“王锰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果98个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种漂浮式多浮子波浪能发电装置-CN201410314914.5有效
发明人：崔琳;李蒙;张原飞;黄勇;薛彩霞;王锰;段云棋 -专利权人：国家海洋技术中心
申请日： 2014-07-03 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： F03B13/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种漂浮式多浮子波浪能发电装置，包括浮动式结构、锚泊系统、液压传动系统和发电系统。浮动式结构漂浮在海面上并由锚泊系统系留，浮动式结构的多个浮子分别由摆臂连接主浮体。浮子随波运动并与波浪产生共振，受波浪激励做升沉运动的浮子带动摆臂绕固定支点摆动，驱使液压缸的活塞杆做往复运动，推动液压缸中的油性介质进入液压系统形成回路进入液压马达，液压马达旋转带动发电机发电，实现利用波浪能发电。本装置利用随波浪上下起伏运动的多个浮子吸收海水波浪能，通过阻尼式底盘以及三点水平系留方式的锚泊系统提高装置主浮体在风浪中的稳性，具有转换效率高、稳性强、可靠性高的特点。
一种漂浮浮子波浪发电装置

[发明专利]达鲁那韦新晶型及其制备方法和应用-CN201710262808.0在审
发明人：李金亮;赵楠;王锰 -专利权人：盐城迪赛诺制药有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： C07D493/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种达鲁那韦新晶型及其制备方法和应用，具体地，本发明涉及[(1S,2R)‑3‑[[(4‑氨基苯基)磺酰基](2‑甲基丙基)氨基]‑2‑羟基‑1‑(苯基甲基)丙基]‑氨基甲酸(3R,3aS,6aS)六氢呋喃并[2,3‑b]呋喃‑3‑基酯的新晶型及其制备方法，所述晶型稳定，易于保存，且流动性更好，并且制备方法简单，可工业应用，具有广阔的药物前景。
新晶型制备方法和应用达鲁那韦呋喃制备氨基氨基苯基氨基甲酸苯基甲基工业应用甲基丙基晶型稳定磺酰基丙基基酯羟基保存

[实用新型]一种沟渠式肖特基二极管-CN201820473005.X有效
发明人：王锰 -专利权人：上海芯石半导体股份有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟渠式肖特基二极管，包括基板、磊晶层、掺杂层、金属层、半导体层和沟槽，基板底部设有第一电极，基板顶部设有磊晶层，磊晶层顶部设有掺杂层，掺杂层顶部设有金属层，掺杂层和金属层之间间隔设有若干沟槽，沟槽底部设有氧化层，沟槽内部设有半导体层，金属层顶部设有第二电极，该种沟渠式肖特基二极管，结构设计完整紧凑，通过若干个沟槽的设置，在沟槽填入具有高功函数的金属材料，从而提高肖特基二极管的顺向偏压特性，可承受高逆向偏压，当肖特基二极管处于正向偏压时，通过掺杂层的设置，从而使得肖特基二极管在加载较小的正向电压时就能获得较好的电流信号值的效果，本实用新型设计合理，适合推广使用。
肖特基二极管掺杂层金属层磊晶层沟渠本实用新型半导体层基板金属材料第二电极第一电极电流信号高功函数基板顶部逆向偏压顺向偏压正向电压正向偏压氧化层加载填入紧凑

[发明专利]一种自适应射频对消提高连续波雷达收发隔离度的方法-CN201810182211.X在审
发明人：王冬华;祁全;王锰 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二四研究所
申请日： 2018-03-06 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： G01S7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种自适应射频对消提高连续波雷达收发隔离度的方法。不同于全模拟闭环对消技术，本发明采用数字方法产生控制信号，其中包括射频对消系统中的数字信号处理模块：双通道ADC分别采样误差调制信号和参考信号I；在数字域利用希尔伯特变换，产生与参考信号I正交的Q路参考信号；误差调制信号分别与I、Q两路参考信号进行数字正交、低通滤波，提取出I、Q两路误差信号；根据LMS自适应算法迭代公式，得到I、Q两路控制信号；I、Q两路控制信号通过双通道DAC转换成模拟信号，送至馈通模块中矢量调制器的I/Q控制端口，整个环路形成一个闭环反馈系统，最终达到环路锁定泄漏信号的目的，实时对消泄漏进接收通道的射频信号，提高收发间隔离度。
对消射频两路控制信号连续波雷达调制信号收发隔离自适应两路数字信号处理模块闭环反馈系统产生控制信号希尔伯特变换闭环自适应算法双通道ADC 采样误差低通滤波迭代公式环路锁定接收通道控制端口模拟信号射频信号误差信号泄漏信号调制器隔离度全模拟数字域双通道正交的中矢量馈通正交收发泄漏

[实用新型]一种具有增强击穿电压的肖特基二极管-CN201621436825.9有效
发明人：王锰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，包括二极管本体，所述二极管本体安装在支架上，所述支架的底部安装有若干个散热片，所述二极管本体的内部安装有阳极金属，所述阳极金属的一端安装有第一引出脚，所述第一引出脚上安装有TVS限压器，所述阳极金属的两侧均安装有二氧化硅材料层，所述阳极金属的下方安装有势垒金属层，所述势垒金属层的下方安装有外延层，所述外延层的底部安装有N型基片，所述N型基片的底部安装有衬底，所述衬底的底部安装有阴极金属，所述阴极金属的一端安装有第二引出脚，所述二极管本体上安装有防静电铝箔袋，该肖特基二极管，结构简单，散热效果好。
一种具有增强击穿电压肖特基二极管

[发明专利]1‑(β‑D‑吡喃葡糖基)‑4‑甲基‑3‑[5‑(4‑氟苯基)‑2‑噻吩基甲基]苯的晶型及其制备方法-CN201510059262.X有效
发明人：王锰;张亮 -专利权人：上海迪赛诺药业有限公司;上海迪赛诺化学制药有限公司
申请日： 2015-02-04 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C07D409/10 文献下载
摘要：本发明涉及1‑(β‑D‑吡喃葡糖基)‑4‑甲基‑3‑[5‑(4‑氟苯基)‑2‑噻吩基甲基]苯的晶型，具体地公开了一种1‑(β‑D‑吡喃葡糖基)‑4‑甲基‑3‑[5‑(4‑氟苯基)‑2‑噻吩基甲基]苯的新晶型及其制备方法和用途。本发明所提供的1‑(β‑D‑吡喃葡糖基)‑4‑甲基‑3‑[5‑(4‑氟苯基)‑2‑噻吩基甲基]苯的新晶型具有理化性质稳定、纯度高、重现性好、适合工业化生产等优点。
葡糖甲基苯基噻吩及其制备方法

[实用新型]一种槽栅型肖特基二极管-CN201621436824.4有效
发明人：王锰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种槽栅型肖特基二极管，包括阴极触针、阳极触针和温度传感器，所述阴极触针设置在阴极金属的下方，所述阴极金属的上方设置有N+阴极层，所述冷却套外部靠近N+阴极层的右侧位置处设置有排水口，所述N型基片的上方设置有N‑外延层，所述N‑外延层的内部设置有P型外延，所述P型外延的内部设置有槽栅。在槽删型肖特基二极管的外部设置了保护套，保护套内部充满冷却水，可以对二级管进行降温，防止二极管温度升高导致反向漏电流值升高，避免了热失控现象，在保护套内部设置了温度传感器，可以随时检测到保护套内部的水温，在冷却水温度升高后，可以通过进水口和出水口对保护套内部的冷却水进行更换，使用起来十分方便。
一种槽栅型肖特基二极管

[发明专利]制备阿扎那韦硫酸氢盐A型结晶的方法-CN201210324747.3有效
发明人：李金亮;赵楠;王锰 -专利权人：上海迪赛诺化学制药有限公司;上海迪赛诺药业有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C07D213/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种新的阿扎那韦硫酸氢盐A型结晶的制备方法，具体地，包括将阿扎那韦游离碱溶解在有机溶剂中，然后向溶液中加入浓硫酸，析晶，得到阿扎那韦硫酸氢盐的A型结晶。本发明的方法操作简便，收率高，适合工业化生产。
制备硫酸结晶方法

[发明专利]一种冷镦钢的软化轧制方法-CN201510168693.X有效
发明人：王卫东;张卫强;王文峰;刘红兵;汪涛;陈伟;李金柱;王锰;苏灿东;马松 -专利权人：武钢集团昆明钢铁股份有限公司
申请日： 2015-04-10 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： C21D8/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种冷镦钢的软化轧制方法，其主要工艺流程包括加热→开轧→精轧→吐丝→斯太尔摩辊道控冷→集卷→运输→打捆→卸卷→控温室保温→堆冷。其中，集卷后，冷镦钢钢卷进入P‑F运输线，沿直线轨道快速运载钢卷至打捆机。卸卷后，钢卷进入控温室，在控温室中缓慢运行，使得钢卷到达出口时的温度为400~460℃；最后堆冷至室温。本发明有效地解决了轧制后的冷镦钢由于内部应力集中造成钢材的塑性不高，冷镦易开裂等问题，提高了钢材的深加工能力，实现冷镦钢的免退火。
一种冷镦钢软化轧制方法

[实用新型]一种外科急重症患者用转运担架车-CN201520951839.3有效
发明人：李德泉;方军;王锰;朱剑宇 -专利权人：李德泉
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-05-18 - 主分类号： A61G1/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种外科急重症患者用转运担架车，包括车体支座与床板，所述车体支座下端设有滚轮，两侧设有推车手柄，所述床板下端两侧还有支杆，所述每一个支杆下端的导向轮位于车体支座的导向槽内，所述车体支座上端中部设有固定板，所述固定板两侧与支杆之间设有连接弹簧。本实用新型通过设置支杆、导向轮与连接弹簧，这样当车体发生急刹时，床板在连接弹簧的作用下进行水平方向的小位移移动，这样使得病人与床板同步向前移动，不仅能够对惯性起到很好的缓冲作用，提高了转运担架车的舒适性，有效避免了对患者造成的二次损伤，保证了患者的安全。
一种外科重症患者转运担架

[实用新型]带缓冲的肖特基二极管-CN201521044276.6有效
发明人：洪旭峰;王锰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种带缓冲的肖特基二极管。目前规肖特基二极管中，欧姆接触电极位于衬底底部，电流沿垂直方向输运，耗尽层也在垂直方向承受反向电压，同条件下与横向导电结构相比，纵向导电结构可以实现更高的击穿电压。本实用新型组成包括：衬底（1），所述的衬底上方设置有过度外延层（2），所述的过度外延层上方设置有外延层（3），所述的外延层的上方设置有缓冲层（4），所述的缓冲层上方设置有氮化物半导体层（5），所述的氮化物半导体层上方设置有A金属阳极（6）以及B金属阳极（7），所述的氮化物半导体层上方设置有绝缘层（8），所述的衬底下方设置有阴极（9）。本实用新型应用于。
缓冲肖特基二极管

[实用新型]成组肖特基二极管装置-CN201521044277.0有效
发明人：洪旭峰;王锰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种成组肖特基二极管装置。目前在肖特基二极管的使用过程中会遇到需要将两个肖特基二极管连接使用的情况，这就需要将二极管引脚手工焊接起来，手工焊接的方法使用起来速度慢、效率低、质量不稳定。本实用新型组成包括：一组连接座装置（1），所述的连接座装置内部两侧位置设置有一组二极管引脚接块（2），内部中间设置有外引脚接块（3），所述的二极管引脚接块和所述的外引脚接块通过导线（4）连接，所述的外引脚接块通过导线与外引脚（5）连接，所述的二极管引脚接块与二极管引脚（6）配合，所述的二极管引脚与肖特基芯片（7）连接，所述的肖特基芯片外设置有封装层（8）。本实用新型应用于制作成组肖特基二极管。
成组肖特基二极管装置

[实用新型]带有组合接头的肖特基二极管装置-CN201521044305.9有效
发明人：洪旭峰;王锰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种带有组合接头的肖特基二极管装置。肖特基二极管手工焊接的方法使用起来速度慢、效率低、成本高。本实用新型组成包括：接头装置（1），接头装置上部设置有接线头（2），接线头上设置有外引脚插孔（3），接头装置的一侧设置有滑轨（4），滑轨上设置有动触头（5），接头装置的另一侧设置有滑槽（6），滑槽内设置有静触头（7），接头装置中部设置有二极管引脚插座（8），二极管引脚插座与接线头以及动触头和静触头均通过导线（9）电连接，二极管引脚插座与二极管引脚（10）配合，二极管引脚与肖特基芯片（11）连接。本实用新型应用于电子器件领域，尤其尤其应用于一种带有组合接头的肖特基二极管装置。
带有组合接头肖特基二极管装置

[实用新型]一种功放前置的宽带干扰模拟器-CN201520923891.8有效
发明人：王锰;江晓竹;杨和平;丁喜合 -专利权人：中国船舶重工集团公司第七二四研究所
申请日： 2015-11-18 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： G01S7/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功放前置的宽带干扰模拟器。干扰模拟器设备分为机箱及外接设备两部分：机箱由频率合成模块、下行变频模块、上行变频模块、数字储频模块、GSM数传模块、触控屏幕等设备组成，通过射频转接电缆、安装于面板上的各型接口、电源及控制线等进行各种信号的交换与传送。外接设备包含功放模块(含发射天馈)、接收天馈、GSM数传模块、笔记本计算机、电源适配器、天线专用支架等设备组成。把接收天线与发射天线前后放置，分别用射频电缆馈线与主机箱相连。发射天线与功放模块之间取消电缆连接，采用一体化设计，集成一体安装于支架上，减少了传输线功率损失同时增加与接收机之间的隔离度。
一种功放前置宽带干扰模拟器

[实用新型]含定向扩散结的肖特基器件-CN201520792159.1有效
发明人：洪旭峰;王锰 -专利权人：上海芯石微电子有限公司
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：含定向扩散结的肖特基器件。P型岛区将占用15%以上的肖特基势垒区面积，影响JBS肖特基器件的参数性能，现在很多芯片加工厂，不能制作出性能优良的JBS肖特基器件。本实用新型组成包括：硅单晶基片（1），所述的硅单晶基片上具有外延层（2），所述的外延层上设置有肖特基势垒区（3），所述的肖特基势垒区与一组台面凸点P型区（4）配合，所述的肖特基势垒区上部装有阳极金属层（8），所述的阳极金属层两侧设置有金属场板（6），所述的阳极金属层两侧与厚氧化层（7）连接，所述的厚氧化层下部装有P+环（5），所述的硅单晶基片下部装有阴极金属层（9）。本实用新型用于制造含定向扩散结的肖特基器件。
定向扩散肖特基器件