“洛克利光子有限公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果118个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]宽带星形耦合器-CN201880039673.4有效
发明人： A.特里塔;T.P.施兰斯 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光学装置。在一些实施方案中，所述光学装置包括：第一界面；第二界面；在所述第一界面处的第一多个波导；在所述第二界面处的第二多个波导；以及自由传播区。所述第一多个波导中的第一波导具有比所述第一多个波导中的第二波导大至少20%的宽度。
宽带星形耦合器

[发明专利]制造光电子部件的方法-CN202080074582.1在审
发明人：余国民 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种在绝缘体上硅衬底内制造光电子部件的方法，所述方法包括：提供绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括硅基层、在所述基层的顶上的掩埋氧化物(BOX)层和在所述BOX层的顶上的硅器件层；将第一腔区蚀刻到所述SOI衬底中并且将第二腔区蚀刻到所述SOI衬底中，所述第一腔区具有第一深度并且所述第二腔区具有第二深度，所述第二深度大于所述第一深度；将多堆叠外延层同时地沉积到所述第一腔区和所述第二腔区中，所述多堆叠外延层包括第一多堆叠部分和第二多堆叠部分，所述第一多堆叠部分包括第一有源区，所述第二多堆叠部分包括第二有源区；其中基于所述第一腔区和所述第二腔区的深度差来选择在所述多堆叠外延层内的所述第一有源区和所述第二有源区的相对间隔，使得在所述同时沉积步骤之后，所述第一腔区内的所述第一有源区与所述第二腔区内的所述第二有源区位于光电子器件的相同水平处并且位于与SOI器件层相同的水平处。
制造光电子部件方法

[发明专利]光调制器和制造光调制器的方法-CN202080074662.7在审
发明人： A·斯科菲尔德 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种MOS电容器型光调制器，包括：绝缘体上硅(SOI)衬底；第一掺杂区，所述第一掺杂区在所述SOI衬底的硅器件层中；以及第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区由竖直地延伸的绝缘体层横向地分离以形成横向MOS电容器区。所述第一掺杂区、所述第二掺杂区和所述绝缘体层由不同的材料形成。
调制器制造方法

[发明专利]线性化调制器-CN202080075237.X在审
发明人： A·斯科菲尔德;T·P·施兰斯;A·J·兹尔基 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种电光调制器。所述电光调制器包括：输入波导，所述输入波导被配置为将光引导到所述电光调制器的调制区域中；在所述调制区域内的多个子调制器，每个子调制器在所施加的电压与光学相移之间具有传递函数；以及输出波导，所述输出波导被配置为将光引导出所述调制区域。每个子调制器的传递函数的组合使得在所施加的电压与调制区域的光学相移之间的总传递函数在工作电压范围内基本上是线性的。
线性化调制器

[发明专利]电光封装和制造方法-CN202111544382.0在审
发明人：李书和;G·C·拜尔德 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：一种电光封装。在一些实施方案中，所述封装包括：载体；第一集成电路，所述第一集成电路位于所述载体上；第一接合层，所述第一接合层位于所述载体与所述第一集成电路之间；热电冷却器，所述热电冷却器位于所述载体上；第二集成电路，所述第二集成电路位于所述热电冷却器上；以及第一引线接合件。所述第一引线接合件可将所述第一集成电路上的第一焊盘连接到所述第二集成电路上的第二焊盘，所述第一焊盘和所述第二焊盘具有小于100微米的高度差。
电光封装制造方法

[发明专利]光环调制器-CN202080074495.6在审
发明人： A·斯科菲尔德 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：一种用作PAM‑N调制器的光环调制器，所述光环调制器包括：第一光波导，所述第一光波导形成总线波导；环形波导，所述环形波导光学地耦合到所述总线波导；其中，所述环形波导包括：具有第一pn结或第一Moscap的第一电极区域，所述第一pn结或第一Moscap被配置为在跨所述第一pn结或第一Moscap施加给定电压时产生第一相移；以及具有第二pn结或第二Moscap的第二电极区域，所述第二pn结或第二Moscap被配置为在跨所述第二pn结或第二Moscap施加所述给定电压时产生第二相移，其中所述第二相移小于所述第一相移。
光环调制器

[发明专利]光电子装置及其制造方法-CN202080077449.1在审
发明人：张毅;C-T·仇;W·维斯;A·S·纳格拉;H·阿贝迪亚斯尔 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G02B6/125 文献下载
摘要：一种光电子装置(100)。所述装置(100)包括：绝缘体上硅SOI晶片(120)，所述SOI晶片包括空腔(126)和输入波导(116)，所述输入波导(116)光学地耦合到所述空腔(126)中；以及镜(110)，所述镜位于所述空腔(126)内并且接合(128)到所述空腔的底床，所述镜(110)包括反射器(114)，所述反射器被配置成反射从所述SOI晶片(120)中的所述输入波导(116)接收到的光(124)。
光电子装置及其制造方法

[发明专利]电光调制器-CN202080066681.5在审
发明人： A·斯科菲尔德 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种基于金属氧化物半导体电容器MOSCAP的电光调制器。所述调制器包括：输入波导；调制区域，所述调制区域耦合到所述输入波导；以及输出波导，所述输出波导耦合到所述调制区域。所述调制区域包括n‑i‑p‑n结，所述n‑i‑p‑n结包括：第一n掺杂区域，所述第一n掺杂区域通过本征区域与p掺杂区域间隔开；以及第二n掺杂区域，所述第二n掺杂区域通过所述p掺杂区域与所述本征区域间隔开并且在所述本征区域的与所述第一n掺杂区域相对的一侧上。
电光调制器

[发明专利]分布式反馈激光器-CN202080005821.8在审
发明人： M·阿拉卢西;K·马素达;P·斯里尼瓦桑 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种安装在硅光子集成电路(Si PIC)上的分布式反馈激光器(DFB)，所述DFB具有从所述DFB激光器的第一端延伸到所述DFB激光器的第二端的纵向长度，所述DFB激光器包括：外延堆栈，所述外延堆栈包括：一个或多个活性材料层；包括部分光栅的层，所述部分光栅从所述DFB激光器的所述第二端仅部分地沿着所述DFB激光器的所述纵向长度延伸，使得所述部分光栅不延伸到所述DFB激光器的所述第一端；高反射介质，所述高反射介质位于所述DFB激光器的所述第一端；以及后端面，所述后端面位于所述DFB激光器的所述第二端。
分布式反馈激光器

[发明专利]光电子器件和制造光电子器件的方法-CN202080063642.X在审
发明人：余国民 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： G02F1/225 文献下载
摘要：一种光电子器件，包括光波导，所述光波导形成在绝缘体上硅晶片的硅器件层中。所述光波导包括半导体结，所述半导体结包括半导体材料的第一掺杂区和半导体材料的第二掺杂区。所述第二掺杂区包含与所述第一掺杂区不同种类的掺杂剂。所述第一掺杂区的第一部分在所述第二掺杂区的顶部上水平地延伸，所述第一掺杂区的第二部分沿着所述第二掺杂区的横向侧竖直地延伸，并且所述第一掺杂区的第三部分作为突出部从所述第一掺杂区的所述第一部分或所述第二部分突出到所述第二掺杂区中。
光电子器件制造方法

[发明专利]集成结构以及其制造方法-CN201780042757.9有效
发明人： A.齐尔基;A.里克曼;D.勒罗斯 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种用于使用具有CMOS线和光子线的制造系统制造集成结构的方法，包括以下步骤：在所述光子线中，在硅晶片中制造第一光子部件；将所述晶片从所述光子线转移到所述CMOS线；以及在所述CMOS线中，在所述硅晶片中制造CMOS部件。另外，一种单片集成结构包括其中形成有波导和CMOS部件的硅晶片，其中所述波导结构包括远离所述硅晶片的上表面而延伸的隆脊。还提供一种单片集成结构，所述单片集成结构具有形成于其中的光子部件和CMOS部件，所述光子部件包括宽度为0.5μm至13μm的波导。
集成结构及其制造方法

[发明专利]中介层-CN202080057134.0在审
发明人： V·拉古纳森;A·J·齐尔基 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种硅中介层(100)。所述硅中介层(100)包括：硅层(101)，所述硅层包括各自可连接到光纤(103)的一个或多个光波导(102)；光学有源部件(104)，所述光学有源部件被配置成将从所述光纤(103)接收到的光信号转换成电信号或将电信号转换成光信号并且将所述光信号提供到所述光纤(103)；以及一个或多个电互连件(105)，所述一个或多个电互连件连接到所述光学有源部件(104)并且可连接到印制电路板、单独的管芯、单独的衬底或晶片级封装件。
中介

[发明专利]穿塑孔框架-CN202080050285.3在审
发明人： S·李;B·索耶;G·C·伯德 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S5/0232 文献下载
摘要：一种通孔框架。在一些实施方案中，所述通孔框架包括：环氧模塑化合物片，其具有多个孔，每个孔延伸穿过所述环氧模塑化合物片；以及多个导电元件，每个导电元件延伸穿过所述孔中的相应孔。
穿塑孔框架

[发明专利]具有两个金属再分布层的硅光子中介层-CN202080043250.7在审
发明人： M·李;J·P·德雷克;Y·罗;V·拉古纳坦;B·索耶尔 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种硅集成电路。在一些实施方案中，所述硅集成电路包括：第一导电迹线，其位于所述硅集成电路的顶表面上；介电层，其位于所述第一导电迹线上；以及第二导电迹线，其位于所述介电层上并通过第一通孔连接至所述第一导电迹线。
具有两个金属再分光子中介

[发明专利]光学隔离器-CN202080038402.4在审
发明人： A·斯科菲尔德;G·伯德;A·J·齐尔基 -专利权人： 洛克利光子有限公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G02F1/09 文献下载
摘要：一种在硅光子集成电路上的光学隔离器。所述光学隔离器包括：偏振分束器；偏振旋转器；和法拉第旋转器。所述法拉第旋转器包括：提供磁场的一个或多个磁体；和硅螺旋延迟线。所述硅螺旋延迟线由硅波导形成，所述硅波导被整形为没有内置移相器的螺旋区域和在所述螺旋区域内的中心区域。所述中心区域具有总共不超过180度的移相器。
光学隔离器