，使得SiO2层的厚度在50～100nm，得到预处理的衬底；利用机械剥离技术得到少层的MoS2薄膜；之后通过干法转移技术将MoS2薄膜转移至预处理的衬底表面，得到硅基MoS2异质结；最后利用光刻技术刻出器件结构，蒸镀电极，得到所述的宽光谱硅基‑硫化钼异质结光电探测器。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器兼有响应时间短、高光电响应度、宽光谱探测范围的性能。
一种光谱硫化钼异质结光电探测器制备方法

[发明专利]一种银离子修饰的黑磷光电探测器及其制备方法-CN202310382256.2在审
发明人：南海燕;王成林;左慧琳;顾晓峰;肖少庆;蔡正阳 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种银离子修饰的黑磷光电探测器的制备方法，先利用机械剥离的方式得到薄层BP，并干法转移到300nm SiO2/Si衬底上，之后利用无掩膜光刻技术和电子束蒸镀/热蒸镀技术制成Ni/Au(5nm/50nm)电极的BP光电探测器。最后将附有BP器件的晶片浸入浓度为10‑6M的硝酸银溶液中2小时，取出晶片，用纯NMP清洗，用N2烘干，得到所述的高性能Ag+掺入并改性的BP光电探测器。本发明的制备方法快捷简便，利用Ag+在BP表面的吸附填补了BP纳米片的一些固有缺陷，从而降低了其表面活性和对空气分子的吸附。显著减少了BP器件的电滞，加快了器件的响应时间。
一种银离子修饰黑磷光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于In/Au电极的硒化铟忆阻器的制备方法-CN202310081950.0在审
发明人：南海燕;高小玉;顾晓峰;肖少庆;蔡正阳 -专利权人：江南大学
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于In/Au电极的硒化铟忆阻器的制备方法，属于半导体器件领域。本发明所述的制备铟金电极的铟硒忆阻器的方法包括如下步骤：先利用机械剥离技术分别得到少层的InSe和h‑BN薄膜；之后通过干法转移技术将h‑BN薄膜转移至干净的衬底表面，再用转移平台将少层InSe转移到h‑BN正上方；最后蒸镀电极，得到所述的铟硒忆阻器。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器兼有存储窗口大、稳定性好、较长持久性等优点。
一种基于 in au 电极硒化铟忆阻器制备方法

[发明专利]一种半金属纳米颗粒修饰的二维材料光电探测器-CN202211350749.X在审
发明人： 肖少庆;吴倩倩;王成林;付泉桂;南海燕;蔡正阳;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L31/102 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半金属纳米颗粒修饰的二维材料光电探测器，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：利用多孔阳级氧化铝(AAO)构筑MO3(M代表Mo、W)纳米颗粒结构阵列，再用氢气等离子体将MO3纳米颗粒转变成MOx(x3)半金属纳米颗粒，将半金属颗粒与二维材料结合制备光电探测器。与金属纳米颗粒相比，半金属纳米颗粒的等离激元效应可随掺杂在浓度达到中红外波段，而金属纳米颗粒的等离激元效应主要几种在可见光波段，所以半金属等离激元材料在开发高性能红外探测方面具有很大潜力。且该方法在常温实现，颗粒掺杂浓度可控，形状规则且均匀分布，操作简单，可控性强，实用性较强。
一种金属纳米颗粒修饰二维材料光电探测器

[发明专利]基于等离子体n型掺杂的MoS2-CN202210996470.2在审
发明人： 肖少庆;吴倩倩;皇甫路遥;南海燕;蔡正阳;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于等离子体n型掺杂的MoS2异质结光电探测器及其制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将MoS2异质结光电探测器水平放置于由平面式螺旋电感天线产生的非平行板式电容耦合等离子体的等离子体腔室中，在低压环境下通入氨气，打开射频电源产生温和氨气等离子体，对样品进行掺杂处理。该方法在常温下实现MoS2异质结光电探测器的n型掺杂，反应条件温和，操作简单，可控性强，环保无污染，成本低，掺杂均匀，实用性较强。
基于等离子体掺杂 mos base sub

[发明专利]一种基于二维碲化钼的同质异相光电探测器的制备及应用-CN202210269277.9在审
发明人：南海燕;张浩哲;肖少庆;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维碲化钼的同质异相光电探测器的制备方法及其应用手段，属于半导体器件领域。本发明所述的制备碲化钼同质异相光电探测器的方法包括如下步骤：先通过机械剥离与转移技术将MoTe2转移至硅基衬底上；之后通过光刻将MoTe2的两端暴露在环境中；接着使用氧气等离子体处理被光刻胶覆盖的MoTe2衬底，其中MoTe2两端发生相变而沟道处未发生相变；最后在两端蒸镀电极，得到所述的碲化钼同质异相光电探测器。本发明所述的碲化钼同质异相光电探测器的应用包括如下领域：载流子迁移率、开关比、不同波长可见光及940nm近红外光下的光电流及光响应。本发明的制备方法简单，且制备的光电探测器具有高迁移率、高开关比、高光电流及高响应度的性能。
一种基于二维碲化钼同质光电探测器制备应用

[发明专利]一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法-CN201911421184.8有效
发明人：南海燕;李大庆;邵枫;肖少庆;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维黑磷材料实现IGZO光电流调控的方法，属于半导体器件领域。本发明提出了一种利用干法转移技术制备IGZO‑黑磷异质结构的方法，并且通过改变IGZO与黑磷之间的接触方式，可以实现IGZO对不同激光波长光电流响应的调控，该方法中IGZO沟道和电极都借助掩膜版进行磁控溅射，重复性好且能够实现大面积多器件的制备，黑磷样品通过机械剥离法制备，厚度和尺寸均可控制，异质结的制备利用干法转移技术，操作简单，可控性强。该发明有利于推动IGZO薄膜在微纳领域和半导体行业的发展。
一种基于二维黑磷材料实现 igzo 电流调控方法

[发明专利]一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法-CN201911163336.9有效
发明人： 肖少庆;张露芳;南海燕;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C30B29/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维原子晶体分子超晶格的制备方法，属于二维半导体材料技术领域。所述制备方法包括以下步骤：将过渡金属硫族化合物薄层样品水平放置于由平面式螺旋电感天线产生的非平行板式电容耦合等离子体的等离子体腔室中，或垂直放置于由两平行板电极产生的电容耦合等离子体的等离子体腔室中，在低压环境下通入氧气，打开射频电源产生温和氧气等离子体，对过渡金属硫族化合物薄层样品进行等离子体插层处理，该方法在常温下调控过渡金属硫族化合物的插层程度来构造二维原子晶体分子超晶格，反应条件温和，操作简单，可控性强，环保无污染，成本低、插层均匀，可以实现大面积的插层，实用性较强。
一种二维原子晶体分子晶格制备方法

[发明专利]一种体内处理肿瘤的等离子体喷枪装置-CN201810274260.6有效
发明人：戴晓峰;徐潇宇;项良剑;肖少庆 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： A61B18/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种体内处理肿瘤的等离子体喷枪装置及处理方法，包括，发生组件，包括电离件和防护件，所述电离件设置于所述防护件上；以及，排送组件，与所述防护件一端相连接。其低温大气等离子体射流无法接触体内肿瘤的问题，能够处理到肿瘤内部，增加等离子体对于肿瘤的治疗效果，并且对于该技术应用于临床作出贡献。本发明所述的方法相对于传统的放疗化疗以及手术，具有风险小，患者痛苦小等特点，等离子体直接到达病灶部位，针对治疗具有较高的疗效，以及避免影响其他正常组织的效果。
一种体内处理肿瘤等离子体喷枪装置

[发明专利]一种基于温和氢气等离子体的半金属相碲化钼的制备方法-CN201810148069.7有效
发明人： 肖少庆;陈志荣;南海燕;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于温和氢气等离子体的半金属相碲化钼的制备方法，包括以下步骤：将半导体相碲化钼薄层样品置于等离子体腔室中，在低压环境下通入H2，打开电感天线射频电源激发电容耦合的等离子体，对半导体相碲化钼薄层样品进行等离子体改性处理，该方法在常温下处理调控MoTe2的相变程度，反应条件温和，操作简单，可控性强，相变均匀，可以实现大面积的相变，实用性较强。
一种基于温和氢气等离子体金属相碲化钼制备方法

[发明专利]一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法-CN201710348391.X有效
发明人：张秀梅;肖少庆;戴晓峰;顾晓峰 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种大范围均匀双层二硫化钼薄膜的化学气相沉积制备方法，包括以下步骤：将生长衬底所在管式炉高温区的温度加热到第一预设温度并保温一段时间，生成第一层单晶二硫化钼薄膜；将温度升高，在升温过程中引入少量具有轻微刻蚀作用的气体，使第一层二硫化钼薄膜停止生长并修复其表面缺陷；将生长衬底所在高温区的温度加热到第二预设温度并停止引入刻蚀气体，保温一段时间，使第二层单晶二硫化钼薄膜在第一层薄膜表面生长，其中，第二预设温度保温时间大于第一预设温度保温时间；最终系统自然降到室温。本发明通过这种两阶段生长法，可在生长衬底上获得大范围均匀双层二硫化钼薄膜，具有工艺简单、成本低、产率高、适合大面积生产等优点。
一种范围均匀双层二硫化钼薄膜化学沉积制备方法

[发明专利]一种非平行板式电容耦合等离子体化学气相沉积方法-CN201510067829.8有效
发明人： 肖少庆;张学成;顾晓峰;丁荣 -专利权人：江南大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜沉积方法，特别是非平行板式电容耦合等离子体化学气相沉积方法，包括平面矩形螺旋状电感天线、低频电源发生器、阻抗匹配网络、柱状真空室、石英玻璃和衬底支架。本发明通过控制射频输入功率以及调谐匹配电容，实现了在真空室内的电容耦合稳定放电等离子体密度较低，并且线圈两端的电位差建立的与衬底表面平行的径向静电场起主导作用，使得正离子的运动被约束在与衬底表面平行的方向。所以本发明从两方面即降低等离子体密度和约束正离子运动方向着手，可显著抑制化学气相沉积过程中正离子对薄膜表面的轰击，降低表面损伤。此系统可用于制备高效晶硅太阳能电池中必需的各种钝化层，如非晶硅和非晶氮化硅等。
一种平行板式电容耦合等离子体化学沉积方法

[发明专利]一种选择性遏制三阴性乳腺癌细胞恶性程度的物理方法-CN201710372545.9在审
发明人：戴晓峰;徐潇宇;肖少庆;顾晓峰;陆文怡 -专利权人：江南大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： C12N5/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择性遏制三阴性乳腺癌细胞恶性程度的物理方法，其特征在于首先利用低温常压氦气等离子处理培养基来激活培养基，使其带有大量有效的活性物质，然后这些活性物质通过处理后的培养基与乳腺癌细胞的相互作用可将乳腺癌细胞杀死，从而起到遏制三阴性乳腺癌细胞恶性程度的作用。本发明采用的低温常压氦气等离子体能使培养基产生适当的活性氧物质，对三阴性乳腺癌细胞产生遏制作用，但对正常细胞几乎不产生影响，因此具有高度的选择性。本发明采用间接物理方法处理乳腺癌细胞，具有方便、高效的特点，可将等离子体处理后的培养基溶液当成医用注射液，对乳腺癌病人进行注射治疗。该方法能够无副作用、安全、无痛、高效杀死三阴性乳腺癌细胞。
一种选择性遏制阴性乳腺癌细胞恶性程度物理方法

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