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[发明专利]电池片内置二极管结构及其制造工艺、太阳能组件-CN201710888026.8有效
发明人：韩·瑞津;彭·詹姆斯宇;赖海波 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：一种电池片内置二极管结构及其制造工艺、太阳能组件，其中电池片内置二极管结构包括：第一类型掺杂的衬底，所述衬底包括电池区域和二极管区域,所述电池区域围绕所述二极管区域设置，所述电池区域和二极管区域之间设置有绝缘结构；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第一类型掺杂层；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第二类型掺杂层；位于所述电池区域表面的第二类型掺杂层。所述电池片自带旁路二极管，能够提高由该太阳能电池板构成的太阳能组件的发电效率。
电池内置二极管结构及其制造工艺太阳能组件

[实用新型]一种通用型分裂栅沟槽型MOSFET器件-CN202222665445.4有效
发明人：朱开兴;陈煊 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子元件技术领域，尤其为一种通用型分裂栅沟槽型MOSFET器件，包括上防护壳、下防护壳与金氧半场效晶体管本体，所述金氧半场效晶体管本体左右两端均固定连接有固定引脚，所述固定引脚穿过下防护壳左右两端上侧内，所述固定引脚底端滑动连接有延伸引脚，所述延伸引脚上端固定连接有限位滑块，所述限位滑块滑动连接在限位滑槽内，所述限位滑槽开设在固定引脚底侧内，所述固定引脚底端套接有限位套，且限位套与固定引脚固定连接，所述限位套内滑动连接有延伸引脚，本实用新型使得在需要对金氧半场效晶体管本体进行组装时，可以快速对其进行延伸引脚，从而能够适应不同的情况，增加装置的通用性。
一种通用型分裂沟槽 mosfet 器件

[实用新型]一种沟槽型二极管器件加工用性能检测装置-CN202222510774.1有效
发明人：朱开兴;陈煊;丘荣贵 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及沟槽型二极管器件加工检测领域，尤其为一种沟槽型二极管器件加工用性能检测装置，包括底座，所述底座的顶端固定连接有检测平台，所述检测平台的顶端内部设有检测夹持平台结构；所述检测夹持平台结构包括支撑板，所述支撑板的底端固定连接有竖板，所述竖板的底端设有伸缩支架，且伸缩支架与检测平台固定连接，所述伸缩支架贯穿竖板，且伸缩支架与竖板滑动连接，本实用新型中，通过设置的竖板、侧夹板、齿轮轴、立轴、弹簧和压板，下压放置的二极管器件可以直接控制两侧的侧夹板与压板形成压紧定位结构，稳定的压紧二极管器件，检测过程中，有利于沟槽型二极管器件的稳定检测。
一种沟槽二极管器件工用性能检测装置

[实用新型]一种电池片内置二极管结构焊接装置-CN202222414716.9有效
发明人：赖海波;陈煊;丘荣贵 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池片技术领域，尤其为一种电池片内置二极管结构焊接装置，包括工作台，所述工作台的顶端内侧滑动连接有卡块，所述卡块的顶端内侧转动连接有第二螺旋杆，所述第二螺旋杆与安装板螺旋连接，所述安装板的内侧滑动连接有限位杆，且限位杆与卡块固定连接，所述安装板的内侧固定连接有激光二极管，所述激光二极管位于聚焦透镜的顶侧，本实用新型中可以保证电池片内置二极管结构主栅线和焊带气体保护焊接的可靠进行，避免保护气吹出而焊接利用后的气体稀释保护气，同时焊接产生异味气体污染车间环境，解决保护气利用后及时回收的问题，保证保护气处于充盈高浓度状态而保证电池片二极管结构的可靠焊接。
一种电池内置二极管结构焊接装置

[实用新型]一种太阳能电池片安装用放置正片装置-CN202222627951.4有效
发明人：赖海波;朱开兴;陈煊 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B25B11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及太阳能电池片安装技术领域，尤其为一种太阳能电池片安装用放置正片装置，包括正片架、固定块与挡板，所述正片架贴合在太阳能板本体上端，所述正片架底侧内滑动连接有挡板，所述挡板上端设置有正片槽，所述正片槽开设在正片架内侧，所述正片槽内设置有电池片，所述挡板前后两端均固定连接有限位滑条，所述限位滑条滑动在正片架底侧内，所述挡板左端内侧固定连接有铁片，所述铁片磁吸连接在磁铁右侧，所述磁铁固定连接在正片架左端底侧内，本实用新型使得方便在对电池片进行安装时，可以对其进行正片放置，提高在对电池片安装时的效率，同时还能避免出现电池片安装歪斜的问题。
一种太阳能电池安装放置正片装置

[实用新型]一种半导体器件组装加工可旋转的定位装置-CN202222329694.6有效
发明人：赖海波;陈煊;丘荣贵 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，尤其为一种半导体器件组装加工可旋转的定位装置，包括机身、定位板和定位架，所述机身与定位板转动连接，所述定位板底端滑动连接有托架，所述托架与机身固定连接，所述托架内侧底端固定连接有电机，所述电机的主轴贯穿托架，所述电机的主轴末端固定连接有连接盘，所述连接盘与定位板固定连接，所述连接盘左右两端均设有连接块，所述连接块与托架滑动连接，所述连接块远离机身中心的一端外侧滑动连接有挡杆，通过设置的定位板、托架、连接板、限位杆、限位板和第一弹簧，在使用时，能够根据实际情况改变定位板的转动范围，使定位板上的半导体可以调节到一定的角度，方便半导体器件的组装和加工。
一种半导体器件组装加工旋转定位装置

[实用新型]半导体器件及芯片-CN201920301065.8有效
发明人：赖海波;朱开兴;丘荣贵;赖思佳 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体器件及芯片，该器件包括：位于衬底内的终端沟槽栅结构和若干元胞沟槽栅结构；所述终端沟槽栅结构具有沿设定方向间隔排列的若干环形侧表面；若干所述元胞沟槽栅结构分别位于若干所述环形侧表面的内侧，且每一所述终端沟槽栅结构的环形侧表面与对应内侧的元胞沟槽栅结构的侧表面以恒定间距同心设置。本实用新型的技术方案解决了现有分裂栅沟槽型MOSFET的沟槽栅结构间距不能保持一致导致电参数一致性差的问题。
栅结构元胞沟槽终端沟槽半导体器件本实用新型芯片电参数一致性沟槽型MOSFET 恒定沟槽栅结构方案解决方向间隔同心设置侧表面分裂栅衬底

[发明专利]半导体器件及其形成方法、芯片-CN201910179350.1在审
发明人：赖海波;朱开兴;丘荣贵;赖思佳 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其形成方法、芯片，该器件包括：位于衬底内的终端沟槽栅结构和若干元胞沟槽栅结构；所述终端沟槽栅结构具有沿设定方向间隔排列的若干环形侧表面；若干所述元胞沟槽栅结构分别位于若干所述环形侧表面的内侧，且每一所述终端沟槽栅结构的环形侧表面与对应内侧的元胞沟槽栅结构的侧表面以恒定间距同心设置。本发明的技术方案解决了现有分裂栅沟槽型MOSFET的沟槽栅结构间距不能保持一致导致电参数一致性差的问题。
栅结构元胞沟槽终端沟槽半导体器件芯片电参数一致性沟槽型MOSFET 恒定沟槽栅结构方案解决方向间隔同心设置侧表面分裂栅衬底

[实用新型]沟槽型二极管器件-CN201821370886.9有效
发明人：赖海波;徐承福;朱开兴 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种沟槽型二极管器件，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电极层的宽度自元胞沟槽顶部向下逐渐减小。所述沟槽型二极管器件的导通电阻降低，提高击穿电压。
元胞沟槽沟槽型二极管电极层介质层衬底半导体本实用新型介质层表面导通电阻击穿电压阵列分布逐渐减小逐渐增大内壁覆盖

[发明专利]沟槽型二极管器件及其形成方法-CN201810971379.9在审
发明人：赖海波;徐承福;朱开兴 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽型二极管器件及其形成方法，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于半导体衬底内的阵列分布的元胞沟槽；覆盖所述元胞沟槽内壁的介质层，所述介质层的厚度自元胞沟槽顶部向下逐渐增大；位于所述介质层表面且填充满所述元胞沟槽的电极层，所述电极层的宽度自元胞沟槽顶部向下逐渐减小。所述沟槽型二极管器件的导通电阻降低，提高击穿电压。
元胞沟槽沟槽型二极管电极层介质层衬底半导体介质层表面导通电阻击穿电压阵列分布逐渐减小逐渐增大内壁覆盖

[实用新型]沟槽型二极管器件-CN201721894930.1有效
发明人：朱开兴;徐承福 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种沟槽型二极管器件，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的多个沟槽结构，包括：外围的终端沟槽结构以及位于所述终端沟槽结构内侧的阵列分布的元胞沟槽结构，相邻元胞沟槽结构之间的间距相等为第一间距，最外圈的各位置处的元胞沟槽结构与终端沟槽结构之间的间距相等为第二间距，所述第一间距与所述第二间距相等，所述沟槽结构包括沟槽、覆盖所述沟槽内壁的介质层以及位于所述介质层表面且填充满所述沟槽的多晶硅层；连接所述沟槽结构以及被所述终端沟槽结构包围的半导体衬底表面的金属层。所述沟槽型二极管的漏电均匀性较高。
沟槽型二极管沟槽结构终端沟槽间距相等元胞沟槽衬底半导体半导体衬底表面介质层表面多晶硅层沟槽内壁相邻元胞阵列分布漏电介质层金属层均匀性位置处最外圈外围包围覆盖

[发明专利]沟槽型二极管器件及其形成方法-CN201711477989.5在审
发明人：赖海波;朱开兴;钟圣荣 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种沟槽型二极管器件及其形成方法，所述沟槽型二极管器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的多个沟槽结构，包括：外围的终端沟槽结构以及位于所述终端沟槽结构内侧的阵列分布的元胞沟槽结构，相邻元胞沟槽结构之间的间距相等为第一间距，最外圈的各位置处的元胞沟槽结构与终端沟槽结构之间的间距相等为第二间距，所述第一间距与所述第二间距相等，所述沟槽结构包括沟槽、覆盖所述沟槽内壁的介质层以及位于所述介质层表面且填充满所述沟槽的多晶硅层；连接所述沟槽结构以及被所述终端沟槽结构包围的半导体衬底表面的金属层。所述沟槽型二极管的漏电均匀性较高。
沟槽型二极管沟槽结构终端沟槽间距相等元胞沟槽衬底半导体半导体衬底表面介质层表面多晶硅层沟槽内壁相邻元胞阵列分布漏电介质层金属层均匀性位置处最外圈外围包围覆盖

[实用新型]电池片内置二极管结构、太阳能组件-CN201721214304.3有效
发明人：韩·瑞津;彭·詹姆斯宇;赖海波 -专利权人： 福建龙夏电子科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2018-05-15 - 主分类号： H01L31/0443 文献下载
摘要：一种电池片内置二极管结构、太阳能组件，其中电池片内置二极管结构包括：第一类型掺杂的衬底，所述衬底包括电池区域和二极管区域,所述电池区域围绕所述二极管区域设置，所述电池区域和二极管区域之间设置有绝缘结构；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第一类型掺杂层；位于所述二极管区域的第二类型掺杂阱表面的第二类型掺杂层；位于所述电池区域表面的第二类型掺杂层。所述电池片自带旁路二极管，能够提高由该太阳能电池板构成的太阳能组件的发电效率。
电池内置二极管结构太阳能组件

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