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- [发明专利]抛光液循环再生装置-CN201310170201.1在审
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王坚;贾照伟;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-05-10
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2014-11-12
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C25F7/02
- 本发明公开了一种抛光液循环再生装置，包括：储存槽、电源、第一循环泵及脱气装置。储存槽储存抛光液，储存槽内设置有阳极板和阴极板。电源的阳极与阳极板电连接，电源的阴极与阴极板电连接。第一循环泵的进口与储存槽的底部连接，第一循环泵的出口与脱气装置的进液口连接，脱气装置的出液口与储存槽的顶部连接，脱气装置去除抛光液中的气泡。本发明通过设置脱气装置，能够去除抛光液中的气泡。电解时，即使加大电源的电流和电压输出，以提高铜离子的析出速率，也不会影响抛光液的再次使用，且该装置是循环运行，无需向外排放废液，既不会对环境造成污染，同时也节省了原材料，降低了工艺成本。
- 抛光循环再生装置
- [发明专利]芯片平坦化方法-CN201310167858.2在审
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-05-08
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2014-11-12
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B24B37/013
- 本发明公开了一种芯片平坦化方法，包括如下步骤：提供一硅衬底，硅衬底上形成有金属层，该金属层具有初始厚度；采用第一下压力及第一转台转速的化学机械研磨工艺将金属层从初始厚度研磨至第一目标厚度；以及采用第二下压力及第二转台转速的化学机械研磨工艺将金属层从第一目标厚度研磨至第二目标厚度，其中，第二下压力小于第一下压力，第二转台转速与第一转台转速相同。本发明通过先采用大的下压力高转速研磨金属层，然后再采用小的下压力相同的转速研磨金属层，既能够提高硅衬底表面全局平坦化，也能够提高芯片表面平坦化，进而提高半导体器件的良率。本发明芯片平坦化方法也可以先采用小的下压力高转速研磨金属层，然后再采用大的下压力相同的转速研磨金属层。
- 芯片平坦方法
- [发明专利]硅片清洗装置及方法-CN201310170180.3在审
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-05-10
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2014-11-12
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B08B3/12
- 本发明揭示了一种硅片清洗装置及方法，该装置包括：外置槽、内置槽、超/兆声波换能器、超/兆声波发生器、硅片夹及螺杆。外置槽开设有排液口。内置槽套设于外置槽内，内置槽的侧壁开设有进液口及出液口，出液口位于内置槽侧壁接近底部的位置。超/兆声波换能器设置于内置槽的底部。超/兆声波发生器与超/兆声波换能器相连接。硅片夹夹持硅片，硅片的待清洗面朝向超/兆声波换能器。螺杆与硅片夹相连接，螺杆带动硅片夹上下移动和旋转。本发明清洗硅片时，使硅片的待清洗面朝向超/兆声波换能器，并且使清洗硅片的清洗液循环流动，能够有效去除硅片上槽和通孔中的颗粒和污染物，提高清洗效果。
- 硅片清洗装置方法
- [发明专利]无应力抛光集成装置-CN201310113493.5在审
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王坚;金一诺;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-04-02
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2014-10-15
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B24B1/00
- 本发明公开了一种无应力抛光集成装置，包括：晶圆夹盘、膜厚测量仪及无应力抛光装置。晶圆夹盘夹持晶圆并沿水平方向或竖直方向运动或旋转。膜厚测量仪测量晶圆上待去除的铜膜的厚度。无应力抛光装置根据膜厚测量仪测量到的铜膜厚度对晶圆进行无应力抛光，无应力抛光装置包括无应力抛光腔、抛光喷头及电源。抛光喷头设置在无应力抛光腔内，抛光喷头向晶圆喷射电解液。电源的阳极与晶圆夹盘电连接，电源的阴极与抛光喷头电连接。本发明将膜厚测量装置与无应力抛光装置集成，降低了抛光工艺成本，且该集成装置结构简单，所占空间小。
- 应力抛光集成装置
- [发明专利]研磨垫修整器-CN201310113130.1在审
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-04-02
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2014-10-15
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B24B53/017
- 本发明公开了一种研磨垫修整器，包括：驱动电机、驱动器、主动轮、皮带、从动轮、修整头及检测装置，其中，驱动电机的输出轴与主动轮相连接，驱动电机带动主动轮转动，驱动器与驱动电机相连接，驱动器控制驱动电机的启动和关闭，主动轮通过皮带带动从动轮绕从动轮的定子转动，修整头安装在从动轮上并由从动轮带动转动，检测装置检测皮带是否断裂。本发明通过设置检测装置，在对研磨垫进行修整的过程中，能够检测皮带是否断裂，从而判断修整头是否在对研磨垫进行修整，提高了研磨垫的研磨性能和使用寿命，保证了晶圆平坦化良率。
- 研磨修整
- [发明专利]化学液供应与回收装置-CN201310113136.9无效
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王坚;何增华;贾照伟;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-04-02
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2014-10-15
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H01L21/67
- 本发明揭示了一种化学液供应与回收装置，包括：溶剂供应单元、化学液原液供应单元、化学液混合和供应单元及回收液混合和供应单元。溶剂供应单元分别向化学液混合和供应单元及回收液混合和供应单元供应溶剂。化学液原液供应单元分别向化学液混合和供应单元及回收液混合和供应单元供应化学液原液。化学液混合和供应单元将溶剂和化学液原液均匀混合并输出。回收液混合和供应单元将已经过净化处理过的回收液与溶剂或化学液原液均匀混合并供应至化学液混合和供应单元。本发明通过将回收液回收并净化，然后配比成浓度与化学液混合和供应单元内的化学液的浓度一致，最后再供应至化学液混合和供应单元用于工艺加工，从而使回收液得到了循环利用，降低了工艺加工成本，同时，也减少了回收液的排放，进而降低了环境污染。
- 化学供应回收装置
- [发明专利]化学机械研磨装置及研磨方法-CN201210500821.2在审
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2012-11-29
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2014-06-11
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B24B37/00
- 本发明公开了一种化学机械研磨装置，包括转台、研磨垫、研磨头及研磨液供应臂，其中，研磨液供应臂内布设有研磨液供应管道，研磨液供应管道的一端连接有研磨液供应管头，研磨液供应管头设置在研磨液供应臂的一端并位于研磨垫的上方，用于向研磨垫输送研磨液，该装置还包括与研磨液供应臂的另一端相连接的驱动装置，用以带动研磨液供应臂转动，从而带动布设于研磨液供应臂内的研磨液供应管道及与研磨液供应管道相连接的研磨液供应管头转动。研磨时，通过驱动装置带动研磨液供应管道及研磨液供应管头转动，使得研磨液在研磨垫上分布更均匀，晶圆平坦度更好。本发明还公开了一种化学机械研磨方法。
- 化学机械研磨装置方法
- [发明专利]研磨液手臂-CN201210366048.5在审
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王坚;杨贵璞;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2012-09-27
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2014-04-02
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B24B57/02
- 本发明公开了一种研磨液手臂，包括：壳体、固定轴、传感器、转动轴、被侦测件及控制器。壳体的一端与转动轴固定连接，固定轴开设有收容腔，传感器设置于收容腔的底部，转动轴收容于固定轴的收容腔并能够绕固定轴转动，被侦测件设置于转动轴的底部，并与收容腔的底部相对，被侦测件能够随着转动轴的转动而移至传感器的上面从而被传感器检测到，如果被侦测件被传感器检测到，则研磨液手臂位于设定位置，如果被侦测件没有被传感器检测到，则研磨液手臂没有位于设定位置，传感器发出一信号至控制器，控制器接收该信号后发出报警信号。本发明通过设置被侦测件和传感器，从而可以准确检测研磨液手臂是否在设定位置。
- 研磨手臂
- [发明专利]无应力抛光装置及抛光方法-CN201210369944.7在审
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王坚;金一诺;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2012-09-27
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2014-04-02
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B24B1/00
- 本发明公开了一种无应力抛光装置，包括：晶圆夹盘、至少两个喷头、电源及运动控制器。所述晶圆夹盘夹持一晶圆，所述至少两个喷头并排布置在所述晶圆夹盘的下方，每一喷头具有一喷嘴，所述喷嘴正对着所述晶圆的待抛光面并向所述晶圆的待抛光面喷射电解液，所述电源的阳极与所述晶圆夹盘电连接，所述电源的阴极与所述每一喷头电连接，所述运动控制器控制所述晶圆夹盘旋转、垂直移动或水平移动。本发明采用至少两个喷头向晶圆的待抛光面喷射电解液进行电化学抛光，提高了晶圆表面的金属层的去除率，同时也提高了无应力抛光效率。本发明还公开了一种无应力抛光方法。
- 应力抛光装置方法
- [发明专利]大面积纳米结构阵列的制备方法-CN201210243831.2有效
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王坚;何增华;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2012-07-13
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2014-01-29
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C25D11/02
- 本发明公开一种大面积纳米结构阵列的制备方法，包括如下步骤：提供一导电基体；在所述导电基体上沉积一金属薄膜层，其中所述金属薄膜层被划分成多个区域；测量所述金属薄膜层上多个区域的厚度及所述多个区域的厚度与电化学氧化时间之间的一一对应关系；润湿所述金属薄膜层的表面并对所述表面进行第一氧化处理；对所述金属薄膜层进行第二氧化处理，并根据所述金属薄膜层上多个区域的厚度与电化学氧化时间之间一一对应关系控制所述金属薄膜层上的所述多个区域的氧化时间。本发明通过测量所述金属薄膜层上多个区域的厚度及所述多个区域的厚度与电化学氧化时间之间的一一对应关系，来控制所述金属薄膜层上多个区域的氧化时间，使所述金属薄膜层上每个区域的氧化都得到精确地控制，因而可以在大尺寸的导电基体上形成高度有序的大面积纳米结构阵列。
- 大面积纳米结构阵列制备方法
- [发明专利]晶片边缘清洗装置-CN201210163145.4有效
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王坚;赵宇;吴均;王晖
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2012-05-22
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2013-12-04
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B08B3/02
- 本发明公开一种晶片边缘清洗装置，包括一支撑臂、一连接部、一固持部、一喷嘴及一阻挡罩。所述支撑臂具有相对的第一端和第二端。所述连接部的一端与所述支撑臂的第一端活动连接。所述固持部设置在所述连接部的另一端。所述喷嘴安装在所述固持部上。所述阻挡罩具有一底壁、后壁及两侧壁，所述底壁、后壁及两侧壁围成一收容空间收容所述固持部及安装其上的喷嘴，所述底壁的边缘凸伸形成一与所述后壁平行的挡板，所述底壁的两侧靠近侧壁处分别开设有一导流槽。本发明晶片边缘清洗装置通过设置所述阻挡罩，在清洗晶片边缘的过程中，很好的阻止了清洗液向晶片中心区域的飞溅，同时也利于清洗液的回收。
- 晶片边缘清洗装置
- [实用新型]晶圆清洗装置-CN201320216748.6有效
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王晖;张晓燕;吴均;陈福平;李学军
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2013-04-25
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2013-10-23
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H01L21/67
- 本实用新型揭示了一种晶圆清洗装置，包括：主体框架、晶圆装载端口、晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置。晶圆装载端口设置于主体框架的外侧端，晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置设置于主体框架内。晶圆装载端口接收和放置晶圆盒，晶圆盒存放晶圆。槽式清洗装置开设有用于传送晶圆的第一晶圆进出口，槽式清洗装置用于一片或多片晶圆的浸泡清洗。单片清洗装置开设有用于传送晶圆的第二晶圆进出口，单片清洗装置用于单片晶圆的清洗和干燥。晶圆传送装置在晶圆装载端口的晶圆盒、槽式清洗装置及单片清洗装置之间传送晶圆。本实用新型通过将槽式清洗装置和单片清洗装置集成于主体框架内，由一套晶圆传送装置完成晶圆的传送，缩短了晶圆清洗工艺周期，降低了生产成本，且集成于一套装置后占用空间缩小。
- 清洗装置
- [发明专利]空气隙互联结构的形成方法-CN201110365145.8在审
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王晖;王坚;金一诺;贾照伟
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盛美半导体设备(上海)有限公司
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2011-11-17
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2013-05-22
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H01L21/768
- 本发明揭示了一种空气隙互联结构的形成方法，该方法包括在半导体集成电路的基底层上淀积第一介质层；在第一介质层上淀积第二介质层；在第二介质层上形成沟槽，相邻两沟槽由第二介质层隔离开；在第二介质层的表面和沟槽内依次淀积阻挡层和主导电层；对主导电层进行表面平坦化，并保留一定厚度的主导电层；采用无应力抛光工艺去除除沟槽内的主导电层以外的所有主导电层；采用无应力去除阻挡层工艺去除裸露于沟槽外的所有阻挡层；去除第二介质层，在相邻两沟槽之间形成一凹槽；在凹槽壁和裸露的主导电层及阻挡层上淀积第三介质层；在第三介质层和凹槽内淀积第四介质层，空气隙被形成于凹槽内。本发明通过采用无应力抛光工艺和无应力去除阻挡层工艺，使得所述空气隙互联结构可以形成于具有超微细特征尺寸结构的半导体集成电路中。
- 空气联结形成方法
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