专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种基于六线开尔文布线方式的PCB转接板-CN202320960884.X有效
  • 刘锦;罗景涛 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2023-04-25 - 2023-09-29 - H01R31/06
  • 本实用新型属于功率器件测试技术领域,尤其为一种基于六线开尔文布线方式的PCB转接板,包括PCB转接板本体:所述PCB转接板本体包括TopLayer层、MidLayer1层、MidLayer2层和BottomLayer层,所述TopLayer层、MidLayer1层、MidLayer2层和BottomLayer层从上至下依次相连,所述PCB转接板本体上安装有若干个Pad,所述PCB转接板本体1的两侧均安装有若干个引脚,且所述引脚与Pad通过电子线路连接,在使用时,通过将表贴Dual N MOS功率器件焊接至该PCB转接板上,并将焊接后表贴Dual N MOS功率器件作为待测件与测量设备I/O端口连接接入测试电路中,输入不同的电压条件、电流条件,采用六线开尔文连接方式对功率器件进行静态特性测试,且六线开尔文布线方式分离电流施加单元和电压测量单元,消除了布线和接触电阻的阻抗。
  • 一种基于六线开尔文布线方式pcb转接
  • [发明专利]一种双沟道半导体器件-CN202011178840.9有效
  • 罗景涛;严可为 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2020-10-29 - 2023-09-22 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种双沟道半导体器件,上方AlGaN材料薄层、GaN材料薄层和下方AlGaN材料薄层依次叠加构成三叠层材料结构的器件核心,在两处材料交界界面构成二维电子气上沟道和二维电子气下沟道。本发明双沟道半导体器件,在不增加器件管芯面积,不增加额外的制造工艺复杂度前提下,仅以AlGaN/GaN/AlGaN或GaN/AlGaN/GaN这样的三叠层结构为核心,就可以构造出新型的双沟道半导体器件。由于二维电子气上沟道的导通电流必然会受到紧邻的二维电子气下沟道电信号的影响,二维电子气上沟道就可以用来作为一种寄生的电流传感器,用于监控以上沟道导电为主的器件的工作状态。对于GaN功率器件来说,可以提供对器件的监控保护功能。
  • 一种沟道半导体器件
  • [发明专利]一种隔离式瞬态短路电流测试电路-CN202310592258.4在审
  • 罗景涛 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2023-05-24 - 2023-08-04 - G01R19/00
  • 本发明属于功率器件测试技术领域,尤其为一种隔离式瞬态短路电流测试电路,包括直流供电模块、PWM1、PWM2、高端驱动、低端驱动、待测器件Q1,待测器件Q2、滤波电感L、负载电容Co和负载电阻Ro、可调隔离测试模块以及示波器;直流供电模块包括直流电源和母线电容。通过电路中可调隔离测试模块包括两组匝数比可调的变压器的设置,因为该结构采用了变压器,实现了待测电路和示波器之间的电气隔离,示波器不接入测试回路可以提高示波器的安全性,实现良好保护;并且该变压器接入测试电路端匝数固定,在变压器接示波器端匝数可调,其变压比可以从2:1,1:1,2:3三个档位进行调整,能有效拓展电流的测试范围,在较大工作范围内保持测试精度,实用性强。
  • 一种隔离瞬态短路电流测试电路
  • [发明专利]一种无钳位电路的高精度GaN HEMT动态电阻测量电路-CN202310253421.4在审
  • 罗景涛 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2023-03-16 - 2023-07-21 - G01R27/02
  • 本发明属于功率器件测试技术领域,尤其为一种无钳位电路的高精度GaN HEMT动态电阻测量电路,包括直流电源、电感负载L,电阻负载R、保护二极管D、待测器件、辅助开关、同相驱动、测试探头以及PWM信号模块。通过在测试电路中提出了测量电路,测量电路仅测量器件导通时的漏源电压,没有额外的其他大的压降,使得器件导通压降测量更精确,满足器件测量精度;通过该电路中负载部分均为直插式器件的布设,可以根据测试条件、测试标准进行调换,三个元件也可以根据测试需求进行自由组合,以满足不同工况的要求,无论对器件什么工况测试,测试电路均不需进行调整,仅需根据测试需求对负载电路进行器件,能实现器件的全功率范围的动态电阻测试。
  • 一种无钳位电路高精度ganhemt动态电阻测量
  • [发明专利]一种PWM信号生成电路及输出控制方法-CN202310326180.1在审
  • 罗景涛 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-07-18 - H03K7/08
  • 本发明属于信号调制技术领域,尤其为一种PWM信号生成电路,包括:时钟电路、计数器、PWM生成电路、按键控制电路以及显示电路;计数器用以生成N位表示的计数值;PWM生成电路包括周期设定寄存器、脉冲宽度设定寄存器、脉冲数量设定寄存器、比较器及下降沿检测器;按键控制电路用以改变PWM波形的输出参数;显示单元用以显示波形参数。该技术方案通过按键改变波形参数,以确保输出不同工作频率,脉冲宽度和脉冲数量的PWM波形,使之能为多类器件检测、人工智能控制等领域提供可靠的且稳定的脉冲波形,通过上述方法操作,在PWM信号调制过程中,可以按照工程需求提供特定频率、脉冲宽度以及脉冲数量的PWM信号,有效的满足应用场景需求。
  • 一种pwm信号生成电路输出控制方法
  • [发明专利]一种GaN HEMT硬开关动态电阻测量电路-CN202211369004.8在审
  • 罗景涛 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2022-11-03 - 2023-01-17 - G01R27/08
  • 本发明属于功率器件测试技术领域,尤其为一种GaNHEMT硬开关动态电阻测量电路,包括直流电源、负载部分、钳位电路、PWM模块和开关S1以及待测器件,负载部分包括电感负载L,电阻负载R和保护二极管D,电感负载L可以测试待测器件在线性增加电流负载情况下待测器件的动态电阻,电阻负载R可以测量待测器件在恒定电流条件下的动态电阻,保护二极管D在直流电源电压超出待测器件测试范围时进行待测器件的保护;钳位电路包括并联的电容和TVS,在测试重载时动态电阻时,电容两端电压达到TVS击穿电压后,TVS对待测器件源漏电压进行钳位,以保证对源漏两端电压的测量精度,本发明具有在轻载和重载下均能保证测量精度的优点。
  • 一种ganhemt开关动态电阻测量电路
  • [发明专利]一种GaN HEMT软开关动态电阻测量电路-CN202211369003.3在审
  • 罗景涛 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2022-11-03 - 2023-01-06 - G01R27/08
  • 本发明属于功率器件测试技术领域,尤其为一种GaNHEMT软开关动态电阻测量电路,包括直流电源、辅助开关Q1、待测器件Q2、半桥驱动芯片、PWM模块、滤波电感L和负载电容Co以及负载电阻Ro,直流电源的电压范围为3‑10V,直流电源电流等级大于等于20A,直流电源电压设计要求主要用来满足待测器件的源漏电压不超过10V,以保证动态电阻的测试精度,本发明可以测试GaNHEMT在软开关条件下的动态电阻,更贴合实际应用场景,对于在实际应用条件下的GaNHEMT软开关测试有开创性的作用。
  • 一种ganhemt开关动态电阻测量电路
  • [实用新型]一种碳化硅生产用碳化硅块破碎装置-CN202122657061.3有效
  • 杜浩晨;罗景涛 - 陕西开尔文测控技术有限公司
  • 2021-11-02 - 2022-03-22 - B02C4/08
  • 本实用新型公开了一种碳化硅生产用碳化硅块破碎装置,包括破碎收集机构、入料封闭调节机构、破碎驱动机构、安装曲臂、破碎容器、出料口、入料侧边挡板、破碎辊一和破碎辊二。本实用新型属于碳化硅破碎技术领域,具体是一种碳化硅生产用碳化硅块破碎装置,通过设置破碎收集机构大大改善了碳化硅块破碎后的收集和取出步骤的便捷性,通过设置破碎驱动机构提高了碳化硅块破碎的效果,通过设置入料封闭调节机构有效防止碳化硅块破碎时发生入料口进入异物的状况,提高了碳化硅生产用碳化硅块破碎装置的工作效率,提升了碳化硅生产用碳化硅块破碎装置的自动化程度,提高了碳化硅生产用碳化硅块破碎装置的使用体验。
  • 一种碳化硅生产破碎装置
  • [发明专利]一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路-CN202110754326.3在审
  • 罗景涛 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2021-07-05 - 2021-08-13 - G01R27/08
  • 本申请公开了一种GaN HEMT功率器件的动态电阻测试电路,包括陪测GaN HEMT功率器件、待测GaN HEMT功率器件和钳位电路;陪测GaN HEMT功率器件和待测GaN HEMT功率器件组成半桥结构,且陪测GaN HEMT功率器件做半桥结构的上桥,待测GaN HEMT功率器件做半桥结构的下桥;钳位电路的输入端与待测GaN HEMT功率器件的漏极和源极相连接。本方案可以清晰地表征GaN HEMT功率器件在实际使用过程中连续的动态电阻特性,从而能够定量评估GaN HEMT功率器件在实际应用中的动态电阻,准确地估算导通损耗,可以促进GaN HEMT功率器件的大规模量产化应用。
  • 一种ganhemt功率器件动态电阻测试电路
  • [发明专利]一种无金属化连线的半导体器件阵列-CN202011321039.5在审
  • 罗景涛;严可为 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2020-11-23 - 2021-02-26 - H01L27/092
  • 本发明公开了一种无金属化连线的半导体器件阵列,包括半导体器件电路板、半导体基础器件本体和基础器件电极,所述半导体器件电路板表面设置有若干个半导体基础器件本体,所述半导体基础器件本体表面设置有若干个基础器件电极;所述半导体器件电路板包含百千万乃至上亿、或更多的半导体基础器件本体;该发明配置了高端设备的工厂专门生产基础器件的阵列,而由设备配置略低的工厂来完成电路的连线,对集成电路的功能进行定义,可以分别进行适合于特定工业制造环境的产能优化,对于基础器件阵列的后续加工,由于基础器件阵列及各器件的电极,都是规则地排列在格点位置,因此也相应地带来集成电路设计方法上的简化。
  • 一种金属化连线半导体器件阵列
  • [发明专利]一种堆叠键合式IGBT器件-CN202011321046.5在审
  • 罗景涛;严可为 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2020-11-23 - 2021-02-26 - H01L23/31
  • 本发明提供了一种堆叠键合式IGBT器件,包括MOS结构芯片、衬底晶圆片和台面钝化保护层;MOS结构芯片键合于衬底晶圆片的上方,台面钝化保护层位于衬底晶圆片的上表面和MOS结构芯片的两端及其上表面的两侧,MOS结构芯片的宽度小于所述衬底晶圆片的宽度。本发明采用堆叠‑键合技术制作的IGBT器件,因为不存在“薄片‑背面加工”的步骤,避免了难度很大且成本很高的薄片工艺、背加工工艺;能够显著压缩制造成本,同时针对台面结构进行了钝化和保护,连同器件原有的终端等保护结构在一起,充分提供了对于器件性能的保障。
  • 一种堆叠合式igbt器件
  • [发明专利]一种IGBT器件背面保护环结构-CN202011178851.7在审
  • 罗景涛;严可为 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2020-10-29 - 2020-12-25 - H01L29/739
  • 本发明公开了一种IGBT器件背面保护环结构,包括划片道和漂移区,所述划片道内侧设有终端保护结构,终端保护结构内部分别设有N型短路区和P型集电区,漂移区顶部两侧分别设有第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端,第一P型掺杂保护终端和第二P型掺杂保护终端中间分别设有P型掺杂集电区和N型掺杂逆导短路区。本IGBT器件背面保护环结构,在不增加器件制作成本的前提下,将原来制作于IGBT器件正面的保护性器件结构,即保护环或终端,转移到器件的背面去实现,非常有效和综合地利用了半导体芯片的正反两面,能够在同等面积情况下,达到具有更大的器件导通电流,电特性表现上增强,扩大了发射区面积的效果。
  • 一种igbt器件背面保护环结构
  • [发明专利]一种采用热相变材料进行均流的半导体功率器件-CN201810728651.0有效
  • 罗景涛;严可为 - 西安众力为半导体科技有限公司
  • 2018-07-05 - 2020-03-31 - H01L23/49
  • 本发明公开了一种采用热相变材料进行均流的半导体功率器件,包括第一电极、第二电极、下表面电极和器件主体,其中器件主体包括多个器件单胞,所述器件单胞一端设有触发极和阴极,另一端设有阳极,所述多个器件单胞的触发极分别与第一电极连接,其中多个器件单胞的阴极分别与第二电极连接,其中多个器件单胞的阳极分别与下表面电极连接,所述一部分器件单胞的阴极与第二电极通过金属引线连接,另一部分器件单胞的阴极与第二电极通过第一引线连接,所述下表面电极分为两部分金属电极,其中两部分金属电极通过第二引线连接,所述第一引线和/或第二引线为热相变材料引线。
  • 一种采用相变材料进行半导体功率器件

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