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[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201510184202.0有效
发明人：李娟;张建军;吴玉祥;熊绍珍;蔡宏琨;倪牮;杜阳阳 -专利权人：南开大学
申请日： 2015-04-17 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，由衬底、栅电极、栅绝缘层、有源沟道层和源漏电极叠加组成，其中有源沟道层为有机/无机复合钙钛矿薄膜，各层薄膜的厚度为：栅电极1μm、栅绝缘层200‑400nm、有源沟道层200‑300nm、源漏电极1μm。本发明的优点是：该薄膜晶体管将有机/无机复合钙钛矿材料用于薄膜晶体管的有源沟道层，结合了无机半导体的高迁移率和有机半导体的柔韧、便宜，低温易制备等优点，既具有比有机薄膜晶体管更高的驱动能力，同时又兼具简单、低成本及易于在柔性衬底上的大面积制备的能力；其制备方法简单易行，有利于工业化应用。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法-CN201110215286.1无效
发明人：李娟;叶成枝;尹春建;熊绍珍;宰亚孟 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种用晶核预控制激光晶化法制备多晶硅薄膜材料的方法，步骤如下：1）在石英玻璃衬底上沉积晶化前驱物；2）在晶化前驱物表面涂覆亲和剂，然后在其表面附着镍盐溶液；3）用激光器的激光照射，使其晶化为大晶粒多晶硅，大晶粒的平均粒径为1-20微米；4）将晶化后的多晶硅进行热退火处理，热退火温度为400-600℃，热退火时间为1-2h。本发明的优点是：适用于在大面积衬底上流水线操作制备高质量多晶硅薄膜材料，并可以通过控制旋甩转速和旋甩时间或者浸蘸时间和浸蘸后的喷淋时间以及改变镍盐溶液的浓度来改变晶化效果；该制备工艺简单、成本低；该多晶硅薄膜可用于制备多晶硅薄膜晶体管和多晶硅晶体管电路，具有重要的实用价值。
一种晶核控制激光法制多晶薄膜材料方法

[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管显示基板-CN201110102863.6无效
发明人：孟志国;丁思唯;李娟;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种有源矩阵有机发光二极管显示基板，由像素单元集合而成，像素单元包括扫描线、数据线、公共电源供给线、阴极线、选址TFT、控制TFT、存储电容和像素OLED，公共电源供给线由网状公共电源供给线和环状公共电源供给线构成，两个相邻像素单元之间的公共电源供给线由公共电极交叉岛连接并形成网状结构，与环状公共电源供给线相接的像素单元的公共电源供给线通过接触孔与其连接。本发明的优点：在相同显示面积和亮度时，网状电极的电极总功率耗散为梳状电极的16.1％；在相同显示面积和亮度时，网状电极其电极最大直流电压降为梳状电极的27.3％，这对解决大面积AMOLED基板电极总功率耗散和电极直流电压降提供了有效的方法。
一种有源矩阵有机发光二极管显示

[发明专利]一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法-CN201010528189.3有效
发明人：张晓丹;赵颖;郑新霞;魏长春;许盛之;任慧志;熊绍珍;耿新华 -专利权人：南开大学
申请日： 2010-11-02 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种提高产业化单室沉积非晶硅基薄膜电池效率的方法，将产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池与窄带隙的微晶硅基太阳电池组成多结叠层太阳电池，对中间的np隧穿结进行工艺设计，形成重掺的掺杂层和良好的隧穿特性，具体步骤如下：1）通过氢等离子工艺刻蚀产业化单室沉积的非晶硅基薄膜太阳电池的非晶硅n层；2）然后通过等离子工艺沉积微晶硅n层；3）最后通过等离子工艺沉积微晶硅基电池。本发明的优点和积极效果：本方法通过氢等离子体处理电池非晶硅n层表面氧化物，然后沉积微晶N和微晶硅底电池，在不需要额外引入其它气体情况下，可以拓宽电池的吸收光谱，获得高的开路电压，提高电池的转换效率。
一种提高产业化沉积非晶硅基薄膜电池效率方法

[发明专利]一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法-CN200910244845.4无效
发明人：罗翀;李娟;孟志国;吴春亚;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，将衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得的多层薄膜，在450℃～550℃下氢等离子氛围中退火，较短时间即可获得完全晶化了的多晶硅薄膜。该发明不仅将传统的退火晶化工艺、氢等离子体晶化与钝化工艺合二为一，并且降低了铝诱导晶化的退火时间，减少了热预算，可以较显著地降低成本；本发明通过氢等离子体氛围铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜材料，可用于制备多晶硅薄膜太阳电池、平板显示器件中的低温多晶硅薄膜晶体管等器件，具有工艺简化、热预算少、成本低等特点，是一种适用于大规模工业生产的多晶硅薄膜材料的晶化方法。
一种等离子体氛围诱导多晶薄膜制备方法

[发明专利]一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法-CN200910071052.7有效
发明人：张晓丹;赵颖;王光红;许盛之;郑新霞;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法，在微晶硅基薄膜太阳电池的制备方法中，在沉积完电池的n层后且下一个电池还没有进入到反应室中时，采用空腔室辉光方式进行反应腔室中含磷区域的处理，然后再沉积新电池的p层材料。本发明的优点和积极效果：本发明在单室内沉积完上一个电池的n层后，在下一个电池进入反应室前，仅采用原位微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池沉积所用的反应气体来进行空腔室辉光的磷污染处理技术，以便降低对随后沉积下一个电池的p层材料特性的影响。这种方法既不增加新的设备改造投资，又不需要引入额外的其它非反应气体，并且可以有效降低磷污染，同时提高电池效率。
一种改善沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能方法

[发明专利]一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法-CN200910071050.8有效
发明人：张晓丹;赵颖;王光红;许盛之;郑新霞;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种提高单室沉积硅基太阳电池用窗口层材料性能的方法，制备单室沉积硅基薄膜太阳电池的窗口层材料采用高频率、高气压、高功率密度和小电极间距相结合的工艺，该方法既适用于单结、双结或三结叠层微晶硅基或纳米硅基薄膜太阳电池，也适用于分室微晶硅基薄膜太阳电池的沉积。本发明的有益效果是：该方法工艺简单、成本低、交叉污染低、实用性强，利用快速成核工艺制备的窗口层材料同时具有高电导率和高透过率，明显提高了硅基薄膜太阳电池的开路电压和短路电流密度，进而提高硅基薄膜太阳电池的光电转换效率，特别是对单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的产业化具有非常重要的意义。
一种提高沉积太阳电池窗口材料性能方法

[发明专利]检测上转换材料对太阳电池短路电流密度提高效果的装置-CN200910069331.X有效
发明人：张晓丹;王东丰;赵颖;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-06-19 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测上转换材料对太阳电池短路电流密度提高效果的装置，包括有工作暗室(10)，该工作暗室(10)里水平放置有近红外光源(20)，所述近红外光源(20)的右边纵向设置有太阳电池(30)，所述太阳电池(30)位于所述近红外光源(20)右端发射孔相对应的位置，所述太阳电池(30)的两极与工作暗室(10)外部的电流表(40)相连，所述太阳电池(30)上设置有上转换材料(50)。本发明提供的装置可以通过检测不同的上转换材料对太阳电池短路电流密度的提高效果，实现对不同上转换材料的光转换效果的验证，获知不同上转换材料对太阳电池效率的提高效果，从而促进上转换材料制备技术的发展以及在太阳电池中的应用。
检测转换材料太阳电池短路电流密度提高效果装置

[发明专利]具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法-CN200910069035.X有效
发明人：张晓丹;赵颖;焦宝臣;魏长春;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种具有类金字塔结构的绒面ZnO薄膜的制备方法。本发明以醋酸锌作为Zn源，硝酸铟或醋酸铟作为掺杂铟源，硝酸铝或醋酸铝作为掺杂铝源，硝酸镓或醋酸镓作为掺杂镓源，以无水乙醇和/或水作为溶剂，分别配置成一定浓度的锌源溶液和掺杂源溶液，并混合，再向其中加入冰乙酸；用高纯N₂或空气作为载气，把上述反应液输送至薄膜沉积室内进行生长。衬底可为玻璃或不锈钢等，生长温度为300℃-550℃。本发明在不需要B₂H₆掺杂的情况下，采用廉价无毒的化学药品，利用低成本的超声雾化设备直接获得具有光散射特征的绒面结构的ZnO薄膜；因此本发明对环境不会造成污染，属于“绿色”环保型技术，该方法可适合大面积(例如S＝1.2m×0.6m)ZnO透明导电薄膜的制备。
具有金字塔结构 zno 薄膜制备方法

[发明专利]提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法-CN200910069034.5有效
发明人：张晓丹;孙福和;赵颖;许盛之;王光红;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-27 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池效率的制备方法。本发明在传统的微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的p/i界面引入高晶化率的界面层来实现降低硼污染的影响，进而提高单室沉积微晶硅基(纳米硅基)薄膜太阳电池的光电转换效率。电池的类型针对本征i层而言，即包括微晶硅基(微晶硅、微晶硅锗、微晶硅碳或微晶硅氧等)、也包括纳米硅基(纳米硅、纳米硅锗、纳米硅碳或纳米硅氧等)的薄膜太阳电池。此微晶硅基(纳米硅基)电池的类型即包括单结微晶硅基(纳米硅基)电池，也适用于由其构成的双结或三结叠层太阳电池。该方法不需增加新的设备改造投资成本，又降低了污染，同时有效提高电池效率。
提高沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率制备方法

[发明专利]硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法-CN200910068787.4有效
发明人：张晓丹;赵颖;岳强;魏长春;侯国付;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法，涉及薄膜太阳电池领域。本发明的硅基薄膜太阳电池用背反射电极为n型SiOx材料(x＝0.1～1.5)，其导电类型为n型。背反射电极的制备，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术或热丝化学气相沉积技术或甚高频等离子体增强化学气相沉积技术。本发明采用与硅基薄膜太阳电池相同的化学气相沉积技术，在制备硅基薄膜太阳电池n层后，原位沉积具有和ZnO背反射电极相类似作用的n型SiOx材料，所使用的制备技术和电池中n层材料的制备技术有很好的兼容性，可以使用相同的沉积方法，不需要更换沉积系统，只需要变换反应气体或宏观沉积参数，工艺简单且有利于降低成本。
薄膜太阳电池反射电极及其制备方法

[发明专利]一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法-CN200910068786.X有效
发明人：张晓丹;赵颖;张鹤;魏长春;侯国付;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2009-05-11 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：一种改善高速沉积微晶硅材料中非晶孵化层的方法，公开了一种改善高速沉积本征微晶硅薄膜中起始非晶孵化层的方法：将衬底放在真空室内，采用等离子体增强化学气相沉积或者热丝化学气相沉积技术在衬底上沉积高速率本征微晶硅薄膜；采用改变沉积过程中加热温度的办法来改变反应前驱物在衬底表面的迁移能力，进而来改变高速率材料初期的非晶孵化层。本发明有益效果是：通过改变沉积高速率微晶硅材料时的加热温度，而达到对反应前驱物在衬底表面迁移时间的控制，进而达到改善材料非晶硅孵化层厚度的效果。
一种改善高速沉积微晶硅材料中非孵化方法

[发明专利]一种以聚乙烯吡咯烷酮为成膜剂的光阳极浆料及制备方法-CN200810154057.1无效
发明人：张晓丹;赵颖;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-12-15 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：一种以聚乙烯吡咯烷酮为成膜剂的光阳极浆料，原料包括乙醇、乙酰丙酮、聚乙二醇、曲拉通、松油醇，以聚乙烯吡咯烷酮为成膜剂；该浆料的制备步骤是：将聚乙烯吡咯烷酮在常温下溶解于酒精中；将光阳极粉、乙酰丙酮、曲拉通、松油醇放入上述溶剂中，研磨30分钟，使其成粘液状即可。本发明的优点是：用聚乙烯吡咯烷酮作为成膜剂，不但价钱便宜，而且使制备的光阳极浆料具有更优异的性能，如成膜性、粘接性；由于聚乙烯吡咯烷酮是一种水溶性的高分子化合物，具有优异的溶解性，吸湿性、热膨胀性和络合性好；利用PVP制备的薄膜，提高了TiO₂薄膜吸附染料的数量和电池的短路电流密度，进而提高电池的光电转换效率。
一种聚乙烯吡咯烷酮成膜剂阳极浆料制备方法

[发明专利]电流镜型TFT-OLED显示像素单元电路及制备方法-CN200810152752.4无效
发明人：孟志国;孙鹏飞;李娟;吴春亚;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-04-08 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种电流镜型TFT-OLED显示像素单元电路，包括有：四个多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4、一个有机发光二极管OLED、一个电容Cs，该T3、T4管完全对称，由T3、T4构成一个电流镜，T1、T2作为开关管，行扫描信号加在这两个管的栅极，以控制数据电流的通断，电容Cs以电压形式存储显示数据，其两端的电压加载到T4的栅极上，以驱动OLED发光，所述多晶硅TFT管T1、T2、T3、T4均为P沟道器件。本发明还提供了高质量镜像TFT管的横向晶化或激光晶化制备方法。本发明可以提高组成镜像流的TFT管的器件特性的一致性与精确性，可以提高OLED屏的图像响应速度、图像灰度级和画面显示质量。
电流 tft oled 显示像素单元电路制备方法

[发明专利]染料敏化太阳电池用有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜-CN200810152279.X有效
发明人：张晓丹;赵颖;蔡宁;耿新华;熊绍珍 -专利权人：南开大学
申请日： 2008-10-10 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明公开一种染料敏化太阳电池用有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜，纳米多孔半导体薄膜，是由染料敏化纳米太阳电池用的常规纳米多孔半导体薄膜和具有上转换功能的上转换材料的组合，或是采用化学的或物理的方法直接合成具有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜。常规纳米多孔半导体薄膜和上转换材料的组合，是通过机械搅拌或超声混合的方式组合成纳米多孔半导体薄膜，或是直接将稀土离子掺入到常规的纳米多孔半导体薄膜中，形成具有上转换功能的纳米多孔半导体薄膜。上转换材料和常规纳米多孔半导体薄膜之间的比例为0.01－1之间。本发明它可将红外光上转换为染料敏化纳米材料易于吸收的可见光，可以有利于增强染料分子吸收更宽谱域的太阳光，这样将进一步提高电池的光电转换效率。
染料太阳电池用有上转换功能纳米多孔半导体薄膜

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