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[发明专利]太赫兹波用光学元件及其制造方法-CN201910903036.3有效
发明人：河田阳一;高桥宏典;池田吉纪;添田淳史 -专利权人：浜松光子学株式会社;帝人株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G02B1/11 文献下载
摘要：本发明提供一种太赫兹波用光学元件，其具备：光学部件，其具有硅表面；防反射膜，其具有以环烯烃类聚合物为主成分的有机树脂、及分散在该有机树脂中的无机颗粒；粘接层，其在防反射膜的厚度方向上位于光学部件及防反射膜之间，粘接光学部件的硅表面及防反射膜。粘接层含有热改性后的烯烃类聚合物。
赫兹用光元件及其制造方法

[发明专利]热改性聚合物层-无机基材复合体、聚合物构件-无机基材复合体及它们的制备方法-CN201910904176.2有效
发明人： 添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B05D7/00 文献下载
摘要：本发明提供热改性聚合物层‑无机基材复合体、聚合物构件‑无机基材复合体和它们的制备方法。制备热改性聚合物层‑无机基材复合体110、120的本发明的方法包括：在无机基材10上形成第1聚合物层，然后加热第1聚合物层而使其热改性，由此在无机基材上粘附第1热改性聚合物层20。另外，制备聚合物构件‑无机基材复合体210、220的本发明的方法包括：利用本发明的方法制备热改性聚合物层‑无机基材复合体，和将聚合物构件与第1热改性聚合物层接合，以使聚合物构件30经由第1热改性聚合物层与无机基材接合。
改性聚合物无机基材复合体构件它们制备方法

[发明专利]与热塑性树脂的相容性优异的聚合物-CN202180026392.7在审
发明人：野村晃久;添田淳史;畳开真之;山中克浩 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C08L81/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供与热塑性树脂的相容性优异的聚合物。本发明的聚合物(B)主要包含下述式(1)、(2)和(3)所表示的单元，在使单元(1)、(2)和(3)的总计摩尔数为100摩尔时，单元(1)的摩尔数为0～95摩尔，单元(2)的摩尔数为0～50摩尔，单元(3)的摩尔数为2～80摩尔。单元(1)～(3)中，X为具有苯环的重复单元，单元(2)中，‑CH3为取代了X的苯环氢原子的甲基，m表示取代的数，且为1～6的整数，单元(3)是单元(2)的‑CH3的氢原子被来自羧酸或其酸酐的取代基“Z”取代而得的单元，n表示取代的数，且为1～6的整数，且l+n＝m，单元(3)是n为1、2、3、4、5或6的单元或是由它们的组合构成的单元。
塑性树脂相容性优异聚合物

[发明专利]聚合物部件-无机基材复合体、其制备方法和用于其的聚合物部件-CN202080019311.6在审
发明人： 添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明提供聚合物部件‑无机基材复合体、其制备方法以及用于其的聚合物部件。制备聚合物部件‑无机基材复合体210、220的本发明的方法包括：提供在无机基材10上密合有一个或多个热变性聚合物层20、21、22的热变性聚合物层‑无机基材复合体110、120，和经由一个或多个热变性聚合物层20、21、22使聚合物部件30、31、32与无机基材接合。
聚合物部件无机基材复合体制备方法用于

[发明专利]感光性树脂组合物和半导体设备制造方法-CN201680076774.X有效
发明人： 添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：提供具有高温耐热性且具有导电性、对半导体基材而言不存在产生金属杂质的担忧、能够进行图案形成、且能够以低成本应用于高温的离子注入工艺的感光性树脂组合物、和使用这样的组合物的半导体设备的制造方法。本发明的感光性树脂组合物含有感光性树脂、以及导电性材料和/或半导体材料的颗粒。此外，制造半导体设备的本发明的方法包括：在半导体层或基材(2)上形成本发明的感光性树脂组合物的膜的图案(11)的步骤；将感光性树脂组合物的膜的图案进行煅烧从而形成离子注入用掩模(13)的步骤；通过离子注入用掩模的图案开口部(12)向半导体层或基材(2)注入离子的步骤；和，去除离子注入用掩模(13)的步骤。
感光性树脂组合半导体设备制造方法

[发明专利]有机半导体薄膜的制造方法-CN201480023139.6有效
发明人：竹谷纯一;添田淳史 -专利权人： PI-克瑞斯托株式会社
申请日： 2014-04-23 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：将使有机半导体材料溶解在溶媒中的原料溶液(6)向基板(1)上供给，通过使溶媒蒸发而使有机半导体材料的结晶析出，在基板上形成有机半导体薄膜(7)。使用在一侧面上设有接触面(2a)的端面成形部件(2)；以接触面相对于基板的表面以一定的角度交叉的方式，使端面成形部件对置配置；将原料溶液向基板上供给而形成与接触面接触的原料溶液的液滴(6a)；向作为与基板的表面平行的方向、端面成形部件从液滴远离的方向，使基板和端面成形部件相对移动，并且，一边供给原料溶液以将伴随着相对移动的液滴的大小的变动维持在规定的范围，一边使液滴中的溶媒蒸发而在接触面移动后的基板上形成有机半导体薄膜。通过使用基于液滴形成的溶媒蒸发法的简单的工序，能够制作大面积且具有较高的电荷移动度的有机半导体单结晶薄膜。
有机半导体薄膜制造方法

[发明专利]离子注入掩模形成用分散体、离子注入掩模的形成方法以及半导体器件制造方法-CN201780013284.X在审
发明人： 添田淳史;池田吉纪 -专利权人：帝人株式会社
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：提供一种用于形成在半导体制造工序中的离子注入工序中使用的离子注入掩模的分散体、以及使用该分散体的半导体器件的制造方法。本发明的离子注入掩模形成用分散体含有分散介质、在分散介质中分散的粒子、以及任意地含有耐热性粘结剂形成成分。制造半导体器件的本发明的方法包含：将本发明的分散体的膜的图案形成在半导体层或基材上的工序、对该膜的图案进行干燥和/或烧结来形成离子注入用掩模（13）的工序、通过该离子注入用掩模的图案开口部（12）向半导体层或基材（2）注入离子（7）的工序、以及除去离子注入用掩模的工序。
分散体离子注入掩模掩模离子半导体器件半导体层分散介质基材半导体器件制造半导体制造工序离子注入工序耐热性粘结剂图案图案形成注入离子烧结开口部粒子制造