“索尼半导体解决方案公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2235个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置、制造半导体装置的方法和固态摄像元件-CN201780075272.X有效
发明人：重岁卓志 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：为了抑制由于充电损伤导致的晶体管特性的变化，以减少为避免充电损伤所需的设计限制，并提高增加半导体集成度的设计的自由度。半导体装置包括：垂直电极，其形成在垂直孔中，所述垂直孔从开口部分沿基座的厚度方向向待连接部分延伸，且具有阻挡金属膜和导电材料从靠近暴露于垂直孔的绝缘膜的一侧依次堆叠的结构；以及低电阻膜，其被设置为位于除了待连接部分附近之外的阻挡金属膜与第一绝缘膜之间，且具有比绝缘膜的电阻值低的电阻值。
半导体装置制造方法固态摄像元件

[发明专利]算术处理设备和信息处理系统-CN201780084135.2有效
发明人：冈田隆宏;弓场廷昭;上岛淳;土田真一;松本显 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：在本发明中，对执行后状态执行调试，其中已经执行了从处理器集体发出到计算处理装置的多个命令中的每一个。命令寄存器组在每个寄存器中保留已经从处理器以包括多个命令的命令序列为单位发出的命令。命令处理单元处理从命令寄存器组提供的命令。状态机管理命令处理单元中的命令的处理状态。控制单元将在命令序列中用于执行暂停的条件预设为暂停条件，并且基于预设的暂停条件和在状态机中管理的处理状态，暂停命令处理单元中的进程。
算术处理设备信息处理系统

[发明专利]控制电路、半导体存储器设备、信息处理设备和控制方法-CN201880014812.8有效
发明人：手塚宙之 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：[问题]提供一种能够在抑制功耗增加或成本增加的同时可靠地产生参考电位的控制电路。[解决方案]该控制电路执行控制，使得对第一参考元件和第二元件单独执行写入，其中，当产生将用于读取来自存储器元件的数据的参考电位时，第一参考元件被设置为第一电阻状态，并且第二参考元件与第一参考元件不同，且当产生参考电位时，第二参考元件被设置为与第一电阻状态不同的第二电阻状态。
控制电路半导体存储器设备信息处理控制方法

[发明专利]信号处理装置、信号处理方法和程序-CN201880038092.9有效
发明人：金子达也;本桥裕一 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04L9/16 文献下载
摘要：本发本技术涉及能够在确保安全的同时降低处理负荷的信号处理装置、信号处理方法和程序。信号处理装置包括：控制单元，其配置为获取表示输出数据中要加密的指定部分的指定信息，和加密处理单元，其配置为使用密钥对由该输出数据中的该指定信息表示的指定部分进行加密。此外，由该指定信息表示的指定部分随时间改变。本技术可以应用于车载照相机。
信号处理装置方法程序

[发明专利]像素级背景光减法-CN201880056610.X有效
发明人：半泽克彦;金苏克·康;塞尔库科·森 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01S7/487 文献下载
摘要：公开一种像素电路，用于执行像素级背景光减法的方法以及成像装置。像素电路300包括溢出栅晶体管304，光电二极管302以及两个抽头310、312。两个抽头中的每个抽头被配置为存储由光电二极管积分的背景信号，从浮置扩散中减去背景信号，存储由光电二极管在浮置扩散处积分的组合信号，并基于从浮置扩散中减去背景信号以及在浮置扩散中积分的组合信号的存储，生成解调信号。优选地，像素电路300进一步包括第一公共节点303，第二公共节点305，CMR晶体管306和公共电源电压308。溢出栅晶体管304在第一公共节点303处连接至光电二极管302，并且与传输栅的正常读出路径无关地全局地复位光电二极管302。由于第一抽头310和第二抽头312共享光电二极管302，因此在像素电路300中仅使用单个溢出栅晶体管。光电二极管302接收解调光350和背景光352。在各个时间段的过程中，光电二极管302将基于解调光350和背景光352的电荷提供至两个注入电容器326和344以及两个浮置扩散电容器322和340以进行存储和积分。具体地，两个注入电容器326和344用于存储来自光电二极管302的电荷，当发射调制光的光源关闭时，该电荷基于背景光352的背景信号积分。在减去背景信号期间，当两个注入开关324和342导通时，由两个注入电容器326和344存储的电荷通过串联电路连接被注入到相应的两个浮置扩散电容器322和340中。通过交替地导通和截止两个浮置扩散晶体管323和341，两个浮置扩散节点325和343以彼此相反的相位积分组合信号。
像素背景减法

[发明专利]通信系统与通信方法-CN201980008586.7有效
发明人：林宏暁;城下宽司;菅野纯谱;下村幸雄 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04L25/02 文献下载
摘要：根据本公开的一个实施方式的通信系统经由一对信号线将数据从多个发送装置发送至一个接收装置。在该通信系统中，每个发送装置包括：模式控制单元，控制发送模式；发送数据生成单元，根据发送模式生成数据；以及数据发送单元，将所生成的数据发送至接收装置。当第一发送装置的发送模式是HS模式时，第二发送装置中的模式控制单元使得第二发送装置的发送模式成为其中使第二发送装置的输出端终止的终止模式。
通信系统方法

[发明专利]光检测装置-CN202211344606.8有效
发明人：朝妻智彦;中村良助;饭田聡子;冲田晃史 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04N25/57 文献下载
摘要：本发明涉及光检测装置。光检测装置包括：在横截面图中被布置在基板中的第一、第二和第三光电转换区域，第二、第三光电转换区域分别与第一光电转换区域相邻；第一沟槽，在横截面图中被布置在第一与第二光电转换区域之间；第二沟槽，在横截面图中被布置在第一与第三光电转换区域之间；第一遮光膜，在横截面图中被布置在第一沟槽上方；和第二遮光膜，在横截面图中被布置在第二沟槽上方；在横截面图中，第一光电转换区域的面积大于第二光电转换区域的面积，且大于第三光电转换区域的面积，第一遮光膜的中心部分在第一光电转换区域的中心部分与第一沟槽的中心部分之间，且第二遮光膜的中心部分在第一光电转换区域的中心部分与第二沟槽的中心部分之间。
检测装置

[发明专利]摄像元件和相机-CN202211460563.X有效
发明人：西祥生;深川博信;加藤英明;佐藤秋光 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04N25/704 文献下载
摘要：本发明能够简化相位差像素的片上透镜的形成步骤。该摄像元件设置有像素阵列单元、单个片上透镜、共同片上透镜和相邻片上透镜。在像素阵列单元中，以二维方式布置有像素、多个相位差像素和相位差像素相邻像素，所述像素根据入射光执行光电转换，所述多个相位差像素是相邻地布置且检测相位差的像素，所述相位差像素相邻像素是与相位差像素相邻的像素。单个片上透镜布置在各个像素中，并且将入射光单独会聚到像素上。共同片上透镜共同布置到多个相位差像素，并且将入射光共同会聚。相邻片上透镜布置在各个相位差像素相邻像素中，将入射光单独会聚到相位差像素相邻像素上，并且被构造成尺寸不同于单个片上透镜以调节共同片上透镜的形状。
摄像元件相机

[发明专利]摄像装置-CN202211464222.X有效
发明人：千叶政善;渡边慎一 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04N25/709 文献下载
摘要：本公开涉及一种摄像装置，该摄像装置包括：包括第一晶体管和第二晶体管的差分对，第一晶体管设置成从像素接收像素信号，第二晶体管设置成从参考信号输出单元接收参考信号；电流镜，电连接至第一电源；电压降机构，电连接在电流镜和差分对之间；开关，并联连接至电压降机构；电流源，电连接至差分对；其中，所述电流源包括第三晶体管、第四晶体管和电容器，第三晶体管电连接至第一晶体管和第二晶体管，第四晶体管电连接至第三晶体管和电压比第一电源的电压低的第二电源，电容电连接至第四晶体管的栅极和第二电源。本技术例如能够应用于拍摄图像的图像传感器。
摄像装置

[发明专利]固体摄像器件和摄像装置-CN202310531452.1在审
发明人：丸山俊介;稲田喜昭 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H04N25/46 文献下载
摘要：一种固体摄像器件包括：光电转换膜，其具有彼此相对的第一表面和第二表面并且被设置成由多个像素共有，其中多个像素包括第一像素和第二像素；第一电极，其设置在光电转换膜的第一表面侧以与光电转换膜电气连接，并且第一电极是针对每个像素单独设置的；第二电极，其设置在光电转换膜的第二表面侧；像素电路，其是针对每个像素单独设置的并且包括第一电荷累积部和电位生成器，第一电荷累积部连接到各个像素的第一电极并且累积在光电转换膜中生成的且经由第一电极移动的信号电荷的，其中，在连接到第一像素的第一电极的像素电路的第一电荷累积部中累积信号电荷的时段期间，连接到第二像素的第一电极的像素电路的电位生成器将电位VPD施加到第二像素的第一电极，使得第二像素的第一电极与第二电极之间的电位差小于第一像素的第一电极与第二电极之间的电位差。
固体摄像器件装置

[发明专利]信息处理方法、信息处理装置和非易失性存储介质-CN202280010412.6在审
发明人：土井宏真;中川贵晶;王光宇 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G06F3/01 文献下载
摘要：信息处理方法包括片段提取处理和调整处理。片段提取处理从相机(20)的影像中提取对应于与效果相关联的标签的片段。调整处理根据使用包含加速度数据的信息检测到的相机(20)的姿势的变化来调整效果的应用位置，以使得效果的应用位置不偏离提取的片段。
信息处理方法装置非易失性存储介质

[发明专利]半导体设备-CN202180072735.3在审
发明人：寺田晴彦;曾国权 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：根据本公开的实施方式的半导体设备包括：第一存储器单元层，包括在第一方向上延伸的第一选择线、在第二方向上延伸的第二选择线，以及耦接至第一选择线和第二选择线的第一存储器单元；第二存储器单元层，被设置在所述第一存储器单元层之上，并且包括在第一方向上延伸的第三选择线、在第二方向上延伸的第四选择线，以及耦接至第三选择线和第四选择线的第二存储器单元；以及第一布线层，设置在第一存储器单元层和第二存储器单元层之间并且包括第一金属布线。
半导体设备

[发明专利]摄像元件和摄像装置-CN202180089457.2在审
发明人：三宅慎一;富田一行;丹羽笃亲 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本技术涉及能够促进像素小型化的摄像元件和摄像装置。第一基板和第二基板层叠，所述第一基板包括多个检测像素，所述检测像素生成与光电流的对数值对应的电压信号，所述第二基板包括检测电路，所述检测电路检测所述多个检测像素中由输入的选择信号指示的检测像素的电压信号的变化量是否超过预定阈值，并且分别在所述第二基板的背面侧的第一区域和表面侧的第二区域中设置有构成所述检测电路的元件。本技术能够应用于例如针对每个像素检测地址事件的摄像元件。
摄像元件装置

[发明专利]光检测元件和光检测装置-CN202310512225.4在审
发明人：广濑遥平;八木岩;平田晋太郎;茂木英昭;坂东雅史;榎修 -专利权人：索尼公司;索尼半导体解决方案公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K30/60 文献下载
摘要：本发明涉及光检测元件和光检测装置。其中，光检测元件可包括：第一电极；第二电极，其与所述第一电极相对；以及光电转换层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述光电转换层包括激子产生层和激子离解层，所述激子产生层包括第一半导体材料和第二半导体材料，所述激子离解层包括第三半导体材料，并且其中，所述第一半导体材料的LUMO能级等于所述第二半导体材料的LUMO能级，或者所述第一半导体材料的HOMO能级等于所述第二半导体材料的HOMO能级。
检测元件装置

[发明专利]根据飞行时间测量和光斑图案测量的三维图像捕获-CN202280010660.0在审
发明人：佩佩·吉尔·卡绍;塞巴斯蒂安·卢沃 -专利权人： 索尼半导体解决方案公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G01S17/894 文献下载
摘要：一种电子设备，包括被配置为对根据间接飞行时间原理获得的第一相位延迟消除歧义以获得第二相位延迟的电路，其中，该电路被配置为基于捕获的光斑位置对该第一相位延迟消除歧义。
根据飞行时间测量光斑图案三维图像捕获