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[发明专利]超亲水性大尺寸硅精抛液及其制备和使用方法-CN202210906319.5有效
发明人：雷双双;王辰伟;张俊华;井锋;井康 -专利权人：江苏山水半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光领域，尤其是涉及一种超亲水性大尺寸硅精抛液及其制备和使用方法。该抛光液含有纳米硅溶胶，表面活性剂，pH调节剂和水；各成分所占的重量百分比为：碱性纳米硅溶胶8‑12％，表面活性剂1.77‑7.60％，pH调节剂0.4‑2.5％，去离子水余量；本发明的硅精抛液所具备的优点是：适用于大尺寸硅表面的精抛，CMP后可以获得超亲水性的硅表面，使得硅表面沾污的磨料等颗粒容易被清洗去除，从而解决表面颗粒沾污问题，获得无划伤的表面，满足微电子行业的精度要求。
亲水性尺寸硅精抛液及其制备使用方法

[发明专利]一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法-CN202210148912.8有效
发明人：潘国峰;王昊;夏荣阳;何平;孙鸣;杨学莉;王辰伟 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明为一种用于钴互连结构钴膜CMP粗抛的碱性抛光液及其制备方法。该抛光液同时采用(OHA)与唑类作为抑制剂，通过OHA与唑类抑制剂的协同作用，在使用少量唑类抑制剂的情况下，达到更好的抛光后晶圆表面质量。本发明方法简单，适合规模化工业生产的需要；抛光后，钴表面粗糙度可达为0.60nm。
一种用于互连结构 cmp 碱性抛光及其制备方法

[发明专利]一种硅通孔钽阻挡层碱性化学机械抛光液-CN202211568712.4在审
发明人：王如;何彦刚;牛新环;王辰伟;王帅;刘彬;郑涛;董延伟 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明为一种硅通孔钽阻挡层碱性化学机械抛光液。该抛光液的组成包括纳米二氧化硅、钽的络合剂、组氨酸、月桂烷基二羟乙基氧化胺、过氧化氢、去离子水；抛光液pH值为8‑10；其中，各组分所占抛光液的质量百分比分比为：3‑6％的纳米二氧化硅、0.01‑1％的组氨酸与月桂烷基二羟乙基氧化胺复配物、0.5‑1％过氧化氢、1‑3％的钽的络合剂；质量比为，组氨酸：月桂烷基二羟乙基氧化胺＝5：1～10：1。本发明可以有效降低晶圆表面张力，消除晶圆的有机沾污，并且绿色环保，简化抛光液的制备工艺。
一种硅通孔钽阻挡碱性化学机械抛光

[发明专利]一种单根引线位移传感器-CN202111192963.2在审
发明人：王莱雪;任忠明;王永震;张德辉;刘辉;李凯峰;郭道连;王辰伟 -专利权人：大庆油田有限责任公司;中国石油天然气股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G01D5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种单根引线位移传感器，其中，一种单根引线位移传感器，包括：单根引线、铁芯、单根线圈以及外层金属壳体；所述铁芯与所述单根线圈处于所述外层金属壳体内部，所述外层金属壳体用于保护所述单根线圈，以及用于连接待测仪器内的电路；所述单根线圈按铁芯在不同位移时，相邻位移区间内所对应的预设线圈匝数缠绕在所述铁芯外部，所述铁芯用于连接待测仪器；所述单根线圈一端连接所述外层金属壳体，另一端连接单根引线，所述单根引线连接电源。以解决因以往位移传感器安装时需要连接多根单根引线，但测井仪器内部空间有限，导致位移传感器无法安装的问题。
一种引线位移传感器

[发明专利]一种复合抑制剂在CMP中的应用-CN202110909765.7在审
发明人： 王辰伟;田源;张雪;周建伟;王胜利;刘启旭 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合抑制剂在CMP中的应用，旨在提供一种能够有效抑制Cu的去除速率，增强抛光液对碟形坑和蚀坑的修正能力，有利于增强器件可靠性的复合抑制剂在CMP中的应用。所用抛光液中的抑制剂由TTA、BTA或CBT与KOH按照质量比为1‑3:1的比例配置而成。所用抛光液按质量百分比的组成为：硅溶胶5‑20％，氧化剂1‑15％，络合剂0.1‑5％，复合抑制剂0.25‑0.5％，表面活性剂为0.001‑5％，pH值调节剂适量，余量为去离子水。本发明的抛光液通过各种组分的合理配比，在保障抛光效果的情况下，能有效抑制铜的去除速率，对碟形坑和蚀坑修正能力强，增强了抛光的稳定性，提升了芯片的良率。同时，降低了抛光液的配置难度。
一种复合抑制剂 cmp 中的应用

[发明专利]用于降低硅片表面腐蚀的抛光液及其制备和使用方法-CN202210906357.0在审
发明人：雷双双;王辰伟;张俊华;井锋;井康 -专利权人：江苏山水半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及化学机械抛光领域，尤其是涉及一种用于降低硅片表面化学腐蚀的抛光液及其制备和使用方法。抛光液包括如下组分：硅溶胶；腐蚀抑制剂；金属螯合剂；pH调节剂，杀菌剂和去离子水；各组分的质量浓度为：硅溶胶含量为60‑75％；杀菌剂的浓度为0.2‑1.0％；金属螯合剂的浓度为0.5‑1.0％；抛光液的pH值为10‑12；本发明的硅片中抛液可以有效抑制硅片表面的腐蚀，能够有效解决硅片CMP后存在的烧结问题，并获得无雾缺陷、无划伤、无金属杂质沾污的表面。
用于降低硅片表面腐蚀抛光及其制备使用方法

[发明专利]多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法-CN202210278631.4在审
发明人：刘玉岭;康劲;贾会静;赵健;王辰伟;刘启旭;王强;郭峰 -专利权人：康劲
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提出了多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法，涉及化学机械抛光领域。多层铜布线CMP中通过螯合剂修复D坑和蚀坑的方法，包括以下步骤：制备含有FA/O型螯合剂的抛光液；再将抛光液加入抛光机中对图形片进行抛光，得到成品；其中抛光条件为：工作压力为1‑5Psi，抛头转速为88‑108r/min，抛盘转速为100‑110r/min，抛光液流量为200‑300ml/min。本发明利用自钝化理论来实现铜较高的高低速率差，从而达到较高的修正能力，有效抑制了D坑和蚀坑等缺陷的出现，达到平坦化的效果，且FA/O型螯合剂与Cu2+螯合生成的铜胺络合物易溶于水，对环境无污染。
多层布线 cmp 通过螯合剂修复方法

[发明专利]一种用于CMP过程中介质与铜速率选择比的控制方法-CN202210281679.0在审
发明人： 王辰伟;康劲;贾会静;赵健;刘玉岭;盛元慧;刘启旭 -专利权人：康劲
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： B24B37/005 文献下载
摘要：本发明提出了一种用于CMP过程中介质与铜速率选择比的控制方法，涉及化学机械抛光领域。一种用于CMP过程中介质与铜速率选择比的控制方法，包括以下步骤：采用pH值调节剂将抛光液的pH值调节至9.0‑11.5；再将抛光液加入抛光机中对图形片进行抛光，得到成品；其中抛光条件为：工作压力为1‑5Psi，抛头转速为88‑108r/min，抛盘转速为100‑110r/min，抛光液流量为200‑300ml/min。选用pH值调节剂来调整抛光液的pH值，进而控制不同材料的介质与铜的去除速率比，速率选择比可控可调，该控制方法较为简单，精度准，适合规模化工业生产的需要。
一种用于 cmp 过程介质速率选择控制方法

[发明专利]用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用-CN202111211279.4有效
发明人： 王辰伟;周建伟;王胜利;雷双双;王如;井锋;刘启旭 -专利权人：江苏山水半导体科技有限公司;河北工业大学
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明属于化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于大尺寸硅边抛的化学机械抛光液及其制备方法和应用，所述抛光液包括如下重量份组分：硅溶胶650份；金属螯合剂2‑4份；钾盐速率促进剂5‑20份；碱性速率促进剂60‑90份；表面活性剂1‑10份；杀菌剂3‑5份％；pH调节剂5‑10份；去离子水213‑386份。本发明的抛光液通过加入钾离子可以有效提高大尺寸硅边缘的抛光速率、降低大尺寸硅边缘的表面粗糙度，能够满足微电子行业的精度要求。
用于尺寸硅边抛化学机械抛光及其制备方法应用

[发明专利]一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法-CN202210278226.2在审
发明人：贾会静;康劲;王辰伟;姚宇;盛元慧;刘启旭;罗翀 -专利权人：康劲
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明提出了一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法，涉及化学机械抛光领域。一种在GLSI制备中用转速调整铜和介质速率选择比的方法，包括如下步骤：将抛光液加入抛光机中，在抛光头转速为55‑115r/min、抛光盘转速为66‑125r/min条件下对晶圆进行抛光。本发明在该条件下进行抛光，可以控制晶圆表层的杂质去除速率，有效对晶圆表面平坦化处理，使得晶圆表层抛光效果良好，提高产品的成品率和质量。本发明通过在这种抛光液CMP过程中随着转速的变化，铜和介质的速率变化趋势不同，从而实现了通过改变抛光液的不同转速，得到不同铜与介质速率，以及铜和介质的选择比。
一种 glsi 制备中用转速调整介质速率选择方法

[发明专利]一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺-CN202210278624.4在审
发明人：李强;康劲;罗翀;贾会静;王辰伟;杨云点;刘启旭 -专利权人：康劲
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺，涉及化学机械抛光技术领域。一种利用分段抛光降低图形表面缺陷的工艺，包括：将待抛光材料固定在抛头上，进流抛光液，调整抛头和抛盘的转速；对抛头施加压力，使待抛光材料的抛光面与抛盘接触，调整抛头和抛盘的转速，进行一段抛光；降低压力，停流抛光液，采用高压水冲洗抛盘，进行一次水抛；停止水抛，进流抛光液，增加对抛头的压力，进行二段抛光；降低压力，停流抛光液，调整抛头和抛盘的转速，采用高压水冲洗抛盘，进行二次水抛；降低压力，采用高压水冲洗抛光材料，抛光结束。本发明工艺简单，其抛光后图形片表面的粗糙度缺陷数量明显降低，且稳定性高，具有较强的经济效益。
一种利用分段抛光降低图形表面缺陷工艺

[发明专利]用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法-CN202011220177.4有效
发明人： 王辰伟;刘玉岭;罗翀;王胜利;孙鸣;高宝红 -专利权人：河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于多层铜互连阻挡层CMP速率选择性的控制方法，旨在提供一种能控制不同材料的去除速率，从而实现对蝶形坑和蚀坑控制的方法。将抛光液加入抛光机中，在工作压力为1‑2PSI、抛盘转速为80‑100转/分、抛头转速为78‑98转/分、抛光液流量为200‑300ml/min的条件下抛光；所述抛光液由下述组分组成：硅溶胶5‑20％，功能型组分0.001‑10％，表面活性剂0.001‑10％，去离子水余量；功能型组分由A剂、B剂及C剂组成，A剂为FA/O螯合剂、四羟基乙基乙二胺、乙二胺及三乙醇胺中的任一种，B剂为硫酸铜、甘氨酸铜、柠檬酸铜及柠檬酸螯合铜中的任一种；C剂为硝酸钾、柠檬酸钾、酒石酸钾中的一种或者任意混合。该方法能提高芯片成品率和良率。
用于多层互连阻挡 cmp 速率选择性控制方法

[发明专利]GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用-CN202010735582.3有效
发明人：刘玉岭;王辰伟;罗翀 -专利权人：河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种GLSI多层布线高价金属在CMP中的应用，为化学机械抛光平坦化提高稳定性提供一种新技术。所述多层布线高价金属的化合物替代氧化剂。CMP所用抛光液中含有与布线金属种类相同的布线高价金属化合物。采用本发明技术方案的抛光液可以稳定6个月以上，直接使用。使用时，不用专用设备的配置，简化了工艺，大大提高了抛光液的稳定性。而且，运输保存安全，不对设备产生腐蚀，使用更安全。
glsi 多层布线高价金属 cmp 中的应用

[发明专利]用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法-CN201911184055.1有效
发明人：罗翀;王辰伟;徐奕;宋国强;刘玉岭;檀柏梅 -专利权人：河北工业大学
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明属于抛光液领域，具体涉及一种用于降低多层铜互连阻挡层CMP缺陷的碱性抛光液及其制备方法。抛光液由下述组分组成，按质量份百分比计：硅溶胶5‑20％，螯合剂0.1‑5％，表面活性剂0.001‑5％，氧化剂0.001‑10％，去离子水余量；其中，所述的表面活性剂为非离子活性剂和阴离子活性剂进行复配获得。本发明抛光液呈碱性，pH为7.5‑11，不腐蚀设备，不污染环境。本发明使用纳米SiO2溶胶作为抛光液磨料，其浓度高，分散度好、硬度小。本发明由硅溶胶、螯合剂、表面活性剂、助溶剂、氧化剂和去离子水组成，成分简单，稳定性好，价格便宜。
用于降低多层互连阻挡 cmp 缺陷碱性抛光及其制备方法

[发明专利]硅溶胶在微电子领域的应用-CN202011220164.7在审
发明人： 王辰伟;刘玉岭;罗翀;周建伟;高宝红;王如 -专利权人：河北工业大学;天津晶岭微电子材料有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C01B33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅溶胶在微电子领域的应用，而提供一种新型硅溶胶在微电子领域的应用。本发明的硅溶胶在微电子领域的应用，所述硅溶胶由湖北金伟新材料有限公司生产，所述硅溶胶中的原料为澳砂，所述硅溶胶在封闭式全自动条件下生产；在千级无尘条件下灌装及包装；采用0.2微米过滤系统过滤。本发明通过对湖北金伟新材料有限公司所生产的硅溶胶的改进，使其生产的硅溶胶的各方面性能满足微电子领域的使用需要，为国内硅溶胶广泛应用于微电子领域开辟了新途径。本发明精选原材料质量，所使用原材料为进口澳砂，从源头降低产品金属离子含量。
硅溶胶微电子领域应用

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