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[发明专利] 流化床废水处理装置 -CN202310842396.3 在审
发明人：
吴昌永 ;宋玉栋 ;王盼新 席宏波
- 专利权人：
中国环境科学研究院
申请日：
2023-07-10
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公布日：
2023-09-01
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主分类号：
C02F1/78 文献下载
摘要： 本发明涉及水处理技术领域，提供了一种流化床废水处理装置，包括：本体、曝气提升区、氧化区和进气口。本体包括内腔以及位于内腔底部的曝气口和位于内腔顶部的排气口，曝气提升区设置在本体内腔，曝气提升区设置有第一进口和第一出口，第一进口朝向曝气口，氧化区设置在本体内腔，氧化区设置有第二进口和第二出口，第二进口位于第一出口的下游，第二出口位于第一进口的上游，进气口位于氧化区中，且位于第二进口和第二出口之间。本发明提供的流化床废水处理装置在曝气提升区和氧化区可以形成废水和催化剂的内循环流动流化床，氧化区可以减小氧化气体的上升速度，进而提高氧化气体和废水的反应时间，提高对氧化气体的利用率，减少排放量，避免资源浪费。流化床 废水处理 装置
[发明专利] 一种提高石墨相氮化碳光催化性能的方法 -CN202111106037.9 在审
发明人：
杨晓航 ;王盼新 贾若琨
- 专利权人：
吉林医药学院
申请日：
2021-09-22
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公布日：
2022-03-22
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主分类号：
B01J27/24 文献下载
摘要： 本发明公开了一种提高石墨相氮化碳光催化性能的方法，包括如下步骤：将钼前驱体与g‑C3 N4 前驱体混合加入到去离子水中，混合物中g‑C3 N4 前驱体的量为500mg，充分搅拌2小时后置于45℃真空烘箱至混合物完全干燥，再经高温煅烧过程获得双价态钼离子掺杂的g‑C3 N4 光催化剂；去离子水添加量为2mL；高温煅烧过程升温速率设定为5℃/min，保温温度为520℃，保温时间为2小时；通过改变加入钼前驱体的量来调节g‑C3 N4 基质中掺杂的钼元素质量分数：钼前驱体的量为10μmol、20μmol和40μmol时g‑C3 N4 基质中掺杂的钼元素质量分数分别为0.21wt.％、0.41wt.％和0.89wt.％；本发明，通过+2价和+4价双价态钼离子掺杂优化g‑C3N4的电学性质，提供操作简便、光生电荷载流子分离和迁移效率可调的提高g‑C3 N4 光催化性能的方法。一种 提高 石墨 氮化 光催化 性能 方法
