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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]RAMO4-CN201710068257.4有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在一面具有外延生长面，在另一面具有暗光面，所述暗光面具有比所述外延生长面更大的表面粗糙度。
ramo base sub

[发明专利]加工装置以及加工方法-CN201610308988.7有效
发明人：鹰巢良史;横山信之;田代功;上木原伸幸 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种能够向工件的被加工面均匀地照射紫外线而生成均匀的氧化物并将工件加工为平滑的平面的加工装置。加工装置具备：使工件绕旋转轴旋转的旋转工作台；以与旋转工作台的旋转轴正交的轴进行旋转的辊形状构件；在旋转工作台的旋转轴的方向上进行驱动以使得辊形状构件与工件相互接触的垂直驱动部；向辊形状构件与工件之间照射紫外线的紫外线照射源；被供给至辊形状构件与工件之间的研磨材料；以及被供给至辊形状构件与工件之间且使来自紫外线照射源的紫外线散射的光散射体。
加工装置以及方法

[发明专利]RAMO4-CN201710055484.3有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种更高品质的基板。所述基板是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，所述RAMO4基板在至少一面具有外延生长面，在所述外延生长面没有高度500nm以上的凹凸。
ramo base sub

[发明专利]RAMO4基板及其制造方法-CN201710066347.X有效
发明人：鹰巢良史;冈山芳央;石桥明彦;田代功;上田章雄;信冈政树;领木直矢 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-06 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供更高品质的基板。解决方法为一种RAMO4基板，其是包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO4基板，在至少一面具有外延生长面，所述外延生长面具有有规则性分布的、相互分离的多个劈开面。
ramo4 及其制造方法

[发明专利]GaN基板及其制造方法-CN201811387490.X在审
发明人： 田代功;片冈秀直;横山信之;大森健志 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L33/16 文献下载
摘要：本发明提供减小偏角分布和基板表面的高低差的GaN基板。GaN基板在表面具有Ga面和N面且由GaN单晶构成，其中，Ga面具有平面部和包围平面部的周围的曲面部，N面的偏角分布比Ga面的偏角分布大。
偏角平面部基板表面高低差曲面部单晶减小包围制造

[发明专利]RAMO4基板-CN201710070667.2有效
发明人： 田代功;片冈秀直;冈山芳央;横山信之;鹰巢良史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明的课题在于防止具有劈开性的RAMO₄基板的破坏。解决方法为一种RAMO₄基板，其包含含有通式RAMO₄所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)的RAMO₄基材部，所述RAMO₄基材部在端部具有倾斜部。
ramo4 基板

[发明专利]III族氮化物结晶制造方法以及RAMO4基板-CN201710070303.4在审
发明人： 田代功;片冈秀直;冈山芳央;横山信之;鹰巢良史 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-02-08 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于，在III族氮化物的制造中将RAMO4基板容易地再利用。解决方法为一种III族氮化物结晶制造方法，其具有准备RAMO4基板的工序，所述RAMO4基板包含通式RAMO4所表示的单晶体(通式中，R表示选自Sc、In、Y和镧系元素系元素中的一个或多个三价元素，A表示选自Fe(III)、Ga和Al中的一个或多个三价元素，M表示选自Mg、Mn、Fe(II)、Co、Cu、Zn和Cd中的一个或多个二价元素)，在侧部具有切口；在所述RAMO4基板上使III族氮化物结晶生长的工序；和以上述切口为起点使所述RAMO4基板劈开的工序。
iii 氮化物结晶制造方法以及 ramo4 基板

[发明专利]切片装置-CN201410389431.1有效
发明人： 田代功;高桥正行 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-08-08 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B24B27/06 文献下载
摘要：本发明的目的在于，对于在现有技术中不容易进行的将作为加工对象物的被加工物安装在装置中时的安装工序，通过本发明提供一种能够容易地实施的切片装置。本发明所涉及的切片装置构成为，利用丝线对安装在梁的主面上的被加工物进行切片的切片装置，所述切片装置的特征在于，具有直接夹紧所述梁的侧面的夹持器。
切片装置

[发明专利]焊接方法及焊接装置-CN201110245136.5有效
发明人：熊泽诚二;中井出;田代功;宇津吕英俊 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-08-18 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： B23K26/20 文献下载
摘要：本发明提供一种为了制造大容量、高可靠性、低成本的能量器件(密闭型充电电池、双电层电容器等)而将壳体和封口板进行高质量且稳定的焊接的焊接方法及焊接装置。利用激光束(101)对构件(102、103)的焊接对象部分进行扫描以将其焊接的焊接装置，使光束部分(101b)的光点相对于焊接对象部分的扫描方向进行摆动。此处，激光束(101)是具有光束部分(101a、101b)的光束。光束部分(101a)是具有第一功率密度的部分。光束部分(101b)是存在于光束部分(101a)的内部、且具有比第一功率密度要高的第二功率密度的部分。
焊接方法装置

[发明专利]构造发色体-CN201010180759.4有效
发明人：高桥正行;田代功 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-05-14 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： B44C1/10 文献下载
摘要：本发明提供一种构造发色体，其中在利用光的反射、干涉、衍射、散射等物理现象来发色的构造发色体中为了提供能够进一步提高装饰效果，对构造发色为相互不同色的多个构造发色部进行组合而构成构造发色体。
构造发色体

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