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[发明专利]集成的相干长度减小的激光器-CN202310350265.3在审
发明人： A·斯科菲尔德;张毅;A·J·齐尔克;A·特里塔 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器，所述激光器包括由第一反射器和第二反射器限定的激光腔。所述激光腔包括增益区和用于降低激光输出的相干性的腔内调制级。所述腔内调制级包括被配置为支持多个光模的区。所述第二反射器是宽带反射器，所述宽带反射器具有被配置为支持所述多个光模的反射光谱。
集成相干长度减小激光器

[发明专利]用于制备用于微转移印刷的器件试样的方法、包括所述器件试样的器件晶片以及由所述器件晶片制造的光电器件-CN202180062660.0在审
发明人： F·皮特斯;M·德奈卡 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种从位于器件晶片衬底上的多层叠层制备用于微转移印刷工艺的器件试样的方法。所述多层叠层包括多个半导体层。所述方法包括以下步骤：(a)蚀刻所述多层叠层以形成包括光学部件的多层器件试样；以及(b)蚀刻所述多层器件试样的半导体层以形成一个或多个拴系件，所述拴系件将所述多层器件试样固定到一个或多个支撑件。
用于制备转移印刷器件试样方法包括晶片以及制造光电

[发明专利]试样晶片及其制备方法-CN202180087352.3在审
发明人： L·卡洛;余国民 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：一种用于微转印工艺的试样晶片。所述试样晶片包括通过一个或多个栓绳附接到试样晶片的衬底的装置试样；其中所述栓绳或每个栓绳是至少部分地延伸穿过装置试样以接触试样晶片的衬底的柱。
试样晶片及其制备方法

[发明专利]光子集成电路-CN202180089423.3在审
发明人： R·格罗特 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G01J3/42 文献下载
摘要：本发明公开一种用于高光谱光谱术的光子集成电路。所述光子集成电路包括：多谱段激光源，所述多谱段激光源被配置成产生多谱段光学信号；调制器，所述调制器被配置成将所述多谱段光学信号分离成第一分量和第二分量，并且对所述第一分量应用升频啁啾调制简表并对所述第二分量应用降频啁啾调制简表；第一传输器和接收器模块，所述第一传输器和接收器模块被配置成传输所述调制的第一分量并接收所述第一分量的反射；以及第二传输器和接收器模块，所述第二传输器和接收器模块被配置成传输所述调制的第二分量并接收所述第二分量的反射。
光子集成电路

[发明专利]电光有源装置-CN201780038803.8有效
发明人：余国民;张毅;A.齐尔基 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G02F1/017 文献下载
摘要：一种基于硅的电光有源装置及其生产方法，所述装置包括：绝缘体上硅(SOI)波导；在所述SOI波导的空腔内的电光有源堆叠；以及在所述电光有源堆叠与所述SOI波导之间的通道；其中所述通道由填充材料填充，所述填充材料的折射率大于形成所述空腔的侧壁的材料的折射率，以在所述通道中在所述SOI波导与所述电光有源堆叠之间形成桥波导。
电光有源装置

[发明专利]光学感测模块-CN202180079737.5在审
发明人： S·梅里特;R·帕尔萨;S·陈加瓦;C·达尔维;H·F·琼斯;张毅 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B6/00 文献下载
摘要：一种适用于气相样品的光学感测模块，所述光学感测模块包括：硅或氮化硅发射器光子集成电路(PIC)，所述发射器PIC包括：一个或多个激光器，所述一个或多个激光器中的每个激光器在与其他激光器的波长不同的波长下工作；用于源自所述一个或多个激光器的光的一个或多个光学输出，所述光学输出被布置为使得所述光与所述气相样品相互作用；以及一个或多个光电检测器，所述一个或多个光电检测器被配置为在与所述气相样品相互作用之后检测光。
光学模块

[发明专利]光学感测模块-CN202180068036.1在审
发明人： C·达尔维;S·梅里特;H·阿贝迪亚斯尔;J·德里斯科尔;A·贡达连科;R·格罗特;S·佩蒂基安;D·A·尼尔松 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-08-02 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种用于漫反射组织监测的传感器系统，所述传感器系统包括：一个或多个集成光子硅或氮化硅宽带收发器电路，所述一个或多个收发器电路用于多波长漫反射组织监测，其中所述一个或多个收发器电路包括发射器光子集成电路(PIC)，所述发射器PIC包括光学相控阵列(OPA)，所述OPA包括引导机构以在所述组织上引导所发射的光。
光学模块

[发明专利]测试方法、晶片和测试站-CN202180064918.0在审
发明人： M·德尔奈卡;L·卡洛;A·佩罗特;杨华;F·皮特斯 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R31/308 文献下载
摘要：一种测试位于相应的装置试样上的一个或多个光电子装置的方法。所述装置试样存在于晶片上。所述方法包括：使用对应测试元件通过以下测试协议中的任一者测试所述一个或多个光电子装置，所述测试元件与所述装置试样位于同一晶片上：在第一测试协议中，操作所述光电子装置以产生光学输出并检测从受测试的所述光电子装置入射在所述测试元件上的光；或在第二测试协议中，由受测试的所述光电子装置检测从所述测试元件接收的所述光。
测试方法晶片

[发明专利]雪崩光电二极管结构-CN201880004525.9有效
发明人：余国民 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：一种基于锗的雪崩光电二极管装置以及其制造方法。所述装置包括：硅衬底；下部掺杂硅区，所述下部掺杂硅区定位在所述衬底上方；硅倍增区，所述硅倍增区定位在所述下部掺杂硅区上方；中间掺杂硅区，所述中间掺杂硅区定位在所述硅倍增区上方；未掺杂锗吸收区，所述未掺杂锗吸收区定位在所述中间掺杂硅区上方；上部掺杂锗区，所述上部掺杂锗区定位在所述未掺杂锗吸收区上方；以及输入硅波导；其中：所述未掺杂锗吸收区和所述上部掺杂锗区形成耦合到所述输入波导的锗波导，并且所述装置还包括第一电极和第二电极，并且所述第一电极横向地延伸以接触所述下部掺杂硅区，并且所述第二电极横向地延伸以接触所述上部掺杂锗区。
雪崩光电二极管结构

[发明专利]波导结构-CN202180063951.1在审
发明人： A·斯科菲尔德 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种波导结构。在一些实施方案中，所述波导结构包括：位于衬底(115)上的第一波导(105)、第二波导(120)和第三波导(125)。所述第一波导(105)与所述第二波导(120)相比可处于不同的高度。所述波导可被配置来致使光在所述第一波导(105)与所述第二波导(120)之间以及所述第二波导(120)与所述第三波导(125)之间耦合。所述第一波导(105)、所述第二波导(120)和所述第三波导(125)可由分别具有第一折射率、第二折射率和第三折射率的相应材料构成。所述第三材料可包括硅和氮。所述第二折射率可大于所述第一折射率且小于所述第三折射率。
波导结构

[发明专利]波导装置和掺杂波导装置的方法-CN201780074837.2有效
发明人： D.莱罗塞;H.阿贝戴斯尔;A.S.纳格拉 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2017-12-01 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种波导装置和掺杂波导装置的方法，所述波导装置包括肋形波导区，所述肋形波导区具有：基底，以及从所述基底延伸的脊状物，其中：所述基底包括在所述脊状物的第一侧处的第一平板区，和在所述脊状物的第二侧处的第二平板区；第一掺杂平板区沿着所述第一平板区延伸；第二掺杂平板区沿着所述第二平板区延伸；第一掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第一侧壁并且沿着所述第一平板的一部分延伸，所述第一掺杂侧壁区在第一平板界面处与所述第一掺杂平板区接触；并且第二掺杂侧壁区沿着所述脊状物的第二侧壁并且沿着所述第二平板的一部分延伸，所述第二掺杂侧壁区在第二平板界面处与所述第二掺杂平板区接触；并且其中所述脊状物的所述第一侧壁与所述第一平板界面之间的间隔不多于10μm；并且其中所述脊状物的所述第二侧壁与所述第二平板界面之间的间隔不多于10μm。
波导装置掺杂方法

[发明专利]偏振旋转器-CN201910242731.X有效
发明人：吴东润;A.J.齐尔基 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B6/126 文献下载
摘要：本文公开了一种偏振旋转器和偏振稳定器。所述偏振旋转器包括肋形波导。所述肋形波导包括：平板部分；以及脊部分，所述脊部分沿所述平板部分的表面安置。所述平板部分具有第一平板区域，在垂直于所述波导的引导方向的方向上测量的所述第一平板区域的宽度沿着第一长度从第一平板宽度增加到第二平板宽度，并且所述脊部分具有第一脊区域，在与所述平板宽度方向相同的方向上测量的所述第一脊区域的宽度沿着所述同一个第一长度从第一脊宽度减小到第二脊宽度；以使得所述旋转器被配置成在光透射通过所述肋形波导期间使光的偏振旋转。
偏振旋转

[发明专利]光电子器件及其制造方法-CN202180056459.1在审
发明人： A·J·齐尔克;H·尼卡宁;F·皮特斯;C·S-C·蔡;余国民 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：公开了一种光电子器件。所述器件包括：绝缘体上硅平台，所述绝缘体上硅平台包括形成在硅器件层中的硅波导、硅衬底和腔；基于III‑V族半导体的器件，所述基于III‑V族半导体的器件位于所述绝缘体上硅平台的所述腔内并包含耦合到所述硅波导的基于III‑V族半导体的波导。位于所述基于III‑V族半导体的器件与所述衬底之间的所述腔的床的区域包括图案化表面，所述图案化表面被配置为与所述基于III‑V族半导体的器件的所述基于III‑V族半导体的波导内的光信号相互作用。
光电子器件及其制造方法

[发明专利]用于微转印的转印模具-CN202180030933.3在审
发明人：杨华;A·斯科菲尔德;F·皮特斯 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种制造转印模具的方法。所制造的转印模具包括适于接合到绝缘体上硅晶片的半导体装置。所述方法包括以下步骤：在半导体堆叠中提供非导电隔离区域，所述半导体堆叠包括衬底上方的牺牲层；以及从所述半导体堆叠的上表面将隔离沟槽蚀刻到所述半导体堆叠中，使得所述隔离沟槽仅延伸到所述半导体堆叠的在所述牺牲层上方的区域。所述隔离沟槽和所述非导电隔离区域一起将光电子装置中的接合焊盘与波导区域分离。
用于微转印印模

[发明专利]光学模式分路器-CN202180036713.1在审
发明人：刘阳旸;A·特里塔 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-05-21 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G02B6/122 文献下载
摘要：一种分路器。在一些实施方案中，所述分路器包括：输入波导；第一输出波导；第二输出波导；第一内部波导，所述第一内部波导连接到所述输入波导和所述第一输出波导；以及第二内部波导，所述第二内部波导耦合到所述第一内部波导并且连接到所述第二输出波导。所述分路器可被配置成当在所述输入波导处在所述输入波导的基本模式下被馈送电力或在所述输入波导的一阶空间模式下被馈送电力时：将所述基本模式下的所述电力的至少80％传输到所述第一输出波导，并且将所述一阶空间模式下的所述电力的至少80％传输到所述第二输出波导。
光学模式分路

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