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[发明专利]温度不敏感马赫曾德尔干涉仪-CN201811501015.0有效
发明人：仇超;赵瑛璇;甘甫烷;武爱民;盛振;李伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本发明提供一种温度不敏感马赫曾德尔干涉仪，包括：第一模式转换器；第二模式转换器，位于第一模式转换器的一侧，且与第一模式转换器具有间距；连接臂，位于第一模式转换器与第二模式转换器之间，一端与第一模式转换器相连接，另一端与第二模式转换器相连接；连接臂包括直波导连接臂。本发明的温度不敏感马赫曾德尔干涉仪通过设置所述连接臂的宽度及厚度等参数可以实现对温度不敏感。
温度敏感马赫曾德尔干涉仪

[发明专利]一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路-CN202211722464.4在审
发明人：孙涛;鞠旭东;盛振 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海科技大学
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01R31/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于大面阵芯片对芯片倒装焊焊点导通性测试电路，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和第二芯片的电路层设计均为像素结构，所述第一芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第二芯片上的每个像素对应一个焊点，每相邻两个像素对应的焊点相互导通；所述第一芯片上的每个像素对应的焊点与所述第二芯片上每个像素对应的焊点导通，形成完整电路。本发明能够进行链路级电导通性测试。
一种用于大面芯片倒装焊焊点导通性测试电路

[发明专利]偏振分束旋转器-CN201510031371.0有效
发明人：汪敬;甘甫烷;盛振;武爱民;仇超;王曦;邹世昌 -专利权人：南通新微研究院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本发明提供一种偏振分束旋转器，至少包括：形成在SOI材料的顶层硅中的波导，所述波导至少包括顺次连接的单模输入波导、双刻蚀波导和定向耦合波导；所述双刻蚀波导，包括一端与所述单模输入波导的尾端相连接的第一刻蚀区和位于所述第一刻蚀区两侧的第二刻蚀区，所述第一刻蚀区的高度大于所述第二刻蚀区的高度；所述定向耦合波导，包括相互分离的直通波导和弯曲波导，所述直通波导连接所述第一刻蚀区的尾端，所述弯曲波导位于所述直通波导一侧。本发明提供的偏振分束旋转器分别利用这两个结构的宽带和尺寸小的特点，可以解决传统偏振分束旋转器件不能同时满足宽带特性和尺寸小的缺点。
偏振旋转

[发明专利]基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及制备方法-CN202110014134.9有效
发明人：赵瑛璇;黄海阳;仇超;甘甫烷;盛振 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种基于TM0模式光的马赫曾德尔干涉仪及其制备方法，结构包括：输入波导、第一模式转换器、连接臂、第二模式转换器及输出波导，其中，第二模式转化器与第一模式转换器的结构相同，具有双层锥形结构。本发明实现无论输入端输入TM0模式的入射光还是TE1模式的输入光，连接臂包括直波导段，其输出端均可以输出TM0模式和TE1模式的出射光；可以有效解决现有技术存在的马赫曾德尔干涉仪对温度较为敏感、结构复杂、尺寸大等问题：可以实现与CMOS工艺兼容，便于批量化生产。
基于 tm0 模式马赫曾德尔干涉仪制备方法

[发明专利]基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法-CN201410821688.X有效
发明人：盛振;甘甫烷;武爱民;仇超;王智琪 -专利权人：南通新微研究院;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2014-12-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：本发明提供一种基于BCB键合工艺的耦合器结构及其制作方法，该结构包括：硅衬底及形成于其上的埋氧层；形成于所述埋氧层上的硅波导及与所述硅波导一端连接的第一锥形耦合结构；形成于所述埋氧层表面并覆盖所述硅波导及所述第一锥形耦合结构的BCB覆层；及形成于所述BCB覆层表面的III‑V族光增益结构及与所述III‑V族光增益结构一端连接的第二锥形耦合结构；所述第一、第二锥形耦合结构反向设置，且在水平面上的投影部分重合。本发明实现了III‑V族光增益结构和硅波导的混合集成，第一锥形耦合结构及第二锥形耦合结构反向设置形成模式转换区，极大缩短了耦合结构的长度，且耦合效率高；BCB覆层厚度改变时，变化幅度小，耦合效率更加稳定。
基于 bcb 工艺耦合器结构及其制作方法

[发明专利]一种硅基单片集成激光器及其制备方法-CN202010383180.1有效
发明人：仇超;朱俊波;龚谦;赵瑛璇;李伟;盛振;武爱民;甘甫烷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-05-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：本发明涉及半导体和光电集成技术领域，特别是涉及一种硅基单片集成激光器及其制备方法，包括：衬底层、埋氧化层、硅波导器件、上覆层和三维波导器件；所述埋氧化层上设有图形化的限向结构；所述限向结构内设有激光器结构；所述硅波导器件设置在所述埋氧化层上；所述埋氧化层、所述激光器结构和所述硅波导器件远离所述衬底层的表面形成第一表面，所述上覆层设置在所述第一表面上；所述三维波导器件设置在所述上覆层上。通过在激光器结构有源区上方引入三维波导结构，实现激光器结构有源区和硅波导之间高质量的光学连接。
一种单片集成激光器及其制备方法

[发明专利]一种雪崩光电二极管阵列探测器-CN202111388032.X在审
发明人：卞剑涛;胡海帆;盛振 -专利权人：江苏尚飞光电科技股份有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种雪崩光电二极管阵列探测器，包括第一导电类型衬底层、PN结、隔离结构、至少一阳极引出端及阴极引出端，其中，第一导电类型半导体层位于第一导电类型衬底层上，PN结位于第一导电类型半导体层中，且PN结在水平面上的投影具有间隔区域；隔离结构位于第一导电类型半导体层中，并位于PN结间隔区域，且隔离结构不与PN结接触。本发明中，单像素的PN结在水平面上的投影具有间隔区域，这样单像素的PN结宽度总和减少，由于整个PN结区域及PN结之间的区域都可以吸收入射光子，且由于重掺杂的第二导电类型掺杂层的减少会提高部分短波长光子的吸收，所以不会影响雪崩光电二极管的光子探测效率，且同时降低了单像素的暗电流或暗计数率。
一种雪崩光电二极管阵列探测器

[发明专利]一种易加工的随机形状超原子生成方法、装置及存储介质-CN202111352692.2在审
发明人：黄海阳;赵瑛璇;盛振;甘甫烷;孙涛 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种易加工的随机形状超原子生成方法、装置及存储介质。其中，方法包括：基于超原子平方反比生成函数生成超原子；基于最小线宽对生成的所述超原子进行筛选，得到符合加工条件的超原子。本发明生成的超原子边界平滑，没有任何倒角，而且这种方法可以自定义最小线宽，将尺寸太小的颗粒或小孔筛除，因此生成的超原子非常易于加工，在超表面的微纳加工方面具有实用价值。
一种加工随机形状原子生成方法装置存储介质

[发明专利]一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器-CN202111301438.X在审
发明人：卞剑涛;胡海帆;盛振 -专利权人：江苏尚飞光电科技股份有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供一种日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器，包括基板层、第一宽禁带半导体层、第二宽禁带半导体层、缓冲层、硅基材料层、第一阴极引出端、阳极引出端及第二阴极引出端，其中，第一宽禁带半导体层位于基板层上；第二宽禁带半导体层与缓冲层位于第一宽禁带半导体层上且间隔设置；硅基材料层位于缓冲层上；第一阴极引出端位于第二宽禁带半导体层上；阳极引出端与第二阴极引出端位于硅基材料层上。本发明的日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器是基于硅基和化合物半导体材料集成，可以实现该探测器对380nm以上波段光子的有效抑制，保证了较高的光子探测效率，并改善了制作日盲紫外线雪崩光电二极管阵列探测器时的工艺可靠性。
一种紫外线雪崩光电二极管阵列探测器

[发明专利]混合模式转换器及其制备方法-CN202110014152.7有效
发明人：赵瑛璇;黄海阳;仇超;甘甫烷;盛振 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-01-06 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： G02B6/14 文献下载
摘要：本发明提供一种模式转换器及其制备方法，结构包括：依次连接的第一模式转换区、第二模式转换区、第三模式转换区以及第四模式转换区。其中，并进一步将第一模式转换区设计为非对称的Y分支波导，包括第一波导段和第二波导段，在第二模式转换区设计与弯曲汇聚波导，包括第三波导段和第四波导段，通过第三模式转换区的波导连接及光栅布置方式实现模式转换，形成耦合，包括第五波导段、第六波导段以及光栅区及制备在其中的凹槽结构，最终耦合后的光通过第四模式转换区输出，有效的实现了多模式的复用，有效的将入射的TE0模式的光转换为TE0和TE1混合模式的光输出。
混合模式转换器及其制备方法

[发明专利]一种微小型激光雷达接收装置-CN202110907629.4在审
发明人：黄海阳;赵瑛璇;盛振;甘甫烷;孙涛 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G01S7/486 文献下载
摘要：本发明涉及一种微小型激光雷达接收装置，包括球形基体，所述球形基体的表面设有微纳光电探测阵列，所述微纳光电探测阵列由若干均匀排列的微纳光电探测单元组成。本发明的激光雷达接收装置能够检测光的方向和距离，且运算复杂程度低，同时具有小尺寸、轻量化、易于集成、跨尺度测量的优势。
一种微小激光雷达接收装置

[实用新型]一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪-CN202023007346.4有效
发明人：赵瑛璇;黄海阳;仇超;甘甫烷;盛振 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于Y分支对称结构的硅基马赫曾德尔干涉仪，包括输入Y分支波导和输出Y分支波导，所述输入Y分支波导和输出Y分支波导的结构相同，所述输入Y分支波导的第一输出端通过第一直波导与输出Y分支波导的第一输入端相连；所述输入Y分支波导的第二输出端与第一弯曲波导的一端相连，所述输出Y分支波导的第二输入端与第二弯曲波导的一端相连，所述第一弯曲波导的另一端与所述第二弯曲波导的另一端通过所述第二直波导相连；所述第一弯曲波导与第二弯曲波导结构相同，并沿着第二直波导的中线对称。本实用新型能够使得波导长度在10μm到40μm变化时具有稳定的传输效率。
一种基于分支对称结构马赫曾德尔干涉仪

[实用新型]一种任意分光比的光功率分束器-CN202022843058.6有效
发明人：甘甫烷;盛振;仇超;赵瑛璇;朱俊波 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种任意分光比的光功率分束器，包括衬底，所述衬底上设有下包层，所述下包层上设有芯层，所述芯层包括输入波导、中心锥形波导、上倒锥形波导、下倒锥形波导、上输出波导和下输出波导，所述输入波导的输出端与所述中心锥形波导的输入端相连，所述上倒锥形波导的输出端与上输出波导的输入端相连，所述下倒锥形波导的输出端与下输出波导的输入端相连；所述中心锥形波导、上倒锥形波导和下倒锥形波导组成交叉耦合区域，光束从中心锥形波导进入交叉耦合区域后与上倒锥形波导和下倒锥形波导分别耦合实现功率分束。本实用新型具有工艺误差兼容，工艺简单、设计方便、损耗低等优点。
一种任意分光功率分束器

[实用新型]一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构-CN202022656133.8有效
发明人：黄海阳;赵瑛璇;仇超;盛振;甘甫烷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种对特定方向激光光束敏感的微纳结构，包括衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，每根硅导线两端均引出导线与电位测量计相连，当激光照射到硅导线时硅导线与衬底之间发生近场耦效应，且距离激光光源较近的一根硅导线完全抑制，距离激光光源较远的另一根硅导线保持亮度。本实用新型能够对某个特定角度的激光信号进行精确探测以及沿特定方向上进行非接触信号传输。
一种特定方向激光光束敏感结构

[实用新型]一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构-CN202022656108.X有效
发明人：黄海阳;赵瑛璇;仇超;盛振;甘甫烷 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置的微位移机构，其中刚性底板的上表面固定有衬底，所述衬底上固设有一层绝缘层，所述绝缘层上设置有两组完全相同的硅导线组，所述硅导线组包括若干根相互平行且形状尺寸相同的硅导线，且相邻的硅导线之间距离相等；所述硅导线垂直于所述刚性底板的前后面；所述刚性上板的下表面设置有散射光源；所述散射光源发出的激光照射硅导线组上时，所述硅导线与衬底之间发生近场耦效应，并使得硅导线组中的一根硅导线完全抑制。本实用新型能够同步检测与纠正平行四边形柔性铰链构机构刚性上板在F力作用下沿x轴方向产生的位移误差以及刚性上板绕y轴的寄生转角误差。
一种带有非厄米耦合角度检测纠正装置位移机构

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