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[发明专利]一种超宽带频率自适应高精度移相器-CN202310488505.6在审
发明人：汤飞鸿;沈宏昌;郝张伟;浦鈺钤 -专利权人：南京国博电子股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03H11/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超宽带频率自适应高精度移相器，涉及微电子与固体电子学的射频与微波集成电路设计领域，该超宽带频率自适应高精度移相器包含数控移相器、冗余移相器、鉴频器和数字波控电路。鉴频器对输入信号的频率进行鉴别转换，输出频率相关直流信号，由用户需要的移相量确定移相控制码，数字波控电路输出控制信号，控制数控移相器和冗余移相器协同工作。既可以规避现有超宽带移相器相位精度的缺陷，根据使用频率灵活分配移相位，进一步提高移相精度，又具有版图布置灵活，控制信号简单，芯片集成度高等的优势，可广泛应用于微波毫米波相控阵中，具有良好的应用前景。
一种宽带频率自适应高精度移相器

[实用新型]一种低通π型移相器-CN202320004795.8有效
发明人：浦鈺钤;王玉洁;沈宏昌 -专利权人：南京国博电子股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低通π型移相器，涉及射频与微波集成电路的技术领域，包括第一至第四电感、以及第一至第四MOS管，第三电感的输入端作为低通π型移相器的输入端，第三电感的输出端、第一电感的输入端、第四MOS管的第一端分别与第一MOS管的第二端连接，第一电感的输出端、第四MOS管的第二端、第二MOS管的第二端分别与第四电感的输入端连接，第四电感的输出端作为低通π型移相器的输出端，第一MOS管的第一端、第二MOS管的第一端、第三MOS管的第一端分别与第二电感的输入端连接，第三MOS管的第二端与第二电感的输出端接地。本实用新型也可以省去第四MOS管。本实用新型可以解决低通π型移相器工作频带窄、宽带精度差的技术问题，电路结构紧凑，可靠性高。
一种移相器

[发明专利]一种低通π型移相器-CN202310003285.3在审
发明人：浦鈺钤;王玉洁;沈宏昌 -专利权人：南京国博电子股份有限公司
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种低通π型移相器，涉及射频与微波集成电路的技术领域，包括第一至第四电感、以及第一至第四MOS管，第三电感的输入端作为低通π型移相器的输入端，第三电感的输出端、第一电感的输入端、第四MOS管的第一端分别与第一MOS管的第二端连接，第一电感的输出端、第四MOS管的第二端、第二MOS管的第二端分别与第四电感的输入端连接，第四电感的输出端作为低通π型移相器的输出端，第一MOS管的第一端、第二MOS管的第一端、第三MOS管的第一端分别与第二电感的输入端连接，第三MOS管的第二端与第二电感的输出端接地。本发明也可以省去第四MOS管。本发明可以解决低通π型移相器工作频带窄、宽带精度差的技术问题，电路结构紧凑，可靠性高。
一种移相器

[发明专利]有源无源混合型微波移相器-CN201811541370.0有效
发明人：浦鈺钤;沈宏昌;童伟;李健康 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H03H11/16 文献下载
摘要：本发明公开了有源无源混合型微波移相器，涉及移相芯片，属于基本电子电路的技术领域。该有源无源混合型微波移相器包含无源移相部分、有源移相部分和数字控制部分，有源移相部分和无源移相部分在数字控制部分的控制下进行大位移相和小位移相，既可以规避现有无源结构和有源结构的缺陷，又能根据需求灵活分配移相位，版图布置灵活，控制信号简单，芯片集成度高，可广泛应用于微波毫米波相控阵芯片中，具有良好的应用前景。
有源无源混合微波移相器

[发明专利]宽带温补衰减器-CN201811569129.9有效
发明人： 沈宏昌;韩群飞;童伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明公开了宽带温补衰减器，涉及微波衰减器器件，属于基本电气元件的技术领域。该宽带温补衰减器包括：接在输入端子和输出端子之间的压控衰减模块以及向其提供控制信号的温变电压控制模块，具有工作频带宽、插入损耗低、温补量大、电路尺寸小、控制简单且使用方便的优点，特别适合宽带雷达的应用。
宽带衰减器

[发明专利]低损耗小型化硅基数控衰减器-CN201811523720.0有效
发明人：何环环;沈宏昌;李健康;童伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H03H11/24 文献下载
摘要：本发明公开了低损耗小型化硅基数控衰减器，属于基本电子电路的技术领域。该数控衰减器包括：输入端口、输出端口、共用大位衰减模块、小位衰减模块，通过电平控制电路向共用大位衰减模块提供不同的电平控制开关管芯的导通程度来实现不同的衰减量，小衰减量位采用传统T型或者π型衰减模块实现，共用大位衰减模块、小位衰减模块由各自对应的控制端选择不同的衰减量。本发明公开的数控衰减器使用一个共用大位衰减模块实现了传统衰减器两位或者三位大位衰减单元的功能，具有插损小、尺寸小的优势。
损耗小型化基数衰减器

[发明专利]具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法-CN201811108658.9有效
发明人：任春江;沈宏昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提出的是一种具有多栅结构的氮化物高电子迁移率晶体管制造方法，包括如下步骤：（1）在AlGaN势垒层上提供第一欧姆接触作为源电极、第二欧姆接触作为漏电极；（2）制备第一个“T”型栅电极；（3）重复步骤1）～6）制备多个“T”型栅电极；（4）以各个栅电极作为掩膜，采用干法刻蚀的方法制备多栅AlGaN/GaN HEMT器件。优点：1）多栅器件的各个栅电极独立形成，可获得更小的栅电极间距，有效提升作为控制类器件应用时氮化物高电子迁移率晶体管的性能；2）制造过程增加的工艺步骤较少，在保证低成本的同时最大程度的减小工艺过程对器件性能与可靠性可能产生的不利影响；3）对各个栅电极下的外延层表面能够形成良好的保护。
具有结构氮化物电子迁移率晶体管制造方法

[实用新型]一种微波收发前端电路-CN202022482862.6有效
发明人： 沈宏昌;浦鈺钤;李大伟;王冲 -专利权人：南京国博电子股份有限公司;南京国微电子有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波收发前端电路，涉及微波收发前端电路技术领域，包括第一耦合器、第二耦合器、第一功率放大器、第二功率放大器、低噪声放大器、第一微带、第一到地开关、第二微带、第二到地开关和负载电阻。本实用新型还公开了一种微波收发前端电路，包括第一耦合器、第二耦合器、第一功率放大器、第二功率放大器、低噪声放大器和负载电阻。本实用新型可以减小电路损耗，提升电路性能，缩小电路占用面积和降低成本。
一种微波收发前端电路

[发明专利]一种微波毫米波封装结构及方法-CN202011299252.0在审
发明人： 沈宏昌;蔡传涛;王玉洁;梁皓辰 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波毫米波封装结构及方法，结构上包括硅基转接板、塑封包装、锡球，芯片置于硅基转接板上，芯片与硅基转接板之间设有金球，芯片的上部贴装有低阻硅，所述硅基转接板外设有包裹芯片的塑封包装，锡球设置于硅基转接板的底部；本发明的倒扣封装结构包含多个进行倒扣封装的芯片，硅基转接板，低阻硅片，塑封材料和焊球，低阻硅片贴装在芯片背面，芯片封装到硅基转接板上，硅基转接板再通过焊球与外部连接。本发明能够提高倒扣封装结构的散热性能，提高芯片的电磁性能，可以广泛应用于倒扣封装中。
一种微波毫米波封装结构方法

[发明专利]一种微波收发前端电路-CN202011190696.0在审
发明人： 沈宏昌;浦鈺钤;李大伟;王冲 -专利权人：南京国博电子有限公司
申请日： 2020-10-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波收发前端电路，涉及微波收发前端电路技术领域，包括第一耦合器、第二耦合器、第一功率放大器、第二功率放大器、低噪声放大器、第一微带、第一到地开关、第二微带、第二到地开关和负载电阻。本发明还公开了一种微波收发前端电路，包括第一耦合器、第二耦合器、第一功率放大器、第二功率放大器、低噪声放大器和负载电阻。本发明可以减小电路损耗，提升电路性能，缩小电路占用面积和降低成本。
一种微波收发前端电路

[发明专利]一种接地耦合式混合耦合器及毫米波超宽带单刀单掷开关-CN201910095247.9有效
发明人：罗将;沈宏昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种接地耦合式混合耦合器及毫米波超宽带单刀单掷开关，涉及毫米波开关，属于基本电气元件的技术领域。混合耦合器包含在水平方呈微带线形式的上金属层和呈接地耦合式缺陷地平面的下金属层，在紧凑的尺寸下改变了微带线周围的电磁场分布、增强耦合器的有效电感和引入有效电容，从而实现串联谐振条件。单刀单掷开关包括：接地耦合式混合耦合器、第一控制晶体管和第二控制晶体管、第一偏置电阻和第一偏置电阻，混合耦合器能够高效地补偿控制晶体管的寄生电容，在一个超宽带的工作频率范围内实现了低插入损耗、高隔离度以及大功率处理能力，而且结构简单紧凑，电路面积非常小，在毫米波集成电路设计中极具有优秀的科学应用价值。
一种接地耦合混合耦合器毫米波宽带单刀开关

[实用新型]高本振抑制度宽带混频器-CN201822081347.X有效
发明人：王冲;沈宏昌;李健康 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H03D7/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及高本振抑制度宽带混频器，涉及混频器电路，属于基本电子电路的技术领域。该混频器包括跨导级晶体管、级间变压器耦合网络、开关级与负载级，其中，级间变压器耦合网络包括一个双入双出变压器与两个调谐电容，变压器线圈的初级与次级分别连接跨导级晶体管的漏极与开关级晶体管的源级并为它们提供直流通路。本实用新型涉及的混频器工作频带宽，对本振抑制度高，并且由于跨导晶体管与开关晶体管位于不同的直流通路，有利于得到较高的变频增益与较低的噪声，这种结构尤其适合用在对本振抑制要求较高的上变频混频器中。
晶体管本实用新型变压器耦合宽带混频器直流通路混频器开关级跨导级本振基本电子电路上变频混频器变压器线圈混频器电路开关晶体管变频增益调谐电容工作频带网络包括负载级漏极源级变压器噪声网络

[发明专利]一种微波宽带温度补偿衰减器-CN201811516486.9在审
发明人：童伟;沈宏昌;李健康;何环环 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波宽带温度补偿衰减器，涉及波导型器件，属于基本电气元件的技术领域。温度补偿衰减器包括：接在输入端子和输出端子之间的模拟衰减器模块及负温度系数LDO模块，其中，负温度系数LDO模块是由带隙基准、减法器、运算放大器组合而成，模拟衰减器模块是由FET和电阻组合而成。本发明公开的衰减器频率宽，温度补偿范围广，输入输出电压驻波比小，电路尺寸小，控制简单，使用方便，在射频微波集成电路中具有很好的应用前景。
温度补偿衰减器负温度系数模拟衰减器微波宽带运算放大器组合输入输出电压波导型器件带隙基准电气元件射频微波输出端子输入端子温度补偿减法器衰减器驻波比电阻集成电路电路应用

[发明专利]毫米波低插损吸收式开关-CN201811541369.8在审
发明人： 沈宏昌;韩群飞;陈庆;徐波 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01P1/10 文献下载
摘要：本发明公开了毫米波低插损吸收式开关，涉及毫米波开关器件，属于基本电气元件的技术领域。该吸收式开关包含多个级联的耦合线单元，每个耦合线单元都包括：耦合线、第一控制元件、第二控制元件、第一匹配电路、第二匹配电路，通过控制元件的开启和关断实现开关模块的导通和关断，耦合线参与开关模块导通和关断状态下的阻抗匹配，在毫米波频段实现低的插入损耗和低的关态电压驻波比。
吸收式开关控制元件耦合线单元毫米波开关模块匹配电路耦合线插损导通关断毫米波开关毫米波频段插入损耗电气元件关断状态关态电压阻抗匹配驻波比级联

[发明专利]一种微波单刀多掷开关-CN201310473330.8有效
发明人： 沈宏昌;李思其;任春江;韩群飞 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2013-10-11 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波单刀多掷开关，包括一端为输入端的输入传输线，该输入传输线的另一端同时连接到开关组和补偿电路，所述开关组由至少两个开关臂组成，每个开关臂的另一端为输出端，所述补偿电路改变开关组的输入阻抗，使其与输入传输线实现阻抗匹配。本发明在单刀双掷开关的基础上，再增加多个开关臂，即构成了单刀多掷开关。同时与多个开关臂相并联的设置补偿电路，该补偿电路由电抗性元件电容和/或电感组成。在实际使用中，补偿电路中的电容电感可以选用合适的电容电感值，使得开关臂与输入源、输入传输线实现阻抗匹配。
一种微波单刀开关

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