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[发明专利]等离子体处理装置-CN200810005545.6有效
发明人：兴石公;广濑润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，其具有：可以设置成有真空气氛的处理容器；与在所述处理容器内配置在规定位置的被处理基板相对向而环状地配置的第一上部电极；在所述第一上部电极的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置的第二上部电极；向所述处理容器内提供处理气体的处理气体供给部；输出第一高频的第一高频电源；把来自所述第一高频电源的所述第一高频以第一功率值提供给所述第一上部电极的第一供电部；把来自所述第一高频电源的所述第一高频，从所述第一供电部分出，以比所述第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极的第二供电部，所述第一上部电极具有与所述第二上部电极的下面相比还向下方突出的突出部分。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置和方法-CN200380104292.3有效
发明人：兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种等离子体处理装置，包含可设定成具有真空气氛的处理容器(10)。与在处理容器(10)内配置的被处理基板(W)相对面地配置上部电极(36、38)。具有与上部电极(36)在周围方向上实质上连续连接的第一筒形导电部件(50)的供电部，将来自第一高频电源(52)的第一高频供给上部电极(36)。
等离子体处理装置方法

[发明专利]等离子体处理方法和装置-CN200380104294.2有效
发明人：兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种等离子体处理方法，向配置有被处理基板(W)的等离子体生成空间(10)内供给规定的处理气体、使所述处理气体等离子体化。而且，由等离子体对基板(W)实施规定的等离子体处理。这里，由与基板(W)相对向的对向部(34)，对基板(W)分别独立地控制等离子体的密度空间分布与等离子体中的自由基的密度空间分布，在基板(W)的整个被处理面上得到规定的处理状态。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理装置和方法以及等离子体处理装置的电极板-CN200380104293.8有效
发明人：兴石公;广瀬润;小笠原正宏;平野太一;佐佐木宽充;吉田哲雄;斋藤道茂;石原博之;大薮淳;沼田幸治 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-11-25 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明的等离子体处理装置包括可以设置成有真空气氛的处理容器(10)。第一上部电极(36)被配置成与配置在处理容器(10)内的被处理基板(W)相面对并成环状。在第一上部电极(36)的半径方向内侧以与其电绝缘状态配置第二上部电极(38)。第一供电部(50)把来自第一高频电源(52)的第一高频以第一功率值提供给第一上部电极(36)。从第一供电部(50)分出的第二供电部(76)把来自第一高频电源的所述第一高频，以比第一功率值小的第二功率值提供给所述第二上部电极(38)。
等离子体处理装置方法以及极板

[发明专利]等离子体处理装置及其隔板-CN03807528.8有效
发明人： 石原博之;荒木阳一;高桥俊树;久保卓也;伊藤淳;小野洋子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2003-03-28 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种可提高处理区域内的处理气体排气效率，和可以可靠抑制等离子体泄漏的等离子体处理装置。磁控管式平行平板等离子体处理装置(30)具有处理室容器(3)；处理室容器(3)包括：在其顶部有多个气体导入孔的上部电极(1)；在其下部有顶部带有载置作为被处理体的半导体晶片(W)的载置面的下部电极(2)；和在下部电极(2)的顶部位置上，将处理室容器(3)内部隔离成处理区域(8)和排气区域(9)的隔离板(50)。隔离板(50具有应将处理区域(8)内的处理气体排出至排气区域(9)的、连通处理区域(8)和排气区域(9)的多个气体通路孔(5a)；同时由非导电性部(5b)构成。在与气体通路孔(5a)相对的气体通路侧面(20b)上配置导电性部件(5c)。在导电性部件(5c)上，由电源(21)加电压(V)，使气体通路侧面(20b)的电位比处理区域面(20a)的电位高。
等离子体处理装置及其隔板

[发明专利]等离子体蚀刻方法及装置-CN02129896.3有效
发明人：濑川澄江;传宝一树;石原博之;永关一也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻方法，在上部电极21和下部电极5之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，通过该等离子体中的离子和中性粒子的电荷交换反应，使中性粒子电离化，入射至半导体晶片W，对该晶片进行蚀刻。此时，为了提高等离子体的均匀性，根据在上部电极周围设置的屏蔽环55的使用状态，改变作为上述稀释气体所使用的氦气和氩气的混合比来使用，使得过程控制容易、蚀刻率的面内均匀性优良。
等离子体蚀刻方法装置