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[发明专利]一种基于OTP存储阵列的PUF密钥生成系统和方法-CN202010316991.X有效
发明人：王志刚;李弦;贾宬;张露涛 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于OTP存储阵列的PUF密钥生成系统和方法，由于反熔丝OTP存储单元中晶体管的栅极氧化物在工艺制造过程中会出现随机缺陷，因此，对反熔丝OTP存储阵列中的部分或全部存储单元进行编程后，会击穿存储单元中晶体管的栅极氧化物，使得不同存储单元具有不同的物理特性，将物理特性参数转换为电性参数后，不同存储单元表现出的电性参数也是不同的，且电性参数的分布是随机的，从而可以根据电性参数重构存储单元对应的密钥值，并根据OTP存储阵列中部分或全部存储单元对应的密钥值得到密钥，不仅可以简单高效地提取到密钥，而且由于编程后OTP存储阵列的物理特性稳定性较好，因此，可以提高提取密钥的稳定性。
一种基于 otp 存储阵列 puf 密钥生成系统方法

[发明专利]一种测试方法、系统及电子设备-CN202310088078.2在审
发明人：吴侃源;曹生斌;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2023-01-20 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本申请公开了一种测试方法、系统及电子设备，设置测试参数，基于测试参数控制测试机台上的至少两个被测设备执行编程操作及擦除操作，每执行一次擦除操作，擦除操作的电压相对于前一次擦除操作的电压增加一个预设电压差，测量至少两个被测设备的第一基准电流值，若确定第一基准电流值符合预设范围，则确定第一基准电流值符合预设范围的被测设备通过测试，若确定至少两个被测设备中每个被测设备的第一基准电流值均符合预设范围，则测试结束。本方案通过在同一个测试机台上同时对多个被测设备进行测试，能够有效减少测试时间，降低测试成本，并且，擦除操作的电压由低到高，减少了执行编程操作及擦除操作的次数，使得测试时的基准电压更稳定。
一种测试方法系统电子设备

[发明专利]一种可变编程次数的多次可编程存储器-CN201911337288.0有效
发明人：王少龙;李弦;张露涛;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种可变编程次数的多次可编程存储器，所述可变编程次数的多次可编程存储器利用状态寄存器电路记录多个存储器阵列的状态信息，以使用户可以通过所述多个存储器阵列的状态信息，了解多个存储器阵列的编程次数信息以及冗余存储器阵列的使用信息，从而可以根据实际情况对冗余存储器阵列进行编程操作或修复操作或读操作的目的，使得冗余存储器阵列在主存储器阵列编程成功后仍然可以进行编程操作，进而使得该多次可编程存储器的编程次数可控，避免了在主存储器阵列编程成功后，无法在冗余存储器阵列中进行数据存储的情况，避免了冗余存储器阵列的浪费。
一种可变编程次数多次可编程存储器

[发明专利]一次性可编程芯片测试系统和方法-CN202211673432.X在审
发明人：王威 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种一次性可编程芯片测试系统和方法，测试系统包括电路板，电路板上设置有若干管脚，以及与若干管脚连接的处理器，与处理器连接的存储器；其中，管脚用于连接一次性可编程芯片的引脚，存储器中存储有程序，处理器执行存储器中存储的程序时，被配置为：获得配置信息；基于测试类型，确定地址引脚的输入信号和被测信号；对于测试地址范围内的每一个待测地址，根据各个引脚在测试过程中的逻辑高低的确定规则，确定待测地址对应的各个地址引脚的逻辑高低；根据各个地址引脚的逻辑高低，对各个地址引脚上电，各个地址引脚上电的时长为目标时长；在各个地址引脚上电结束时，采集各个地址引脚的被测信号，以确定待测地址是否异常。
一次性可编程芯片测试系统方法

[发明专利]一种差分OTP存储单元电路和相关设备-CN202211708370.1在审
发明人：李弦;贾宬;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：一种差分OTP存储单元电路和相关设备，该差分OTP存储单元电路包括第一选择管、第一存储管、第二存储管和第二选择管，当编程数据“0”时，第一存储管被编程，第二存储管不被编程；第一选择管提供的电流0uA,第二选择管提供的电流～0uA；当编程数据“1”时，第二存储管被编程，第一存储管不被编程；第一选择管提供的电流～0uA,第二选择管提供的电流0uA。在保持比较器的2个输入端差值电流与传统存储单元一致，均为Iref的情况下，编程后的电流Icell0或者电流Icell1电流大小只需为Iref，大大降低了对存储管编程后电流的要求，提高了差分OTP存储单元电路的输出结果的可靠性。
种差 otp 存储单元电路相关设备

[发明专利]Nor flash擦除干扰纠正方法及装置-CN202010473665.X有效
发明人：李弦;王志刚;李利境;叶谦 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种Nor flash擦除干扰纠正方法及装置，通过在对选中的Nor flash阵列块进行块擦除操作的过程中，只在判断设定Nor flash阵列块的操作满足干扰确认条件的情况下对同一物理阵列内所有Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正；或基于块擦除操作中的循环流程所对应的循环次数确定进行干扰确认与纠正的Nor flash阵列块；或者基于计数器对芯片或系统中某一时钟的计数结果确定进行干扰确认与纠正的Nor flash阵列块；或基于物理存储的某一Nor flash阵列块的块地址，每一次块擦除操作仅对一个Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正。采用上述方式，可以避免在每一次块擦除操作中对同一物理阵列内所有剩余Nor flash阵列块进行干扰确认与纠正，从而实现降低擦除干扰确认和纠正的时间及降低功耗的目的。
nor flash 擦除干扰纠正方法装置

[发明专利]OTP器件结构及其制作方法、OTP存储器-CN202011622178.1有效
发明人：王志刚;贾宬;李弦 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本申请提供一种OTP器件结构及其制作方法、OTP存储器，其中，所述OTP器件结构，将选通管的源极区和漏极区中的至少一个的衬底和沟道注入条件修改为与低压器件的衬底和沟道注入条件相同，从而提高了源漏之间的抗击穿能力，从而使得选通管的沟道长度能够相对现有技术来说进一步缩小，也即通过改变选通管的衬底及沟道注入条件实现沟道长度进一步缩小，进而进一步缩小了OTP存储单元的尺寸，也即能够进一步缩小OTP存储器的尺寸。
otp 器件结构及其制作方法存储器

[发明专利]阻变存储器及其制作方法-CN201811313129.2有效
发明人：田敏;李立;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明技术方案公开了一种阻变存储器及其制作方法，本发明技术方案去除了位于所述通孔外的功能层，所述绝缘介质层背离所述基底的一侧表面未覆盖所述功能层，避免了通孔外部具有功能层时导致的电场不均匀问题，提高了阻变存储器的可靠性。
存储器及其制作方法

[发明专利]OTP器件结构、OTP存储器及其操作方法-CN202011627444.X有效
发明人：王志刚;贾宬;李弦 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H10B20/25 文献下载
摘要：本申请提供一种OTP器件结构、OTP存储器及其操作方法，所述OTP器件结构包括一个高压选通管、一个低压选通管和一个反熔丝；在OTP器件结构进行编程操作时，高压选通管和反熔丝导通，而低压选通管截止；在进行读取操作时，低压选通管和反熔丝导通，而高压选通管截止，从而使得在编程时具有较高的可靠性，而在读出电流时，具有较大的读出电流。也即使得OTP嵌入式存储器能够同时保证编程高可靠性和读出电流较大。
otp 器件结构存储器及其操作方法

[发明专利]一种代码升级的方法及芯片系统-CN202211267686.1在审
发明人：杨卫平;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本申请公开了一种代码升级的方法及芯片系统，应用于电子技术领域。本申请中微控制单元MCU获取升级平台发送的代码升级数据，开启对快闪记忆体flash的写访问，并将所述代码升级数据发送给所述flash；所述flash将所述代码升级数据写入自身的flash阵列，并在状态记录区域写入状态信息，所述状态记录区域为所述flash内划分出的存储区域；所述flash当代码升级因发生异常而中止时，等待异常终止，待异常终止后，从所述状态记录区域读取所述状态信息，并将所述状态信息发送给所述MCU。通过划分专门的状态记录区域同步记录代码升级的状态信息，当代码升级发生异常终止时，提升代码升级效率，提高代码升级可靠性。
一种代码升级方法芯片系统

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202211267671.5在审
发明人：盘华秋;贾宬 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体器件及其制造技术领域。本申请可以提供衬底，在衬底的栅极区形成栅介质层和栅极，栅介质层包括层叠的氧化铝层和氧化铪层。由于用氧化铝材料和氧化铪材料作为栅介质层材料，代替DMOS中的电介质二氧化硅，即使半导体器件被施加高压，也可以降低漏电。因此，降低了漏电，使得半导体器件双极性、阻变特性更加稳定。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种存储芯片测试密钥保护方法、装置及设备-CN202211078642.4在审
发明人：杨卫平;方志雄;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G11C29/10 文献下载
摘要：本申请提出一种存储芯片测试密钥保护方法、装置及设备，具体包括：芯片重新上电时，目标密钥处理模块获得预存的目标密钥及目标密钥使能字段，所述目标密钥使能字段包括用于控制测试控制模块启用的端口电平信号；目标密钥处理模块将目标密钥加载至掉电清空数据的目标密钥寄存器；目标密钥处理模块根据目标密钥使能字段的端口电平信号控制测试控制模块的启用，以便测试控制模块接收并对比用户输入密钥与目标密钥是否一致，判断用户输入密钥是否正确。本申请所述的一种存储芯片测试密钥保护方法、装置及设备，提高时序复杂度，提升电路复杂度，使其他机构或者个人难以通过电路分析判断目标密钥和目标密钥使能字段。
一种存储芯片测试密钥保护方法装置设备

[发明专利]一种评估冗余阵列是否满足替换要求的方法及装置-CN202210980764.6在审
发明人：吴侃源;边雅倩;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种评估冗余阵列是否满足替换要求的方法及装置，可应用于芯片生产设计技术领域，所述方法包括：获取芯片具体失效单元的地址信息；基于所述地址信息建立晶圆失效地址数据库；利用所述数据库进行数学建模，得到对晶圆中各芯片进行修复所需冗余阵列的数量；根据所述对晶圆中各芯片进行修复所需冗余阵列的数量，得到冗余阵列个数和晶圆良率之间的关系。本申请基于生产出的芯片实际出现的失效单元的地址信息，利用数学建模进行对冗余阵列进行评估与分析，能够得到准确的冗余阵列个数和晶圆良率之间的关系，从而能够结合对产品良率的需求对冗余阵列个数进行设定，解决了预留多少冗余阵列才能满足主阵列失效单元替换的需求的问题。
一种评估冗余阵列是否满足替换要求方法装置

[发明专利]一种新型的存储阵列架构-CN202210916673.6在审
发明人：李弦;王沦;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型的存储阵列架构，该存储阵列架构中，N个存储单元被划分为了M块存储阵列，每一个存储阵列都具有字线驱动模块；该存储阵列架构在接收到第一待处理地址数据之后，第一待处理地址数据对应K个所述存储单元，此时M块存储阵列同时响应，每一块存储阵列中的字线驱动模块驱动存储单元的数量为K/M；在本发明中每一块存储阵列中的字线驱动模块驱动存储单元的数量相较于现有的字线驱动模块驱动存储单元的数量减少，意味着每一个字线驱动模块驱动存储单元的能力相较于现有的字线驱动模块驱动存储单元的能力减弱，驱动存储单元的能力减弱也就意味着字线驱动模块占据存储器的面积减小，进一步的也就可以减小存储器的总面积。
一种新型存储阵列架构

[发明专利]一种电平转换电路及服务器系统-CN202211007396.3在审
发明人：李弦;董志鹏;王志刚 -专利权人： 珠海创飞芯科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本申请公开了一种电平转换电路及服务器系统，其特征在于，所述电路包括：反相电路，编程电路；所述反相电路用于输出第一输入信号和第二输入信号所对应的第一反相信号和第二反相信号；所述反相电路的第一反相信号所对应的节点和第二反相信号所对应的节点分别与所述编程电路的第一输入端和第二输入端相接；所述编程电路用于输出与所述第一输入信号所对应的第一输出信号，所述编程电路的输出信号经NMOS晶体管与过渡电压相连，所述过渡电压用于确保所述NMOS晶体管的电压在阈值电压范围内。如此，本申请采用过渡电压来彻底避免高压和地的接触，使低压管的电压稳定在可接受的范围内，从而避免了电平转换电路中低压管被击穿的风险。
一种电平转换电路服务器系统

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