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[发明专利]自由基选择装置和基板处理装置-CN201210371201.3无效
发明人： 泽田郁夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种能够可靠地从等离子体中选择性地仅使自由基通过的自由基选择装置和基板处理装置。在基板处理装置(10)的腔室(11)内，配置在载置于载置台(12)上的晶圆W与等离子体产生器(13)之间的自由基过滤器(14)具备：上部屏蔽板(17)；下部屏蔽板(18)，其被配置成使上部屏蔽板(17)介于下部屏蔽板(18)与等离子体产生器(13)之间，上部屏蔽板(17)具有在厚度方向上贯通该上部屏蔽板(17)的多个上部贯通孔(17a)，下部屏蔽板(18)具有在厚度方向上贯通该下部屏蔽板(18)的多个下部贯通孔(18a)，向上部屏蔽板(17)施加负的直流电压，向下部屏蔽板(18)施加正的直流电压。
自由基选择装置处理

[发明专利]热处理装置-CN201110448709.4无效
发明人： 泽田郁夫;保坂重敏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供热处理装置。在利用感应加热对基板进行热处理的热处理装置中，提高基板的温度均匀性并提高效率。用于对多张基板(S)实施热处理的热处理装置(1)包括：处理容器(22)，其由电介体构成，用于收容被实施热处理的多张基板；基板保持构件(24)，其以在上下方向上排列的状态保持多张基板并相对于处理容器内插入或退出；感应加热线圈(104)，其卷绕在处理容器的外周；高频电源(110)，其用于对感应加热线圈施加高频电；感应发热体(N)，其具有螺旋状部，以分别与多张基板重叠的方式设在处理容器内，因感应电流在该感应发热体中流动而发热，该感应电流是由于对感应加热线圈施加高频电而产生的。
热处理装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN200980127227.X无效
发明人： 泽田郁夫;康松润;河西繁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-07-07 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种通过等离子体对基板进行处理的等离子体处理装置，其包括：处理容器；设置在所述处理容器内用于载置基板的载置台；与所述载置台相对设置的、由在下面形成有向所述处理容器内供给处理气体的多个气体喷出孔的导电性部件构成的气体喷淋头；在包围所述气体喷淋头下方空间的区域中供给用于产生感应耦合型等离子体的高频电流的感应线圈；用于向所述气体喷淋头施加负的直流电压，由此将通过所述感应线圈感应产生的感应电场引入处理区域的中央部一侧的负电压供给单元；和对所述处理容器内进行抽真空的单元。
等离子体处理装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200910171078.9有效
发明人：山﨑英亮;池田恭子;瀬川澄江;泽田郁夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。
方法装置

[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法以及存储介质-CN200780049914.5无效
发明人： 泽田郁夫;P·芬泽克;大下辰郎;松崎和爱;康松润 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2009-12-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明在于提供一种处理容器的侧壁的温度控制性优异，并且能够抑制等离子体对基板的损伤的等离子体处理装置。等离子体装置(1)具有设置于处理容器(11)上部的与载置台(2)相对置的第1电极(31)以及第2电极(32)、对第1电极(31)和第2电极(32)之间供给处理气体的气体供给部(4)、为了将第1电极(31)和第2电极(32)之间供给的处理气体等离子体化而对电极(31、32)之间施加高频电力的高频电源部(33)、以及自处理容器(11)下部对处理容器(11)内的气氛进行真空排气的排气装置(14)。载置台(2)上的基板B附近的等离子体的电子温度降低，能够抑制等离子体对基板B的损伤，另外由于能够使用金属作为处理容器(11)的材料，其温度控制性良好。
等离子体处理装置方法以及存储介质

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200780047845.4有效
发明人：森崎英介;小林洋克;吉川润;泽田郁夫;木本恒畅;川本典明;明田正俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社;罗姆股份有限公司
申请日： 2007-11-29 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，该成膜装置包括：内部被保持为减压空间的处理容器；由以碳为主要成分的材料构成、用于在处理容器内保持基板的基板保持部；配置在处理容器的外侧、用于感应加热基板保持部的线圈；和以覆盖基板保持部、且从处理容器离开的方式配置的绝热部件。上述的减压空间被分离为用于供给成膜气体的成膜气体供给空间，和在基板保持部与处理容器之间被划分形成的绝热空间，绝热空间被供给冷却介质。
装置方法

[发明专利]气化装置、成膜装置、成膜方法、计算机程序以及存储介质-CN200880000424.0无效
发明人： 泽田郁夫;瀬川澄江;池田恭子;大下辰郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种气化装置、成膜装置和成膜方法，在对基板供给使液体材料气化了的气体材料，进行成膜处理时，可以高效率气化液体材料，并抑制颗粒的产生。在用于对基板进行成膜处理的液体材料中，产生带有正电或负电且粒径为1000nm以下的气泡，使该液体材料雾化，形成液体材料的雾状物质，进一步，加热该液体材料的雾状物质使其气化。在液体材料中，预先使极其微小的气泡以高均一性进行分散，因此使该液体材料雾化时，能够得到极其微小而且均一的液体材料的雾状物质，容易进行热交换。使该液体材料的雾状物质气化时，可以提高气化效率，并抑制颗粒的产生。
气化装置方法计算机程序以及存储介质

[发明专利]处理装置和处理方法-CN200910005625.6有效
发明人： 泽田郁夫;松浦广行;高桥俊树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-01-20 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种处理装置和处理方法，该处理装置对被处理体(W)进行热处理。处理装置具有：能够收容多个被处理体(W)的处理容器(22)；设于处理容器(22)外侧的感应加热用线圈部(104)；对感应加热用线圈部(104)施加高频电力的高频电源(110)；将气体导入处理容器(22)内的气体供给部(90)；在处理容器(22)内保持被处理体(W)的保持部(24)；和通过来自感应加热用线圈部(104)的高频感应加热并加热被处理体(W)的感应发热体(N)。在感应发热体(N)上形成有用于控制在该感应发热体(N)上产生的涡电流的流动的切口状的槽部。
处理装置方法

[发明专利]涂敷设备和涂敷方法-CN200680046966.2有效
发明人： 泽田郁夫;松崎和爱;田中崇;岩下光秋;宗像瑞惠 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明是一种涂覆设备，其包括：水平地固定衬底的衬底固定部件；将化学物质供应至被衬底固定部件水平固定的衬底的中心部分的化学物质喷嘴；使衬底固定部件旋转以便通过离心力使化学物质在衬底表面散开从而使化学物质涂敷在整个表面上的旋转机构；在被衬底固定部件水平固定的衬底表面上形成常压气体(atmospheric gas)的下降气流的气流形成单元；绕衬底排放大气的气体排放单元；以及将层流形成气体供应至衬底表面的气体喷嘴，该层流形成气体的运动粘度系数大于该常压气体；其中该常压气体或层流形成气体被供应至衬底的中心部分。
敷设方法

[发明专利]等离子体成膜方法和等离子体成膜装置-CN200580034009.3无效
发明人：小林保男;太田与洋;康松润;泽田郁夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-10-04 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体成膜方法和等离子体成膜装置，相对于在气密处理容器(1)内被载置的基板(W)，通过在径向线隙缝天线(4)中导入微波而使之发生等离子体。设定条件如下：处理容器内的压力是7.32Pa以上8.65Pa以下，微波电力是2000W以上2300W以下，基板表面与原料气体供给部件(3)的相对面之间的距离(L1)是70mm以上105mm以下，基板表面与放电气体供给部件(2)的相对面之间的距离(L2)是100mm以上140mm以下。在该条件下，基于微波能将由环状C₅F₈气体构成的原料气体活化。由此可以得到含有大量的C₄F₆离子和/或自由基的成膜种。由此，形成漏电特性和热稳定性优异的加氟碳膜。
等离子体方法装置

[发明专利]等离子体处理装置-CN200580020964.1无效
发明人：斧高一;上坂裕之;石桥清隆;泽田郁夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2005-06-20 - 公布日： 2007-07-11 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：在平面天线部件(3)上由多个同心圆形成环状的槽口(300～304)，将中心部的导体(310、311)的厚度形成为相对的薄，将周边部的导体(312～315)的厚度形成为相对的厚，由此，微波不衰减，易于通过槽口(300～304)，能够得到均匀的电场分布，能够在处理空间内平均地产生均匀的高密度的等离子体，所以能够使被处理体接近天线部件(3)，可以高速且均匀地处理被处理体。
等离子体处理装置

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