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[发明专利]芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法-CN202310937318.1在审
发明人：徐玉鹏 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，芯片封装结构包括载具盖板、固定胶层、感应芯片、第一介质层、布线层、第二介质层和焊球，在第一介质层上开孔形成图形定位开孔，然后在图形定位开孔内的感应芯片上开槽形成导电通孔，导电通孔贯通至焊盘。相较于现有技术，本发明通过额外设置第一介质层，并且在第一介质层上设置图形定位开口，通过图形定位开口来确定导电通孔的开孔位置，一方面能够实现精准定位穿孔，避免出现背面开孔偏移现象，保证了产品结构完整，另一方面通过设置第一介质层，能够避免直接在感应芯片上布线，且第一介质层能够起到缓冲作用，减缓布线分层现象，保证产品性能。
芯片封装结构制备方法

[发明专利]芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法-CN202310939987.2有效
发明人：徐玉鹏 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种芯片封装结构和芯片封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，芯片封装结构包括衬底、承载层、光学芯片、功能层、布线层和焊球，相较于现有技术，本发明通过设置功能层，并在功能层上开设图形焊盘开口来实现预定位，能够精准地实现导电通孔的开孔工艺，避免开孔工艺时产生偏移，保证开孔位置精确和产品性能。同时，通过设置功能层，能够在导电通孔和布线层的边缘形成一层绝缘层，进而能够避免存在寄生电感而产生的漏电现象，并避免布线层之间短路、过热等现象，且通过功能层的布置能够增强光学芯片结构强度，从而能够减缓翘曲程度。
芯片封装结构制备方法

[发明专利]集成封装结构和集成封装结构的制备方法-CN202310787448.1在审
发明人：何正鸿;陈泽;宋祥祎 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种集成封装结构和集成封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，在基板上贴装硅框衬底，硅框衬底上还开设有多个贯通设置的贴装槽，填充胶层设置在多个集成芯片的底侧和/或周围，并至少填充至贴装槽，塑封层设置在基板上，并包覆在集成芯片和填充胶层外，其中，硅框衬底的热膨胀系数与集成芯片的热膨胀系数相同，相较于现有技术，本发明提供的和集成封装结构的制备方法，能够减缓胶层与芯片表面的应力变形，同时避免胶层与塑封层发生分层，进而避免芯片表面线路层裂痕和焊接裂痕，保证了封装结构的稳定性和产品质量。
集成封装结构制备方法

[发明专利]半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法-CN202310721692.8在审
发明人：何正鸿;高源;宋祥祎;李利 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-06-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，其将封装芯片设置在基底布线组合层上，将塑封体包覆在封装芯片外，同时在基底布线组合层的另一侧设置第一保护层，该第一保护层上设置有第一开口，并且在第一保护层的外侧设置焊球。相较于现有技术，本发明通过额外增设第一保护层，且第一保护层能够覆盖基底布线组合层，焊球覆盖第一开口，从而使得第一保护层能够避免外部水汽进入到基底布线组合层，从而防止内部的介质层吸水，进而避免了内部分层或裂纹等问题，并防止出现漏电流。此外，通过设置第一保护层，能够提升基底布线组合层的结构强度，进而减小塑封体翘曲带来的影响。
半导体封装结构制备方法

[发明专利]一种层叠封装结构的封装方法-CN202310740311.0在审
发明人：刘展文;张超;施黄竣元;高司政;鲁听听 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本申请涉及芯片封装技术领域，具体公开了一种层叠封装结构的封装方法，包括：在模具内部分别排布固定芯片和TIV导电结构；向模具内排布固定所述芯片和所述TIV导电结构的区域注入液态包封材料，并固化所述液态包封材料后，脱模得到固化包封体；去除所述固化包封体相对的第一侧面和第二侧面的包封材料，至所述第一侧面露出所述TIV导电结构的第一截面和所述芯片的铜柱截面以及所述第二侧面露出所述TIV导电结构的第二截面；对固化包封体外部进行封装处理。本申请通过在模具内部将芯片和TIV导电结构排布固定并进行包封，能够避免使用玻璃基板和电镀TIV结构，简化封装流程，有效降低封装生产成本。
一种层叠封装结构方法

[发明专利]转接板制作工艺、转接板、芯片凸块封装工艺和结构-CN202310801091.8在审
发明人：何正鸿 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开提供的一种转接板制作工艺、转接板、芯片凸块封装工艺和结构，涉及半导体封装技术领域。该转接板制作工艺包括依次在载具上形成导电柱和转接层，在转接层或导电柱上形成第一凹槽，在第一凹槽内填充导电材料，导电材料和导电柱接触，形成复合导电柱。该转接板先形成导电柱，再形成转接层，避免了采用硅穿孔的工艺带来的穿孔缺陷，转接层好导电柱的结合力更好，降低工艺难度。
转接制作工艺芯片封装结构

[发明专利]凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法-CN202310752411.5在审
发明人：何正鸿 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种凸块封装结构和凸块封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该凸块封装结构包括基底芯片、钝化层、第一布线层、第一介质层、第二布线层、第二介质层和第一导电凸块。相较于现有技术，本发明通过将第一布线层与第二布线层通过第一介质层的侧壁实现连接，避免了常规结构中第二布线层需要开槽后与第一布线层连接的工艺步骤，从而避免了开槽工艺对第一布线层的损害，避免了对第一介质层开槽而导致第一布线层受损的问题，也提升了第二布线层的结合性，避免了第一布线层中产生漏电流，保证了器件性能。
封装结构制备方法

[发明专利]芯片封装方法、芯片封装模块和内埋衬底式芯片封装结构-CN202310685756.3有效
发明人：何正鸿 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种芯片封装方法、芯片封装模块和内埋衬底式芯片封装结构，涉及芯片封装技术领域，首先利用载具，在载具上形成第一塑封层，并在第一塑封层中形成第一导电柱，第一导电柱的顶端形成有凸台，然后通过微刻蚀工艺，对凸台进行刻蚀，能够在局部刻蚀凸台后，在凸台和第一导电柱之间形成止挡环，然后在贴装凹槽中贴装第一芯片，第一芯片为倒装结构。相较于现有技术，本发明通过微蚀刻形成止挡环，可以利用止挡环作为研磨中的停止层，从而能够通过自身结构确定研磨高度，避免研磨过程中造成过度研磨，保护芯片安全，提升器件可靠性。
芯片封装方法模块衬底结构

[发明专利]封装方法和封装结构-CN202310652509.3有效
发明人：何正鸿 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开提供的一种封装方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该封装方法包括提供第一散热结构；贴装第一芯片；其中，第一散热结构环设于第一芯片的外围；包覆第一芯片，形成保护体；其中，第一焊盘露出保护体；在保护体内形成第一导电柱；其中，第一导电柱贯穿保护体；在第一芯片远离第一焊盘的一侧设置介质层和布线层；其中，布线层与第一导电柱电连接，介质层包裹布线层；在介质层上形成金属层，金属层和布线层电连接；在第一芯片设有第一焊盘的一侧贴装第二芯片和/或第三芯片；其中，第二芯片分别与第一芯片和第一导电柱电连接，和/或第三芯片分别与第一芯片和第一导电柱电连接。该方法有利于提高封装结构的集成度，改善散热性能。
封装方法结构

[实用新型]一种真空平台及电子产品加工设备-CN202320995250.8有效
发明人：何正鸿;王承杰;陈泽;高源 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种真空平台及电子产品加工设备，涉及半导体加工技术领域。该真空平台，包括平台本体，平台本体具有用于固定基板的承载面，承载面上设有第一真空孔，第一真空孔用于与抽真空装置连通以对基板进行吸附，平台本体的上表面划分有贴装芯片区域，承载面对应贴装芯片区域的部分露出于平台本体，平台本体的上表面还设有抛料槽，抛料槽位于贴装芯片区域的侧面。该空平台的平台本体上在贴装芯片区域的侧面设置抛料槽，能够缩短芯片的抛料形成，从而提高贴装效率。
一种真空平台电子产品加工设备

[发明专利]重布线层制备方法和晶圆级封装结构-CN202310588297.7在审
发明人：刘展文;张超;施黄竣元;高司政;徐宋敏 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本公开提供了一种重布线层制备方法和晶圆级封装结构，涉及晶圆封装技术领域。该重布线层制备方法包括在功能芯片设有焊盘的一侧设置介电层；在介电层上设置金属布线层；将设有金属布线层的功能芯片置于惰性气体氛围中，静置预设时间；从惰性氛围中取出功能芯片后，在金属布线层上设置介电层。这样设置，能够增加金属布线层表面的粗糙度，从而增加金属布线层和介电层的结合力，防止出现分层。
布线制备方法晶圆级封装结构

[实用新型]封装治具、塑封设备和封装产品-CN202320341816.5有效
发明人：何正鸿;张超;宋祥祎;孔德荣 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-02-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： B41F15/08 文献下载
摘要：本公开提供的一种封装治具、塑封设备和封装产品，涉及半导体封装技术领域。该封装治具包括连接筋和多个支撑部，支撑部包括相对设置的上表面和下表面以及连接上表面和下表面的侧面，下表面用于与载具连接，上表面用于承接钢网；上表面开设有第一通孔，侧面开设有第二通孔，第一通孔和第二通孔连通；连接筋连接多个支撑部。该封装治具能够在钢网印刷时对电子器件进行更好的保护，避免电子器件受压而损坏。
封装塑封设备产品

[发明专利]多芯片嵌入式扇出型封装结构及其制备方法-CN202310462308.7在审
发明人：庞宏林;刘展文;施黄竣元;高司政;黄森辉 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种多芯片嵌入式扇出型封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域，该多芯片嵌入式扇出型封装结构包括基底玻璃板、第一线路层、容置玻璃板、芯片模组、第二线路层和焊球，容置玻璃板上设置第一凹槽，芯片模组嵌入第一凹槽。相较于现有技术，本实施例利用玻璃板作为载体，并开槽进行芯片容置，充分利用玻璃板可定制性以及超薄的优势，不但提高了封装的可靠性，同时该封装结构在使用时可以直接贴装在基板上，降低了成本。并且玻璃板具有良好的导热性，有利于提高封装的散热性，同时玻璃板可定制性的特点有利于解决翘曲的问题，而第一芯片和第二芯片背对背贴装堆叠的方式，能够降低封装尺寸，提升芯片封装数量。
芯片嵌入式扇出型封装结构及其制备方法

[发明专利]晶圆级扇出封装结构及其制备方法-CN202310459339.7在审
发明人：庞宏林;刘展文;施黄竣元;高司政;江晨浩 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种晶圆级扇出封装结构及其制备方法，涉及半导体封装技术领域。该晶圆级扇出封装结构的制备方法包括：提供来料晶圆，来料晶圆上形成有露出其焊盘的钝化层；在钝化层上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶层，并刻蚀光刻胶层以形成第一窗口，第一窗口在来料晶圆上的正投影覆盖焊盘，且第一窗口的边缘与焊盘的边缘不重合；在第一窗口内填充金属材料，以形成通过导电层与焊盘连接的附加焊盘；去除光刻胶层，并去除露出的导电层，以得到第一器件；切割第一器件以得到单颗芯片。该晶圆级扇出封装结构的制备方法能够在无需额外设备的情况下，有效减少因焊盘与重布线层之间连接不良而导致的产品失效，从而提高产品良率。
晶圆级扇出封装结构及其制备方法

[发明专利]晶圆级金属扩散键合结构及键合方法-CN202310594289.3在审
发明人：刘展文;张超;施黄竣元;高司政;陆银杰 -专利权人： 甬矽半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本申请涉及晶圆键合技术领域，具体公开了一种晶圆级金属扩散键合结构及键合方法，金属扩散键合结构包括相对设置的第一键合晶圆和第二键合晶圆，以及设置在所述第一键合晶圆与所述第二键合晶圆之间的金属扩散键合结构；所述金属扩散键合结构分别通过介质层和所述第一键合晶圆以及所述第二键合晶圆键合连接；金属扩散键合结构包括设置在第一键合晶圆上的第一金属结构、设置在第二键合晶圆上且与第一金属结构对应的第二金属结构，以及连接在第一金属结构与所述第二金属结构之间的石墨烯键合层。本申请能够采用石墨烯形成键合层，使得制备的金属扩散键合结构具备低成本、高强度、高导电性以及高散热性的优势。
晶圆级金属扩散结构方法

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