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[发明专利]一种陶瓷覆铜基板表面化学镀银退镀方法-CN202111117674.6在审
发明人：李辛未;贺贤汉;李炎;马敬伟 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： C23F1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种陶瓷覆铜基板表面化学镀银退镀方法；所述制备工艺包括以下步骤：S1：取陶瓷覆铜基板，镀银；S2：挑选不良品，进行退镀；S3：将退镀后的陶瓷覆铜基板进行水洗，中和，再水洗，烘干后，准备镀银。所述退镀包括以下步骤：S1：配置退镀液；S2：退镀：将陶瓷覆铜基板浸没于退镀液中，退镀后，在退镀液中通入一氧化碳；S3：将退镀后的陶瓷覆铜基板超声处理3‑5min。本发明配置的退镀液解决了退除不干净，局部银镀层残留而影响二次镀银的性能问题，避免因退镀造成陶瓷覆铜基板表面过腐蚀而引起的发花、麻点、针孔、粗糙不平整等现象，通入一氧化碳可回收单质银，节省成本，制备出的陶瓷覆铜基板耐热性好。
一种陶瓷覆铜基板表面化学镀银方法

[发明专利]一种覆铜陶瓷基板专用铜片加工的方法-CN202111118796.7在审
发明人：李炎;贺贤汉;陆玉龙;蔡俊;董明锋;马敬伟 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23G1/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种覆铜陶瓷基板专用铜片的加工方法，包括如下步骤：酸性除油，然后微蚀胶涂敷于铜片表面，光照固化，5‑10min后揭去铜片表面胶块，酸洗；将铜片水平浸入去离子水超声波清洗，热风烘干；将干燥后的铜片垂直浸入去离子水中超声波清洗，然后进行兆声波清洗，热风烘干；对铜片使用高压雾化喷涂机将碱法氧化药液均匀的喷涂至铜片表面，控制温度和膜厚，铜片氧化膜达到预定膜厚后，冷风去除铜片表面液体，抽滤得到产品，本发明采用微蚀胶对铜片粗化处理，铜片表面粗化均匀，采用水平和垂直两个方向上的超声波清洗，之后又进行兆声波清洗，清洗效果好，后续的氧化反应均匀性高，最终氧化良率高。
一种陶瓷专用铜片加工方法

[发明专利]一种氮化铝陶瓷基板表面粗化方法-CN202010337175.7有效
发明人：王斌;贺贤汉;孙泉;欧阳鹏;葛荘;周轶靓 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2020-04-26 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C04B41/91 文献下载
摘要：本发明公开一种氮化铝陶瓷基板表面粗化方法，包括如下步骤：步骤一，通过除油剂和纯水去除氮化铝陶瓷基板表面的油污和杂质，测试氮化铝陶瓷基板的表面粗糙度，依据表面粗糙度的测试结果确定后续化学粗化程度；步骤二，将经步骤一处理过的氮化铝陶瓷基板浸没于15％‑25％质量分数的NaOH溶液中；步骤三，将步骤二处理过的氮化铝陶瓷基板放置于1％‑3％质量分数的稀H2SO4溶液中，处理5s‑10s，温度控制在15℃‑25℃；步骤四，将步骤三处理过的氮化铝陶瓷基板加压水洗，常温，时间为3min；步骤五，将步骤四处理过的氮化铝陶瓷基板烘干。有效解决现有AMB真空钎焊氮化铝陶瓷基板与焊料层结合不良的技术问题。
一种氮化陶瓷表面方法

[实用新型]一种陶瓷成型用流延机-CN202120004979.5有效
发明人：王斌;贺贤汉;葛荘;顾鑫;孙泉 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B28B1/29 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种陶瓷成型用流延机，包括料浆箱、刮刀、热风干燥器、基台、膜带；还包括设置于基台两侧上表面的承载基体，承载基体位于膜带下表面；所述基台中间干燥段上设有干燥驱动辊及干燥从动辊；所述干燥驱动辊及干燥从动辊可使膜带在热风干燥器中呈三维弯曲状结构；改变了膜带在干燥器中的形状，将二维热风干燥转变为三维热风干燥，膜带及生坯带干燥更加均匀，有利于减少生坯带因厚度方向干燥不均而产生的表面缺陷，同时可使干燥器的长度及流延机长度显著降低，能降低流延机厂房建设成本。
一种陶瓷成型用流延机

[实用新型]一种3D结构陶瓷基板-CN202121561120.0有效
发明人：王斌;贺贤汉;周轶靓;葛荘;吴承侃 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域。一种3D结构陶瓷基板，包括一瓷片，还包括固定在瓷片上方的3D结构的上金属层；上金属层包括不同厚度的第一金属层、第二金属层以及第三金属层，第一金属层、第二金属层以及第三金属层厚度递减；第三金属层位于瓷片中央区域，第三金属层为用于焊接芯片的芯片焊接层；第二金属层位于第三金属层外围，第二金属层与第三金属层之间存有沟槽间隙，第二金属层用于导线焊接或者引线键合；第一金属层位于瓷片的外边缘，第一金属层用于芯片封装的外层。本专利通过优化陶瓷基板的结构，增设有3D结构的上金属层，芯片嵌埋在基板中，灌封硅胶时，整个封装模块厚度明显减薄，能够提高芯片的封装密度。
一种结构陶瓷

[实用新型]一种半导体基板激光切割固定治具-CN202120697744.9有效
发明人：朱锐;贺贤汉;马敬伟;李炎;孙泉 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-06 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体基板激光切割固定治具，包括半导体基板激光切割固定治具，包括承载平台，内部中空，底部设置斜坡，该斜坡最低端设置有防尘滤嘴，该防尘滤嘴与治具外的真空吸引机构连接；固定夹具组，均匀设置在承载平台的四周，包括升降固定夹具以及带动升降固定夹具靠近或远离承载平台的直线移动机构。本实用新型摒弃了打孔产品使用真空吸附或胶带固定的方式，承载平台用于承载基板产品并作为产品的激光加工平台；固定夹具组设置在承载平台四周，升降固定夹具实现了基板产品的有效固定，直线移动机构可在加工完成后避免与抓取机构的碰撞，便于基板移入或移出平台。
一种半导体激光切割固定

[发明专利]一种提高覆铜陶瓷基板邦定性能的方法-CN202110961042.1在审
发明人：陆玉龙;贺贤汉;李炎;周轶靓;马敬伟 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种提高覆铜陶瓷基板邦定性能的方法，包括以下步骤：步骤一，覆铜陶瓷基板置入插板架内，放入反应腔；步骤二，反应腔抽真空；步骤三，反应腔通氩气以及氢气；步骤四，电极放电形成等离子体，对覆铜陶瓷基板表面进行清洁；步骤五，反应腔充空气；步骤六，取出覆铜陶瓷基板。本专利提供了一种通过等离子气体清洗覆铜陶瓷基板，以提高覆铜陶瓷基板邦定性能的方法；覆铜陶瓷基板表面处理后，铜表面的浸润性显著提高，浸润性提高会导致邦定性能的提高。
一种提高陶瓷基板邦定性能方法

[发明专利]一种双层铜片氧化治具及氧化方法-CN202110997244.1在审
发明人：李炎;贺贤汉;马敬伟;蔡俊;董明锋 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： C23C8/12 文献下载
摘要：本发明提供一种双层铜片氧化治具，包括上矩形框架和下矩形框架，上矩形框架和下矩形框架通过两个侧板连接，两个侧板相对设置，两个侧板上均开设有若干通气孔；一种根据所述氧化治具氧化铜片的氧化方法：将两个待氧化铜片分别放置在双层铜片氧化治具的上矩形框架和下矩形框架上，通过传送带进入氧化炉中，双层铜片氧化治具的底部和顶部同时通入氧气，达到上下两层铜片同时氧化效果；设计退火温区及通气设置，平衡上下氛围，达到两层氧化均匀的效果；为改善现有陶瓷覆铜技术中存在陶瓷层和铜层结合不致密、结合强度较低、易鼓包的情况，本发明在氧化后的铜片表面上涂覆一层改性浆料作为改性层。
一种双层铜片氧化方法

[发明专利]一种陶瓷流延浆料及其制备方法-CN202110949068.4在审
发明人：葛荘;贺贤汉;王斌;孙泉;欧阳鹏;张进 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： C04B35/584 文献下载
摘要：本发明提供了一种陶瓷流延浆料及其制备方法，按重量百分比计，包含30％‑55％陶瓷粉体、0.5％‑2％分散剂、3％‑10％粘结剂、3％‑10％塑化剂，余量为醇类和酯类混合溶剂。其中，醇类和酯类混合溶剂中，醇类溶剂和酯类溶剂的质量比为1:1，醇类溶剂为乙醇与丙三醇的混合溶液，乙醇与丙三醇质量比为9～9.5：1～0.5；酯类溶剂为乙酸乙酯与乙酸丙酯的混合溶液，乙酸乙酯与乙酸丙酯质量比为9.5‑9.8:0.5‑0.2。本发明采用的醇类和酯类混合溶剂安全性高、材料易得，且体系稳定，乙醇、丙三醇、乙酸乙酯、乙酸丙酯均为有机溶剂，具备有机溶剂体系稳定、挥发速度快的性能，对于分散剂、粘结剂、塑化剂等有机物料的溶解性强，有助于提升分散剂、粘结剂、塑化剂的选择范围，并提升体系稳定性。
一种陶瓷浆料及其制备方法

[发明专利]一种提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法-CN202110948243.8在审
发明人：蔡俊;贺贤汉;马敬伟;李炎;陈元华 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： G01N3/60 文献下载
摘要：本发明提供了提高DCB覆铜陶瓷基板冷热冲击可靠性的方法，在DCB覆铜陶瓷基板的制备过程中，增加菲林设计间距并提高腐蚀线速。采用上述技术方案后，通过改善DCB覆铜陶瓷基板的制备工艺，例如通过增加DCB菲林设计间距并提高腐蚀线速，从而减少DCB产品蚀刻工序的蚀刻因子，最终实现提高半导体制冷器、LED、功率半导体等DCB产品的冷热冲击可靠性能，提高客户对于产品日益严格的使用要求及使用环境。
一种提高 dcb 陶瓷冷热冲击可靠性方法

[发明专利]一种3D结构陶瓷基板的制备方法-CN202110779311.2在审
发明人：王斌;贺贤汉;周轶靓;葛荘;吴承侃 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。步骤一，真空烧结：将金属片覆盖于活性金属焊料或者活性金属焊片上，在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面；步骤二，依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜，进而在金属片上形成沟槽；步骤三，金属片蚀刻‑第一金属层蚀刻成型；步骤四，金属片蚀刻‑第二金属层蚀刻成型；步骤五，金属片蚀刻‑第三金属层蚀刻成型；步骤六，焊料蚀刻。本专利通过优化陶瓷基板的结构，芯片嵌埋在基板中，能够提高芯片的封装密度。
一种结构陶瓷制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷制备方法-CN202110671471.5在审
发明人：王斌;贺贤汉;葛荘;欧阳鹏;孙泉 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化硅陶瓷制备方法，包括：S1)多晶硅铸锭：硅粉形核法定向凝固多晶硅铸锭，将80wt％‑95wt％高纯硅粉、1‑10wt％含镁粉末、1‑10％稀土元素粉末混匀后装入底部喷涂有石英砂成核层的石英坩埚内，并装入铸锭炉膛内，铸锭后控制降温速率，形成晶粒大小为0.5μm‑100μm的超细微晶多晶硅锭；S2)多晶硅片制备：将硅锭切割制成厚度为0.1mm‑1mm的多晶硅片；S3)硅片氮化：将多晶硅片堆叠在烧结炉中，硅片间使用带有BN涂层的石墨板隔开，抽真空后，氮气气氛下在氮化温度为1350℃‑1400℃、升温速率为20‑100℃/h、保温时间为1h‑12h的条件下进行氮化，并随炉冷降温；S4)硅片坯体烧结：经氮化烧结的硅片坯体连同治具放置在烧结炉中，采用氮气气氛，在烧结温度1700‑1900℃、氮气压力0.5MPa‑20MPa条件下进行烧结。
一种氮化陶瓷制备方法

[实用新型]一种激光切割覆铜基板用吸附治具-CN202022417200.0有效
发明人：孙泉;贺贤汉;葛荘;王斌 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： B23K26/70 文献下载
摘要：本实用新型涉及机械技术领域。一种激光切割覆铜基板用吸附治具，包括支撑台，支撑台上开设有安装孔以及吸附孔，吸附孔的内壁开设有内螺纹；还包括与吸附孔导通的支撑件以及中央开设有通气孔的中空螺丝，支撑件的中央开设有圆孔，中空螺丝穿过圆孔与吸附孔螺纹连接；还包括用于封堵吸附孔的封堵螺丝，封堵螺丝与吸附孔螺纹连接，封堵螺丝与支撑台之间设有一垫片。本专利通过支撑件以及封堵螺丝的结合，进而可以适用于不同尺寸、不同形状的覆铜基板的吸附固定，可以适配各种尺寸的覆铜基板工件，具有广适配性。
一种激光切割覆铜基板用吸附

[发明专利]一种覆铜陶瓷基板表面缺陷处理的方法-CN202110691597.9在审
发明人：李炎;贺贤汉;陆玉龙;陈元华;马敬伟 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H05K3/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域。一种覆铜陶瓷基板表面缺陷处理的方法，包括以下步骤：步骤一，覆铜陶瓷基板入料，通过皮带输送，需抛刷面朝上；步骤二，覆铜陶瓷基板途径研磨段研磨；研磨段设有陶瓷刷辊以及不织布刷辊；步骤三，覆铜陶瓷基板途径抛刷段抛刷，抛刷段设有至少两个不织布刷辊；步骤四，覆铜陶瓷基板途径水洗段，通过喷淋水洗将研磨、抛刷的铜粉冲干净，并由铜粉回收机进行回收；步骤五，覆铜陶瓷基板途径干燥段。本专利可以有效的去除铜表面缺陷(如：疙瘩、皱皮等)。
一种陶瓷表面缺陷处理方法

[发明专利]一种减少DCB产品皱皮疙瘩不良的方法-CN202110284920.0在审
发明人：蔡俊;贺贤汉;马敬伟;陈元华 -专利权人： 江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种减少DCB产品皱皮疙瘩不良的方法，包括如下步骤：A、研磨：采用刷辊对带有皱皮疙瘩的一面进行研磨，速度设置为0.8～1.0m/min，研磨量控制在7～12μm范围内，还原原始铜片表面的光亮，而后经纯水超声清洗去除研磨下来的异物；B、烧结再结晶：将步骤A处理后得到的产品置于烧结炉内，并通入氮气和氧气混合气，在1075～1083℃条件下烧结，使铜片表面再结晶。研磨可以完全去除表面的色差，绝大多数的疙瘩皱皮缺陷，回归原始铜表面的光洁；再结晶实现产品晶粒和粗糙度与正常产品相当，焊接和打线性能和正常产品相当，一定程度上提升良率，降低了产品报废率。
一种减少 dcb 产品疙瘩不良方法

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