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[实用新型]中式隐形纱窗一体平开门系统-CN202020761726.8有效
发明人： 王家友 -专利权人：博威系统门窗（苏州）有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： E06B3/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了中式隐形纱窗一体平开门系统，涉及到平开门领域，包括框架、平开门一和平开门二，框架的内侧壁上设置有安装槽一和安装槽二，平开门一和平开门二通过铰链分别固定安装在安装槽一和安装槽二内，平开门一和平开门二内均设置有内腔，内腔的内侧壁上固定安装有卷簧，卷簧的一端固定安装有窗纱，内腔的内侧壁上设置有凹槽一，凹槽一的内侧壁上固定安装有毛刷，内腔上设置有通孔一，窗纱的一端穿设在通孔一内，窗纱的一端固定安装有连接块，连接块的一侧设置有凹槽二，凹槽二的内侧壁上固定安装有吸铁石，该中式隐形纱窗一体平开门系统，便于使用，功能多样，具有良好的发展前景。
中式隐形纱窗一体平开门系统

[实用新型]一种静电防尘型纱窗-CN202020762115.5有效
发明人： 王家友 -专利权人：博威系统门窗（苏州）有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： E06B9/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种静电防尘型纱窗，涉及到门窗配件技术领域，包括安装框和窗框，安装框内设置有卡槽，窗框卡设在卡槽内，卡槽的内壁内部设置有容放腔，容放腔上设置有通槽，窗框后侧熔接有连接卡条一，连接卡条一穿过通槽设置在连接卡条一内，窗框内安装有静电网和窗纱，窗纱设置在静电网内侧，窗框内部安装有静电发生器，静电发生器通过电线与静电网连接，窗框上设置有控制开关和接线插头，接线插头通过电线与控制开关连接，控制开关通过电线与静电发生器连接，容放腔内设置有移动块，移动块一侧熔接有连接卡条二，连接卡条二与连接卡条一相扣合，安装框内设置有卡放腔和调节腔，具有防尘效果好，方便清理的特点。
一种静电防尘纱窗

[实用新型]中式隐形纱窗一体内开系统窗-CN202020763758.1有效
发明人： 王家友 -专利权人：博威系统门窗（苏州）有限公司
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： E06B3/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了中式隐形纱窗一体内开系统窗，涉及到中式门窗技术领域，包括窗框、玻璃窗扇和定位框架，玻璃窗扇通过窗合页安装在窗框内侧，定位框架通过螺栓安装在窗框外侧，定位框架内设置有卡槽，卡槽内卡设有花格框架，玻璃窗扇两侧均安装有密封块，密封块内卡设有玻璃板，窗框内设置有放置腔，放置腔内通过卷簧安装有收放窗纱，窗框内设置有移动块，移动块顶部和底部均安装有滑轮，窗框的内壁顶部和底部均设置有滑槽，滑轮卡设在滑槽内，收放窗纱一端卡设在移动块内，移动块一侧安装有磁石块一，窗框的内壁一侧安装有磁石块二，放置腔的内壁上安装有毛刷，毛刷设置在收放窗纱一侧，具有使用方便，便于更换的特点。
中式隐形纱窗体内系统

[发明专利]一种航空发动机空气管路流量校准的方法-CN201711341713.4有效
发明人：赵家军;赵耘墨;杨守辉;陆海鹰;李俊山;范宇;王家友;段玉发;邓明春;熊玉 -专利权人：中国航发沈阳发动机研究所
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G01M15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种航空发动机空气管路流量校准的方法。所述航空发动机空气管路流量校准的方法包括如下步骤：步骤1：对待测试空气管路进行部件试验从而获得截面流量特性曲线；步骤2：将待测试空气管路安装在航空发动机整机中并进行试验，获得试验参数；步骤3：通过所述步骤1中的截面流量特性曲线对所述步骤2中的试验参数进行校准，从而获得校准后的在所述航空发动机整机上的通过所述待测试空气管路的流量。本申请的航空发动机空气管路流量校准的方法能够避免部件试验和整机试车条件下由于测点位置及集气腔结构不一致而带来的误差。对部件试验集气腔的结构设计无特殊要求，降低了成本。
一种航空发动机空气管路流量校准方法

[实用新型]可调式谐振器-CN202021483358.1有效
发明人：吴明;唐兆云;赖志国;杨清华;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：一种可调式谐振器，包括：谐振腔，在衬底中，至少包括中心的第一谐振腔和外围的第二谐振腔；第一堆叠结构，在第一谐振腔上，依次包括下电极第一部分、压电层第一部分和上电极第一部分；第二堆叠结构，在第二谐振腔上，依次包括下电极第二部分、压电层第二部分和上电极第二部分；第一绝缘层，在衬底上，位于下电极第一部分和下电极第二部分之间。依照本实用新型的可调式谐振器，在主谐振器外围增设副谐振器以主动地调节谐振状态，有利于提高器件集成度和效率。
调式谐振器

[发明专利]谐振器制造方法-CN202011029021.8在审
发明人：唐兆云;王家友;唐滨;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种谐振器制造方法，包括：在衬底上形成牺牲层图形；在牺牲层图形上形成下电极；在下电极上形成第二牺牲层图形；在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；去除牺牲层图形和第二牺牲层图形，在上电极和下电极之间留下气隙并在下电极和衬底之间留下谐振腔。依照本发明的谐振器制造方法，利用图形化的牺牲层同时形成谐振腔和电极气隙，并以此形成了多种改善器件特性的微结构如OT和Innie结构，高效且低成本了提高了器件的性能和可靠性。
谐振器制造方法

[发明专利]谐振器制造方法-CN202011028944.1在审
发明人：唐兆云;唐滨;王家友;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种谐振器制造方法，包括：在衬底上形成牺牲层图形；在牺牲层图形上形成下电极；在下电极上形成第二牺牲层图形；在第二牺牲层图形和下电极上形成压电层和上电极；刻蚀上电极、压电层、第二牺牲层图形、下电极形成暴露衬底的通孔；在通孔中形成第三牺牲层图形；去除牺牲层图形、第二牺牲层图形、第三牺牲层图形，留下多个气隙。依照本发明的谐振器制造方法，利用图形化的多个牺牲层同时形成谐振腔和多个气隙以完全包围谐振腔，最大化抑制了声波能量损失，有效提高了Q值。
谐振器制造方法

[发明专利]Q值提升的FBAR谐振器制造方法-CN202011029054.2在审
发明人：唐滨;唐兆云;赖志国;王家友;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种Q值提升的FBAR谐振器制造方法，包括：在衬底上形成下电极；在下电极和衬底上形成压电层，具有第一厚度；平坦化压电层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀压电层直至暴露下电极；在下电极和压电层上形成第二压电层；在第二压电层上形成上电极。依照本发明的谐振器制造方法，依次采用沉积、平坦化、刻蚀工艺分步在沉积第二压电层前形成了底电极和压电层共面的完整平坦平面，减少了缺陷，避免了声波能量泄漏。
提升 fbar 谐振器制造方法

[发明专利]平坦化FBAR谐振器制备方法-CN202011028970.4在审
发明人：唐兆云;王家友;唐滨;赖志国;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L41/332 文献下载
摘要：一种平坦化FBAR谐振器制备方法，包括：在衬底上形成下电极；在下电极和衬底上形成介质层，具有第一厚度；平坦化介质层以将第一厚度减小为第二厚度；刻蚀介质层直至暴露下电极；在下电极和衬底上形成压电层；在压电层上形成上电极。依照本发明的谐振器制造方法，依次采用沉积、平坦化、刻蚀工艺分步在下电极上形成具有平坦表面的压电层，减少了缺陷，避免了声波能量泄漏。
平坦 fbar 谐振器制备方法

[发明专利]晶圆键合方法及其结构-CN201880005379.1有效
发明人：郭帅;王家文;丁滔滔;邢瑞远;王孝进;王家友;李春龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：公开了晶圆键合方法及其结构的实施例。晶圆键合方法可包括对第一晶圆的前表面及第二晶圆的前表面执行等离子活化处理；对第一晶圆与第二晶圆的前表面执行硅溶胶处理；对第一晶圆及第二晶圆执行预键合过程；以及对第一晶圆及第二晶圆执行热处理，以将第一晶圆的前表面键合至第二晶圆的前表面。
晶圆键合方法及其结构

[发明专利]一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积的方法-CN201710775201.2有效
发明人：王秉国;王家友;郁赛华;余思;吴俊;蒲浩;吴关平;万先进 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/11556 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种3D NAND器件栅线缝隙氧化物的沉积方法，在通过栅线缝隙形成栅线并进行清洗之后，进行所述氧化物的沉积，该方法包括：将衬底置于用于氧化物沉积的反应腔中，对所述衬底进行除湿处理，然后进行栅线缝隙氧化物的沉积。实现了3D NAND器件栅线缝隙氧化物的均匀沉积，提高了栅线缝隙表面氧化物沉积的覆盖率，提高了氧化物的绝缘性，减小短路的存在，优化了器件的性能。
一种 nand 器件缝隙氧化物沉积方法

[发明专利]可调式谐振器及其制造方法-CN202010728289.4在审
发明人：吴明;唐兆云;赖志国;杨清华;王家友 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H03B5/32 文献下载
摘要：一种可调式谐振器及其制造方法，谐振器包括：谐振腔，在衬底中，至少包括中心的第一谐振腔和外围的第二谐振腔；第一堆叠结构，在第一谐振腔上，依次包括下电极第一部分、压电层第一部分和上电极第一部分；第二堆叠结构，在第二谐振腔上，依次包括下电极第二部分、压电层第二部分和上电极第二部分；第一绝缘层，在衬底上，位于下电极第一部分和下电极第二部分之间。依照本发明的可调式谐振器及其制造方法，在主谐振器外围增设副谐振器以主动地调节谐振状态，有利于提高器件集成度和效率。
调式谐振器及其制造方法

[发明专利]封装结构及其制造方法-CN202010638514.5在审
发明人：王矿伟;唐兆云;赖志国;王家友;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：提供了一种封装结构及其制造方法，该封装结构包括：多个谐振腔，在衬底中；堆叠结构，在多个谐振腔上，包括下电极、功能层和上电极；封装层，至少在堆叠结构上，包括重叠了堆叠结构的空腔；电连接结构，在多个谐振腔周围，至少穿过封装层与下电极电连接。依照本发明的封装结构及其制造方法，采用低温工艺形成封装层，降低了封装高度，减小了封装残留应力，提高了可靠性。
封装结构及其制造方法

[发明专利]一种新的体声波谐振器及其制造方法-CN202010638601.0在审
发明人：吴明;唐兆云;赖志国;王家友;杨清华 -专利权人：苏州汉天下电子有限公司
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：提供了一种新的体声波谐振器及其制造方法，包括：在衬底上形成第一外延层和第二外延层；在第二外延层上形成下电极层、压电层和上电极层；刻蚀形成多个释放孔，暴露第一外延层；通过多个释放孔，至少部分地去除第一外延层，形成谐振腔。依照本发明的BAW谐振器及其制造方法，无需采用平坦化工艺而在衬底上的外延层中形成谐振空腔，改善了成膜质量，提高了谐振器品质。
一种声波谐振器及其制造方法

[发明专利]一种晶圆键合方法-CN201811524833.2有效
发明人：郭帅;王家文;丁滔滔;邢瑞远;王孝进;王家友;李春龙 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶圆键合方法，包括：提供具有正面和背面的第一晶圆和第二晶圆；对第一和第二晶圆的正面进行等离子体活化处理；对等离子体活化处理后的第一和第二晶圆的正面进一步进行硅溶胶冲洗处理；对硅溶胶冲洗后的第一和第二晶圆执行初步键合工艺；对初步键合的第一和第二晶圆进行热处理。通过硅溶胶冲洗为晶圆正面提供更多的羟基，从而增加键合强度。硅溶胶优选低浓度的硅溶胶。
一种晶圆键合方法