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[发明专利]一种结合摩擦发电机与阻变存储器的触摸传感记忆器件-CN201610770480.9有效
发明人：张跃;孙一慧;闫小琴;郑鑫;申衍伟;刘怿冲 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种结合摩擦发电机与阻变存储器的触摸传感记忆器件，属于传感器技术领域。该器件大致为用导线将单电极摩擦发电机的电极与阻变存储器的上电极连接而成，通过人体触摸摩擦材料表面产生的电信号驱动阻变存储器的阻态改变，实现对触摸信号的探测与记录。当阻变存储器处于高阻态时，摩擦发电机的输出电压较大，能将阻变存储器由高阻态转变为低阻态；而当阻变存储器处于低阻态时，摩擦发电机的输出电压较小，阻变存储器阻态不变，从而实现对摩擦信号的记录。该器件可以实现信号记录时的完全自驱动，不需要外加电源，信号不会因摩擦的交变电压而改变，是一种自驱动的非易失性集成器件，在信息安全、监测等方面拥有广泛的应用前景。
一种结合摩擦发电机存储器触摸传感记忆器件

[发明专利]一种半导体掺杂工艺的表征方法、装置及系统-CN202011118274.2有效
发明人：顾世海;王肇中;申衍伟;程腾 -专利权人：武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： G01N21/25 文献下载
摘要：本申请涉及一种半导体掺杂工艺的表征方法、装置及系统，所述表征方法包括步骤：根据光致发光测试设备测得的半导体材料的特征光谱曲线，得到所述半导体材料的半峰宽；根据所述半导体材料的半峰宽来表征半导体材料的掺杂浓度和掺杂深度，并根据半峰宽的均匀性来表征掺杂工艺的均匀性。本申请提供的半导体掺杂工艺的表征方法，不仅可以对小于300um的选择性掺杂区域的杂质浓度和掺杂深度进行表征，适用范围更广，而且此种方法为非接触式非破坏性测试，不会对半导体材料造成损伤，更加安全可靠。
一种半导体掺杂工艺表征方法装置系统

[发明专利]过渡金属硫族化合物同质结、同质结二极管及同质结的制备-CN201610885644.2有效
发明人：张跃;张先坤;张铮;刘硕;林沛;申衍伟;杜君莉;柳柏杉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明主要属于同质结制备技术领域，具体涉及一种过渡金属硫族化合物同质结及其制备方法。所述方法采用过渡金属硫族化合物纳米片为原料，在所述过渡金属硫族化合物纳米片一部分区域的上方设置保护层进行保护，使用酸处理过渡金属硫族化合物纳米片的未保护区域，以修复过渡金属硫族化合物纳米片的结构缺陷，从而在过渡金属硫族化合物纳米片的保护与未保护区域形成过渡金属硫族化合物同质结。通过本发明所述方法制备获得的同质结的结构，受环境影响较小，表现出良好的稳定性、可操作性极强，不需要高温退火，并且不需要掺杂工艺。
过渡金属化合物同质二极管制备

[发明专利]一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法-CN201610887107.1有效
发明人：张跃;张先坤;张铮;刘硕;林沛;申衍伟;杜君莉;刘柏杉 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-10-11 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明属于有机电极领域，具体涉及一种图案化有机电极PEDOT:PSS的方法。在基底上旋涂电子束光刻胶，烘干后用电子束曝光方法将基底上的电子束光刻胶层图案化，在带有图案化的电子束光刻胶层的基底上沉积PEDOT:PSS，一定温度下干燥后用有机溶剂浸泡除去电子束光刻胶，用大量去离子水冲洗后得在基底上图案化的有机电极PEDOT:PSS，实现图案化有机电极PEDOT:PSS。本发明提供的方法使有机电极PEDOT:PSS图案化的精度达到10nm，同时摆脱了光刻胶残留缺陷和反应离子刻蚀损伤问题，为有机电极的图案化道路探索了一条新思路，同时为有机电极的大规模应用奠定了广泛的基础。
一种图案有机电极 pedot pss 方法

[实用新型]一种结合摩擦发电机与阻变存储器的触摸传感记忆器件-CN201620989144.9有效
发明人：张跃;孙一慧;闫小琴;郑鑫;申衍伟;刘怿冲 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本实用新型提供一种结合摩擦发电机与阻变存储器的触摸传感记忆器件，属于传感器技术领域。该器件大致为用导线将单电极摩擦发电机的电极与阻变存储器的上电极连接而成，通过人体触摸摩擦材料表面产生的电信号驱动阻变存储器的阻态改变，实现对触摸信号的探测与记录。当阻变存储器处于高阻态时，摩擦发电机的输出电压较大，能将阻变存储器由高阻态转变为低阻态；而当阻变存储器处于低阻态时，摩擦发电机的输出电压较小，阻变存储器阻态不变，从而实现对摩擦信号的记录。该器件可以实现信号记录时的完全自驱动，不需要外加电源，信号不会因摩擦的交变电压而改变，是一种自驱动的非易失性集成器件，在信息安全、监测等方面拥有广泛的应用前景。
一种结合摩擦发电机存储器触摸传感记忆器件

[发明专利]一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器及其制备方法-CN201510345417.6在审
发明人：张跃;孙一慧;闫小琴;郑鑫;申衍伟;刘怿冲 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2015-06-19 - 公布日： 2015-10-14 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种忆阻器，具体涉及一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器及其制备方法。一种电化学沉积制备薄膜构建的忆阻器的制备方法，先分别配制反应液和缓冲液；混合反应液和缓冲液，构成沉积液；在沉积液中，通过三电极法，以恒定电压，沉积氧化物薄膜本发明提供了一种制备工艺步骤简单、制作成本低、可重复性强的忆阻器阻变层的制备方法。
一种电化学沉积制备薄膜构建忆阻器及其方法

[发明专利]一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法-CN201210452268.X有效
发明人：张跃;陈翔;闫小琴;李欣;冯亚瀛;申衍伟;郑鑫 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-11-13 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： C01G9/02 文献下载
摘要：本发明一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法，属于纳米材料图案化生长领域。本发明旨在促进图案化ZnO纳米棒阵列大面积均匀生长。其特征是：在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上，采用长程扩束、大尺寸高反镜、高灵敏化学放大胶和顶部抗反射层四项技术，既实现了曝光面积的增大和能量分布均匀性的提高，又减轻了驻波效应的不利影响，还提高了光刻胶表面的亲水性并减少了显影和生长缺陷，另外增强了模板抗生长液侵蚀的能力，所得阵列大面积均匀。本发明步骤简单、对原始工艺兼容性好且效果显著，为图案化ZnO纳米棒阵列集成化应用和相关纳米功能器件性能的优化提供了有力的参考。
一种制备图案 zno 纳米阵列方法

[发明专利]一种光刻胶模板及图案化ZnO纳米棒阵列的制备方法-CN201210252567.9有效
发明人：张跃;陈翔;闫小琴;李欣;冯亚瀛;郑鑫;申衍伟 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-07-20 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三光束激光干涉制备光刻胶模板的方法以及利用此方法制备图案化ZnO纳米棒阵列的应用，借助三光束激光干涉图案化技术，单次曝光快速生成大面积六角排列圆形孔洞模板，利用该模板对ZnO纳米棒阵列进行限域水热生长，从而实现ZnO纳米棒在位置、粗细、长短和疏密上的精确调控，具有系统结构简单、成本低廉、无需掩膜和转台、加工速度快和调控能力强等优点。所得大面积高度有序排列的ZnO纳米棒阵列，可应用于多个相关领域，包括发光二极管、紫外探测器、染料敏化太阳能电池、场发射冷阴极、应力传感器和生物传感器等，最终提高纳米功能器件的性能，具有重大的现实意义。
一种光刻模板图案 zno 纳米阵列制备方法

[发明专利]一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法-CN201210300106.4有效
发明人：张跃;陈翔;闫小琴;李欣;冯亚瀛;申衍伟;郑鑫 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种制备图案化ZnO纳米棒阵列的方法，属于纳米材料图案化生长领域。本发明在三光束激光干涉模板法制备图案化ZnO纳米棒阵列的基础上，采用全光路介质全反射镜、防气流有机玻璃遮罩和低浓度多杯法显影三项技术，不仅避免了双光束激光干涉旋转多次曝光引起的模板畸形问题，而且降低了气流波动和显影疲劳带来的不利影响，使孔洞模板对比度和结构稳定性大幅提升，并利用改进后的模板进行限域水热生长，所得图案化ZnO纳米棒阵列可控而稳定。本发明简单有效、成本低廉、易于推广，为图案化ZnO纳米棒阵列走向器件应用奠定了坚实的基础。
一种制备图案 zno 纳米阵列方法

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