专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于三极管区检测的方法和电路-CN200980120966.6有效
  • H·桑托;K·维埃;D·艾斯 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2009-06-26 - 2011-05-18 - G05F3/02
  • 本发明涉及用于检测晶体管在三极管区中工作的电路和方法,包括用于恒流源中的晶体管的电路。该电路包括具有第一输入端、第二输入端以及输出端的检测器。该检测器的第一输入耦合于晶体管的源极,且该检测器的第二输入耦合于恒流源的设定点端子。该电路还包括耦合于检测器输出端的标记。该检测器的参数被选择成:当晶体管的源极处的电压满足基准条件时,检测器的输出置位该标记。该基准条件是在选定漏-源电流下相对于恒流源的设定点端子处的电压且相对于晶体管的三极管转变电压而建立的。
  • 用于三极管区检测方法电路
  • [发明专利]双相无刷直流电机的无传感器控制-CN200680005455.6无效
  • J·L·拉森 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2006-01-17 - 2008-02-13 - H02P7/06
  • 一种适用于双相无刷直流电机(11,111)的电机控制系统使用从无源定子线圈组(113,114)中测量到的EMF电压(17,117)来控制换向(19,119)。微控制器(101)接收EMF电压的测量值(16,103)并将其与电压阈值作比较,其中电压阈值可以是速度相关的,用于在高电机速度提前换向。EMF电压测量值与阈值的匹配触发驱动另一组定子线圈的换向。微控制器还具有加减计数定时器(105),它的计数值与一外部速度基准(13,109)相比较。计数值的每次匹配都触发脉宽调制(PWM)驱动信号的转变。PWM信号的占空比周期建立控制电机速度的平均驱动电压。
  • 双相无刷直流电机传感器控制
  • [发明专利]适用于双相脉冲调制的宽窗口解码器电路-CN200580038232.5无效
  • D·S·科恩 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2005-08-08 - 2007-10-31 - H03K9/08
  • 一种双相脉冲调制(DPPM)解码器电路(见图3)可处理一系列其脉冲宽度表示连续的若干M数据位组(例如,00、01、10、11)的高和低脉冲形式的DPPM信号,以便于恢复该信号所携带的数据。M位组的2M种可能的数据值各自对应于2M种不同的脉冲宽度中的一种(见图1)。电路模块(图4所示的47和48)通过管线式传送DPPM信号(43)通过一短延迟链(49)并将延迟的输出(T2…T8)及未延迟的信号输入逻辑“与”门(51A-51C)来确定各脉冲的宽度,51A-51C的输出用于触发寄存器(55A-55C)的定时触发。寄存器在各个信号脉冲开始之时被复位至已知状态,并且如果有定时触发就翻转成相反状态。由逻辑(65)诠释寄存的输出(D8、D6、D4),以获得对应的M位组(DATA_H、DATA_L)。
  • 适用于脉冲调制窗口解码器电路
  • [发明专利]用于拓宽脉冲宽度的系统和方法-CN200380104313.1无效
  • S·巴斯;F·皮科特;P·科尔 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2003-11-04 - 2007-10-24 - G11C8/00
  • 一种用于拓宽基于输入信号(18)的脉冲宽度的信号(20)的脉冲宽度的电路(10)和方法。电路(10)在相互异相的SHIFT(52)和OUT(20)信号上产生等于输入信号(18)脉冲宽度的延迟。当电容器(16)施加电压到SHIFT(12)和OUT(14)模块上的两个控制晶体管时,将产生延迟,减少在这些晶体管产生的门控制和在这些信号的下降沿产生延迟,以使SHIFT信号(52)的脉冲宽度减少并且使OUT信号(20)的脉冲宽度增加。电容器(16)由一个由SHIFT信号(52)启动的晶体管(22)来充电。双脉冲系统是自收敛的:当SHIFT信号(52)脉冲宽度为零的时候,OUT信号(20)的脉冲宽度将达到两倍,因为受SHIFT信号控制的晶体管(22)不再给电容器充电,所以电容器(16)的电压电平将保持不变。可以对电路(10)进行修改,因此输出信号(20)脉冲宽度将是输入信号(18)的脉冲宽度乘上一个已知因子的宽度。
  • 用于拓宽脉冲宽度系统方法
  • [发明专利]使用双位线作电流读出的低功率非易失性存储单元-CN200580039345.7无效
  • B·洛耶克 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2005-08-09 - 2007-10-24 - G11C16/04
  • 一种可于低压工作的非易失性存储单元,其通过碰撞电离进行编程。碰撞电离通过一在一浮栅电荷存储晶体管(11)的衬底(20)中限定一虚拟二极管(30)的电荷注入器(25)而产生。通过施加于电荷存储晶体管的推挽电压(-V,+V)(41,45)可对电荷源加偏压,而另一浮栅晶体管(13)则有助于所述电荷存储晶体管的电荷状态的读出。其它的晶体管可切换自一与一读出线(59)相关的读出晶体管(51)的电流,根据所述电荷存储晶体管的电荷状态可在两个位线(41,43)之间进行电流切换。换句话说,所切换的电流可出现于两个位线的其中之一,一个位线表示有存储电荷,而另一位线表示没有存储电荷,即数字0和数字1可在两个位线中明确地表示。
  • 使用双位线作电流读出功率非易失性存储单元
  • [发明专利]使用磁芯存储器的熔丝数据存储系统-CN200580033533.9无效
  • J·孙;王立琦;M·V·乐;P·S·吴 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2005-07-25 - 2007-10-10 - G11C16/04
  • 用于配置非易失性串行存储器磁芯(51)所使用的辅助电路(81)的熔丝数据被存储在存储器磁芯中的位置(54)上。当第一操作码或字通过串行总线(61)发送至存储器时,逻辑电路(67、75、77)截取该字并且在第一命令位的最后位到达之前产生取得熔丝数据和配置辅助电路的读出熔丝启用脉冲。如果指定读出操作,则存储器电路被配置成读出。如果指定写入操作,则从存储器磁芯取得其它熔丝数据,以配置用于写入的辅助电路。熔丝数据可在电路制造过程中写入至存储器磁芯,从而消除了分开存储位置的需要。
  • 使用存储器数据存储系统
  • [发明专利]无虚设字节的闪存存储器读出操作法-CN200580036861.4无效
  • S·佩里瑟蒂 - 爱特梅尔股份有限公司
  • 2005-08-02 - 2007-10-03 - G11C7/00
  • 一种非易失性存储器件(300,见图3),其在连续读出操作(见图5)时无需在接收一读出命令(505)和扫描输出一第一目标数据字节之间设置任何虚设字节。在接收仅一部分最高位地址比特组(509,511)时投机性地读出一组可能的目标数据字节的最高位比特(513)。在接收一完整目标数据地址(515,517)时,就可得到及扫描输出正确的一组最高位目标数据比特(519,521)。在该扫描输出期间,读出其余的目标数据比特(523)并准备好自下一最高位比特开始作扫描输出。这样,就可在接收完整的读出命令和地址后立即和无中断地得到一读出命令标定的数据字节。
  • 虚设字节闪存存储器读出操作法

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