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- [发明专利]碳化硅器件的制造方法-CN202210282247.1在审
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范让萱;缪进征;王鹏飞
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苏州东微半导体股份有限公司
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2022-03-21
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2023-09-29
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H01L21/28
- 本发明实施例提供的一种碳化硅器件的制造方法,包括:在n型碳化硅层上形成硬掩膜层,通过光刻工艺定义出栅沟槽的位置,然后对硬掩膜层进行刻蚀并以剩余的硬掩膜层为掩膜,通过各向异性刻蚀和各向同性刻蚀相结合的方法在n型碳化硅层内形成栅沟槽;进行垂直的p型离子注入和倾斜的p型离子注入,在n型碳化硅层内形成p+区域,p+区域位于栅沟槽的一侧并从栅沟槽的侧壁位置处延伸至栅沟槽的底部;在栅沟槽的表面形成栅介质层,然后淀积一层导电层并回刻,在栅沟槽的侧壁处形成栅极。本发明使用刻蚀形成栅沟槽的硬掩膜层来实现p+区域的自对准离子注入和栅极的自对准刻蚀,可大幅精简制造工艺,降低制造成本。
- 碳化硅器件制造方法
- [发明专利]IGBT结构-CN201910014517.9有效
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蒋章;刘须电;缪进征
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2019-01-08
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2022-06-21
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H01L29/739
- 本发明公开了一种IGBT结构,包括集电极上形成有缓冲层,缓冲层上形成有漂移区,漂移区上形成有体区,并列间隔排布的第一沟槽和第二沟槽设置在漂移区和体区中,第一沟槽左侧和第二沟槽右侧的体区中形成有发射极,层间介质设置在第一沟槽和第二沟槽上的金属电极中,第一沟槽和第二沟槽内壁形成有栅氧化层,第一沟槽左侧内壁的栅氧化层上形成有多晶硅栅,第一沟槽内其余部分形成有栅极集电极电容介质,第二沟槽右侧内壁的栅氧化层上形成有多晶硅栅,第二沟槽内其余部分形成有栅极集电极电容介质。与现有技术相比本发明能降IGBT结构的低米勒电容。
- igbt结构
- [发明专利]沟槽MOSFET及其制造方法-CN201610374766.5有效
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范让萱;缪进征
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2016-05-31
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2019-06-11
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H01L21/336
- 本发明公开了一种沟槽MOSFET,多晶硅栅的顶部表面和定义沟槽的硬质掩模层顶部表面相平且在硬质掩模层去除后形成多晶硅栅顶部凸出结构;第一介质层淀积和回刻后在电流流动区的多晶硅栅的顶部凸出部分的两侧形成第一介质层侧墙,栅极引起区的多晶硅栅顶部的第一介质层被去除;以第一介质层回刻后的图形为自对准条件进行硅回刻并在硅回刻区域填充有金属硅化物接触层;各多晶硅栅通过顶部金属硅化物接触层形成互连能降低栅极电阻,源区和多晶硅栅的金属硅化物接触层之间通过侧墙自对准隔离结构能够降低栅源漏电,金属硅化物接触层的形成区域由第一介质层自对准定义,能够减小沟槽的步进。本发明还公开了一种沟槽MOSFET的制造方法。
- 沟槽mosfet及其制造方法
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