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[发明专利]一种薄晶圆散热片及其制作工艺-CN202010478956.8有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄晶圆散热片及其制作工艺，属于晶片生产技术领域，包括以下步骤：S1：在完成晶圆正面工艺之后，使用粘合剂将晶圆正面与玻璃载板键合；S2：在晶圆背面进行研磨和刻蚀；S3：涂布光阻剂，进行黄光工艺和离子注入工艺；S4：生成附着层和阻挡层；S5：在阻挡层上生成铜种子层；S6：进行黄光工艺，显影生成掩膜板图案；S7：进行电化学电镀工艺，在铜种子层上电镀上厚铜膜；S8：去除光阻层；S9：刻去除晶粒间切割道上的铜、镍、钛的金属层；S10：蚀刻晶粒间的切割道；S11：清洗残留物及聚合物；S12：附着在蓝膜框架上；S13：将玻璃载板从晶圆上移除；S14：清洗粘合剂；本方案解决了现有技术中无法在薄晶圆上布置足够厚度的散热片的问题。
一种薄晶圆散热片及其制作工艺

[发明专利]一种用于晶圆加工的玻璃载板-CN202010148395.5有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于晶圆加工的玻璃载板，属于晶圆加工领域。一种用于晶圆加工的玻璃载板，所述玻璃载板一端面上形成环形保护玻璃，其中，玻璃载板的最薄处厚度为20～200微米。本申请的玻璃载板具有薄化区域，在方便载取晶圆的同时，更利于光学定位，并且在薄化区域开设窗口后，可进行晶圆的双面加工。
一种用于加工玻璃

[发明专利]一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺-CN202011120980.0有效
发明人：严立巍;符德荣;文锺 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆双面加工工艺，使用飞秒激光扫描玻璃载板的一端面，解构所述玻璃载板的一端面形成多条沟槽，每个所述沟槽围成封闭区域，多个所述封闭区域同心布置；将所述玻璃载板的另一端面与晶圆的一端面键合，并对晶圆的另一端面进行减薄；蚀刻去除所述封闭区域部分的玻璃载板，通过镭射将所述封闭区域的玻璃载板与所述晶圆解键合；使用氧电浆清洗所述封闭区域内的键合剂；进行晶圆的双面工艺；将所述晶圆的一端面固定在切割模框上，切割所述晶圆。
一种玻璃双面加工工艺

[发明专利]一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺-CN202011119885.9有效
发明人：严立巍;符德荣;文锺 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆厚膜金属层、PAD金属图案的制作工艺，包括以下步骤：S1、将晶圆正面键合玻璃载板，晶圆背面减薄，并进行微影工艺及离子注入等工艺；S2、对玻璃载板进行开窗；S3、在玻璃载板的窗口处进行晶圆正面的厚膜金属连线及PAD光刻及蚀刻的加工；S4、玻璃载板解键合，清洗移除黏着层；S5、切割切断超薄晶圆及切割道上残留的金属，完成制作晶圆的厚膜金属连线、PAD金属图案。本发明以镭射及蚀刻结合在玻璃载板上加工开窗，可在最薄厚度为30‑35um的晶圆上制作5‑25um厚的金属连线、PAD金属图案。
一种晶圆厚膜金属 pad 图案制作工艺

[发明专利]一种用于基板的电镀装置及电镀方法-CN202111412286.0有效
发明人：严立巍;符德荣;李景贤 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C25D17/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于基板的电镀装置及电镀方法，电镀装置用于进行基板的电镀，电镀装置具有盛放电解液的电镀腔，待电镀基板置于电镀腔的电解液中并与电源正极连接，待电镀基板的至少一侧具有连接电源负极的阳极板，阳极板与待电镀基板之间具有绝缘板，绝缘板上具有多个通孔。在对基板进行电镀时，绝缘板在电解液中摆动，电镀离子穿过通孔流向基板，并电镀至基板表面。根据本发明提出的用于基板的电镀装置及电镀方法，可以在基板表面产生从整体到局部均处于均匀状态的电场分布，并最终提高基板表面的电镀质量。
一种用于电镀装置方法

[发明专利]一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法-CN202110203793.7有效
发明人：符德荣;严立巍;陈政勋;文锺;李景贤 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造领域，公开一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工的方法，包括以下步骤：S1、将化合物半导体基板永久键合在硅基载板上，完成正面的晶圆制程；S2、采用有机薄膜填充化合物半导体基板空隙，然后将化合物半导体基板正面暂时键合玻璃载板；S3、通过机械研磨硅基载板至键结层前，再通过蚀刻完全除去硅基载板并对化合物半导体基板减薄；S4、完成背面晶圆制程后解键合，移除玻璃载板，清洗去除黏着层，完成化合物半导体元件。本发明运用将小尺寸化合物半导体基板永久性键合于硅基载板上，实现了利用现行的主力尺寸硅片的生产线量产化合物半导体元件，可以一次进行多片化合物半导体晶圆的制造，提高了化合物半导体晶圆的产线效益。
一种利用有机薄膜进行化合物半导体加工方法

[发明专利]一种中央部分去除的玻璃载板-CN202010148379.6有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开一种中央部分去除的玻璃载板，所述玻璃载板中央部分去除后形成凹面，去除的方法包括腐蚀或减料加工，凹面外侧端形成边缘保护环。所述玻璃载板侧端设置有晶圆，玻璃载板和晶圆之间设置有键合层。本发明在玻璃载板和晶圆之间设置有键合层，玻璃载板和晶圆之间通过键合层键合固定连接，固定牢固；同时，本发明能一次同时进行正面及背面的工艺，以节省数小时的工艺时间，一个边缘保护环玻璃载板可支撑传送晶片，中央去除的玻璃载板结构，使得晶圆的双面都可接触电镀化学液，即可以一次同时进行正面及背面的金属沉积工艺，提高了工作效率。
一种中央部分去除玻璃

[发明专利]一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺-CN202010708050.0有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，属于晶圆加工领域。一种晶圆的铜柱与厚膜镀铜结构的制造工艺，包括以下步骤：在所述晶圆的正面完成PAD布线，并在PAD布线层上形成铜种子层；研磨所述晶圆的正面，通过研磨或蚀刻减薄所述晶圆的背面的中部，在所述晶圆的背面涂布第一聚酰亚胺涂层；对所述晶圆的正面进行涂布光阻、曝光与显影，在所述晶圆的正面形成需要布置铜柱的区域；在所述区域上镀铜，形成铜柱。在所述晶圆的正面涂布聚酰亚胺涂层；通过金属蒸镀或金属溅镀形成所述晶圆背面的金属镀膜。与现有技术相比，本申请的制造工艺能形成更好的应力缓冲，且晶圆的正反面皆可焊接或打线连接封装散热片。
一种镀铜结构制造工艺

[发明专利]一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺-CN202010647469.X有效
发明人：严立巍;陈政勋;李景贤 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明属于超薄晶圆加工领域，公开一种键合玻璃载板的超薄晶圆背面及双面加工工艺，包括以下步骤：S1、对晶圆的背面进行研磨；S2、使晶圆的背面形成缓坡或阶梯分布的区域；S3、对晶圆的背面进行黄光与离子注入工艺，并进行解键合；S4、对晶圆进行热处理工艺，对晶圆进行镀金属工艺；S5、对晶圆的背面进行涂布光阻；S6、将晶圆的正面附着在切割膜板上；S7、蚀刻切割道上的Si；S8、对晶圆的背面的光阻进行除去；形成厚度为40‑120um的晶圆，同时晶圆周边有足够的厚的区域可作为机械传送或固定，甚至低速旋转的操作，晶圆由于边缘是缓坡状的厚度渐进分布，因此做旋转涂布时，仍可在不同厚度区域达成均匀分布，使得晶圆可进行双面工艺。
一种玻璃超薄背面双面加工工艺

[发明专利]一种三层阶梯状沟槽晶体管的制造工艺-CN202010470438.1有效
发明人：严立巍;陈政勋;李景贤 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开一种三层阶梯状沟槽晶体管的制造工艺，包括以下步骤：在硅片基板上蚀刻出第一沟槽；将硅片基板置于氧化炉管中进行氧化操作，并在第一沟槽的内侧壁生成氧化硅保护层；以化学气相沉积工艺，在第一沟槽的氧化硅保护层上沉积形成氮化硅薄膜层；以含氟气体进行电浆化处理，形成侧壁；随后在第一沟槽的底部向下继续蚀刻硅片基板的Si层，形成第二沟槽；以O2电浆工艺，去除位于第一沟槽底部的氮化硅薄膜层，形成双沟槽结构。多沟槽设计结构在同样封装体积取得更大的晶体管面积，使得多沟槽的静态电流通过以及承载高电压能力均得以增加，其极大化有效的电晶体面积能够提升2‑4倍。
一种三层阶梯沟槽晶体管制造工艺

[发明专利]一种晶圆的切割方法-CN202010166331.8有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆的切割方法，切割方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、减薄、粘合剂去除、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过正面切割、一次固定、减薄、粘合剂去除、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行两次切割获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，实现对晶圆进行两次切割获得晶粒减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本。
一种切割方法

[发明专利]一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法-CN202010166910.2有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种正面切割两次减薄的晶粒生产方法，生产方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、一次减薄、中间工艺、二次减薄、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过切割、一次固定、一次减薄、中间工艺、二次减薄、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实实现对晶圆进行正面切割两次减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，取代传统的切割前完成背面黄光、离子注入、金属沉积工艺，有利于控制晶粒的生产成本。
一种正面切割两次晶粒生产方法

[发明专利]一种利用氮化硅隔离层生成多阶梯状沟槽晶体管的工艺-CN202010182607.1有效
发明人：严立巍;陈政勋;李景贤 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种利用氮化硅隔离层生成多阶梯状沟槽晶体管的工艺，包括以下步骤：S1、在硅片基板上蚀刻出第一沟槽；S2、将初加工晶体管置于氧化炉管中进行氧化操作，并在第一沟槽的内侧壁生成氧化硅保护层；S3、以化学气相沉积工艺，在第一沟槽的氧化硅保护层上沉积形成氮化硅薄膜层；S4、以含氟气体进行电浆化处理，形成侧壁；S5、随后在第一沟槽的底部向下继续蚀刻硅片基板的Si层，形成第二沟槽；S6、以O2电浆工艺，去除位于第一沟槽底部的氮化硅薄膜层，形成双沟槽结构。多沟槽设计结构在同样封装体积取得更大的晶体管面积，使得多沟槽的静态电流通过以及承载高电压能力均得以增加，其极大化有效的电晶体面积能够提升3倍。
一种利用氮化隔离生成阶梯沟槽晶体管工艺

[发明专利]一种正面切割背面减薄的生产方法-CN202010166304.0有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-11 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种正面切割背面减薄的生产方法，生产方法包括以下步骤：正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗。本发明通过正面切割、一次固定、减薄、中间工艺、粘合剂去除、金属沉积工艺、二次固定、脱离玻璃载板和溶剂清洗实现对晶圆进行先切割后减薄获得晶粒，取代传统的一次性切割的方式，减少切割对晶粒的损坏，减少切割对晶粒的损坏，提高晶粒的成品合格率，缩短了单个合格晶粒的切割时间，有利于控制晶粒的生产成本。
一种正面切割背面生产方法

[发明专利]一种晶圆背面切割后金属沉积工艺-CN202010148393.6有效
发明人：严立巍;李景贤;陈政勋 -专利权人： 绍兴同芯成集成电路有限公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆背面切割后金属沉积工艺,金属沉积工艺包括以下步骤：一次金属沉积、键合、减薄、光阻涂布、切割、粘合剂去除、二次金属沉积、固定、解键合、清理。本发明金属沉积工艺通过先切割，在粘合剂上形成第一凹槽，在金属沉积时，晶粒之间的金属落入第一凹槽内，使得金属不会对相邻的两个晶粒形成粘连，取代了传统的先金属沉积后切割的工艺流程，避免了切割时相邻的晶粒被金属粘连，导致晶圆崩裂，提高晶粒的成品率，降低晶粒的生产成本。
一种背面切割金属沉积工艺

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