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[实用新型]一种调温调速沥青延伸度测定仪-CN202020267567.6有效
发明人：田武;谢留学;周崇辉;刘婷 -专利权人：四川蜀腾建设工程质量检测有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种调温调速沥青延伸度测定仪，底板上端面与测定仪相连接，测定仪内底壁设有固定座和电机，电机上端设有电机轴，电机轴上端与搅拌桨相连接，加热管与固定座上端面固定连接，固定筒设置在测定仪侧壁，固定筒内设有气缸，气缸内端设有伸缩杆，伸缩杆内端设有推板，推板两端设有连轴，连轴将加强板外端与推板固定连接，加强板内端与固定块相焊接，固定块内端焊接在夹具外端面，夹具与推板之间设有拉力传感器，顶板设置在测定仪上端面，水箱固定在顶板中心处，排水管设置在测定仪左侧壁。
一种调温调速沥青延伸度测定

[实用新型]一种砌墙砖爆裂蒸煮箱-CN202020276139.X有效
发明人：周崇辉;田武;邓可豪;王玉 -专利权人：四川蜀腾建设工程质量检测有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： F27B17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种砌墙砖爆裂蒸煮箱，包括底板、承接板、固定板、滑轮、蒸煮箱、电机、电机轴、蒸煮柜、固定轴、加热管、排汽管、箱盖、固定块、顶块、提拉杆、温度计和集水槽，底板下端面设有承接板，承接板下端设有固定板，固定板下端设有滑轮，蒸煮箱固定在底板上端面，电机固定在蒸煮箱内底壁中心处，电机上端面设有电机轴，电机轴上端设有蒸煮柜，蒸煮柜上端中心处焊接有固定轴，加热管设置在蒸煮箱侧壁，排汽管设置在蒸煮箱侧壁，箱盖设置在蒸煮箱上端，固定块焊接在蒸煮箱外侧壁，顶块焊接在箱盖上端面中心处，顶块上端面设有提拉杆，温度计贯穿箱盖伸入至蒸煮箱内，集水槽设置在蒸煮箱内底壁。
一种砌墙爆裂蒸煮箱

[实用新型]一种建筑防水卷材低温柔度试验仪-CN202020276161.4有效
发明人：谢留学;田武;王玉;周崇辉 -专利权人：四川蜀腾建设工程质量检测有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01N3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种建筑防水卷材低温柔度试验仪，涉及低温柔度试验仪技术领域。该建筑防水卷材低温柔度试验仪，包括仪体、升降装置和门板装置，所述仪体底端两侧对称安装有脚垫，仪体前端一侧嵌有显示屏，仪体内部一侧安装有冷冻组件，仪体内侧上部安装有升降装置，仪体内部位于升降装置下部安装有试验台，仪体前端另一侧铰接有门板装置，仪体与门板装置之间通过锁扣连接。该建筑防水卷材低温柔度试验仪，通过把弯曲轴安装在气缸的活塞杆一端，并在气缸两侧安装滑轨，弯曲轴两端安装的滑块嵌在滑轨内部，使得气缸在带动弯曲轴向下运动时，提高弯曲轴运动的稳定性，升降装置结构件，运行稳定，便于维修。
一种建筑防水卷材温柔试验

[实用新型]一种横流大气采样器-CN202020276633.6有效
发明人：田武;邓可豪;周崇辉;刘婷 -专利权人：四川蜀腾建设工程质量检测有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01N1/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种横流大气采样器，包括支撑板，所述支撑板顶端中部表面固定安装有固定管，所述固定管中端内部开设有第一限位螺孔。本实用新型由于在支撑板顶端安装有固定管，以及在固定管内部安装有伸缩杆，进而可以通过拉动伸缩杆在固定管内部进行移动，进而改变伸缩杆在固定管内部的长度，再改变固定管与伸缩杆整体的长度，进而改变采样管的高度，使采样管可以对不同高度的位置进行收集空气，并且在固定管和伸缩杆内部分别开设有第一限位螺孔和第二限位螺孔，可以在调节完伸缩杆在固定管内部的长度后，将伸缩杆安装在固定管内部，进而保证采样管的高度稳定性，进而保证采样的过程，较为实用，适合广泛推广与使用。
一种大气采样

[实用新型]一种电动防水卷材不透水仪-CN202020276660.3有效
发明人：周崇辉;田武;谢留学;王玉 -专利权人：四川蜀腾建设工程质量检测有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电动防水卷材不透水仪，涉及不透水仪技术领域。该电动防水卷材不透水仪，包括仪体、供水装置和压盘装置，所述仪体内部安装有供水装置，仪体顶端均匀安装有压盘装置，供水装置和压盘装置之间通过管道连接；所述供水装置包括底座、水箱、连接管、气泵、出水口、进水管、进水阀、排水管和排水阀，底座顶端安装有水箱，水箱底端一侧通过连接管连接有气泵。该电动防水卷材不透水仪，通过在水箱上部安装进水管和进水阀，水箱下部安装排水管和排水阀，便于向水箱内添加水体和排放水体，水箱用于将水箱架起来，便于排水管和排水阀对水箱排水时，水体排的更彻底，有效防止水箱内有水体残留。
一种电动防水卷材不透水

[实用新型]一种砌墙砖试验用振动台-CN202020276318.3有效
发明人：田武;谢留学;邓可豪;刘婷 -专利权人：四川蜀腾建设工程质量检测有限公司
申请日： 2020-03-09 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： G01M7/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及振动台技术领域，且公开了一种砌墙砖试验用振动台，包括矩形块，该砌墙砖试验用振动台，打开电机一，然后电机一工作，带动连接块旋转，然后连接块通过伸缩杆带动矩形块旋转，然后晃动块开设旋转震动，需要上下震动的时候，打开电机二,电机二旋转，电机二带动竖块旋转，当竖块不与矩形口齐平一端移动到上方的时候，竖块会通过矩形口一直延伸到矩形块的上方，且此时竖块会与晃动块的底部壁面接触，然后将晃动块顶起，然后晃动块开始上下抖动，这样的设置可以使得本实用新型进行旋转摆动以及上下震动，使得其震动方式更加多样，避免了现有的震动台一般震动的方式比较单一，只能进行左右摆动，无法有效的进行检测。
一种砌墙试验振动

[发明专利]浅沟槽隔离结构制造方法-CN202010351962.7在审
发明人：田武;孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种浅沟槽隔离(STI)结构制造方法提供基底结构；所述基底结构至少包括衬底；对所述基底结构进行刻蚀，以去除部分的基底结构，从而在所述基底结构中形成沟槽；在第一气体氛围下对形成有沟槽的基底结构进行退火，以对所述沟槽的侧壁及底部进行硼掺杂；所述第一气体包含含硼源的气体和氧气；在进行了硼掺杂的沟槽中形成绝缘层。如此，能够达到较好的改善Id‑Vg曲线中双驼峰现象的效果。
沟槽隔离结构制造方法

[发明专利]三维存储器、MOS场效应晶体管及其制作方法-CN201810811406.6有效
发明人：汪宗武;江宁;田武 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器、MOS场效应晶体管及其制作方法，该晶体管包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的栅电极，所述栅电极包括位于所述栅绝缘层上的俘获层，其中所述俘获层包括碳硅化合物或者碳锗硅化合物。本发明提供了一种MOS场效应晶体管及其制作方法，栅电极中靠近栅绝缘层的一侧加入了俘获层，并且俘获层的材料为碳硅化合物或者碳锗硅化合物，使得稳态时俘获层中的硼浓度大于阻挡层和金属硅化物层中的硼浓度，并且阻挡层中的硼浓度和金属硅化物层中的硼浓度差距在减小，可以有效降低硼分凝系数，进而解决栅极耗尽的问题。
三维存储器 mos 场效应晶体管及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201910502096.4有效
发明人：田武;孙超;许文山 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件可以包括衬底，衬底上形成有通过隔离结构隔离的第一有源区和第二有源区，其中第一有源区中形成有栅极以及栅极两侧的源漏区，第二有源区中形成有掺杂区，掺杂区与源漏区的掺杂类型一致，这样第二有源区中的掺杂区中的掺杂粒子可以为源漏区做出补偿，减少衬底中的耗尽区域，改善器件的体效应，提高器件性能。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种双栅氧化层制造方法-CN201710772332.5有效
发明人：田武 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种双栅氧化层制造方法。在该制造方法中，先形成厚栅氧化层，再形成薄栅氧化层，并企图通过光刻图案化，使光刻胶覆盖厚栅氧化层，并露出薄栅氧化层；如此在对薄栅氧化层进行氮掺杂时，不会将氮掺杂到厚栅氧化层内，如此，就不会导致厚栅氧化层对应的高阈值电压的MOS管的TDDB性能变差。因此，通过本申请提供的双栅氧化层制造方法能够在进行高质量薄氧化层生长的同时，获得TDDB性能较高的高阈值电压的MOS管。
一种氧化制造方法

[发明专利]一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法-CN201810565524.3有效
发明人：高洁;于盛旺;郑可;黑鸿君;田武;潘雪楠;王月月;马永 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑纳米金刚石厚膜的制备方法，采用双层辉光等离子渗金属方法在硅基片表面渗钼处理形成钼促形核层；采用化学气相沉积方法在上述钼促形核层上沉积成纳米金刚石膜；继续反复交替进行在纳米金刚石膜上渗钼处理形成钼促形核层，以及在钼促形核层上沉积纳米金刚石膜的步骤；以上所述钼促形核层厚度为0.1‑1µm，纳米金刚石膜厚度控制在20‑100µm，最终在硅基片表面形成厚度为0.5‑3mm厚膜后，将硅基片腐蚀处理，得到所述的自支撑纳米金刚石厚膜。该方法通过不断施加钼促形核层，提高金刚石成核速率，抑制晶粒长大，实现纳米金刚石厚膜的制备，该厚膜具有良好的强韧性及耐磨性等综合性能。
形核层厚膜纳米金刚石膜纳米金刚石硅基片自支撑制备沉积双层辉光等离子渗化学气相沉积耐磨性表面形成腐蚀处理厚度控制晶粒长大综合性能金刚石表面渗强韧性成核渗钼施加金属

[发明专利]一种缓释药物及其制备方法-CN201611204632.5有效
发明人：王燕;田武;贺星华;田庆;冀亚运 -专利权人：上海欣信医药科技有限公司
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： A61K47/38 文献下载
摘要：本发明属于药物制剂领域，具体涉及一种缓释药物及其制备方法，尤其涉及使用该方法制备的美他沙酮片及齐留通缓释片，所述缓释药物包括水不溶性材料。本发明的方法与现有技术相比，在达到相同的控制药物释放效果的前提下，辅料的使用量至少可以降低10‑20％，甚至可以降低50％以上，因此最终制剂的体积明显减小，更加易于吞咽。
一种药物及其制备方法

[实用新型]一种改良的粉碎机-CN201821825392.5有效
发明人：田武 -专利权人：彭水县绝对牛农业发展有限公司
申请日： 2018-11-07 - 公布日： 2019-10-01 - 主分类号： B02C18/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改良的粉碎机，包括支架和粉碎箱，所述支架上端焊接有所述粉碎箱，所述粉碎箱一侧壁上端通过螺栓连接固定有投料斗，所述粉碎箱另一侧壁上设置有支撑板，所述支撑板上端中部设置有电机。有益效果在于：本实用新型通过设置抽风机、吸尘罩、连接管和集尘箱，可将装置在排料过程中所产生的粉尘进行有效的收集，避免了环境的污染，确保了粉碎环境的洁净，通过设置液压马达、液压推杆和推料板，可使在排料时对物料施加一定的推力，提高了装置的排料效率。
粉碎箱上端排料本实用新型粉碎机支撑板支架改良螺栓连接液压马达液压推杆抽风机集尘箱连接管投料斗推料板吸尘罩焊接粉尘电机洁净施加污染

[发明专利]形成隔离结构和半导体器件的方法-CN201910490869.1在审
发明人：孙超;田武;江宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成隔离结构的方法，包括以下步骤：提供半导体结构，半导体结构包括衬底，衬底上定义了隔离区；在隔离区上形成沟槽；向沟槽施加包含掺杂质的流体；使半导体结构进行热退火；以及在沟槽内填充绝缘材料。本发明的方法可以改善MOS管的窄沟道效应以及增强有源区之间的隔离效果。
半导体结构隔离结构隔离区衬底填充绝缘材料半导体器件窄沟道效应隔离效果掺杂质热退火流体源区施加

[发明专利]一种DDD UHV MOS器件结构及其制造方法-CN201910486636.4在审
发明人：田武;许文山;孙超 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种DDD UHV MOS器件结构及其制造方法，在衬底上可以形成有栅极，在栅极两侧的衬底中形成有浅掺杂区，在浅掺杂区可以形成源漏区，源漏区可以形成金属硅化物层，这样在源漏区与外围电路中的接触塞连接时，在确保UHV高的击穿电压的同时，金属硅化物层可以与源漏区形成良好接触，降低接触塞和源漏之间的接触电阻，从而降低器件的整体功耗，提高器件性能。
源漏区金属硅化物层浅掺杂区接触塞衬底击穿电压降低器件接触电阻良好接触器件性能外围电路整体功耗源漏制造申请

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