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[发明专利]用于集成电路装置的互连结构及其形成方法-CN202210292754.3在审
发明人： 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：揭示一种用于集成电路装置的互连结构及其形成方法，降低经由互连级介电层形成不需要的通孔的风险。一种形成互连结构的方法包括以下步骤：在第一金属互连特征上方形成第一及第二介电层，其中介电层包括由第一金属互连特征中的凸起引起的局部升高区域。平坦化制程移除第二介电层的局部升高区域，且在第二介电层的平坦上表面上方形成第三及第四介电层。穿过第三及第四介电层且进入第二介电层的蚀刻制程提供具有平坦底表面的沟槽。第二金属互连特征形成在沟槽内，其中第二金属互连特征包括覆盖第一介电层的局部升高区域及凸起的平坦底表面。
用于集成电路装置互连结构及其形成方法

[发明专利]集成电路器件及其制造方法以及芯片封装件-CN202210863914.5在审
发明人：张任远;江政鸿;刘钦洲;林荣松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L23/38 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了一种集成电路(IC)器件，其包括具有半导体衬底的芯片，和嵌入半导体衬底中的热电模块，其中，热电模块包括第一半导体结构，第一半导体结构电连接至第二半导体结构，其中，热电模块的底部延伸穿过半导体衬底的厚度，并且其中，第一半导体结构和第二半导体结构包括不同导电类型的掺杂剂。根据本申请的另一个实施例，还提供了芯片封装件。根据本申请的又一个实施例，还提供了用于制造集成电路器件的方法。
集成电路器件及其制造方法以及芯片封装

[发明专利]形成封装结构的方法-CN202210873671.3在审
发明人：张任远;江政鸿;刘钦洲;林荣松 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及形成封装结构的方法。本公开的实施例还涉及用于使用人工智能技术(诸如机器学习)由单个芯片设计生成多芯片、混合节点堆叠封装设计的方法。本文公开的方法可以促进使用先进封装技术的异构集成、扩大设计以提高单个芯片设计的可制造性和/或降低单个芯片设计提供的系统的制造成本和/或尺寸。一种示例性形成封装结构的方法包括接收用于单个工艺节点的单个芯片的单个芯片设计，其中单个芯片设计具有设计规范，以及基于设计规范将单个芯片设计分解成具有不同功能和不同工艺节点的芯粒，并将芯粒集成到堆叠芯片封装结构中。
形成封装结构方法

[实用新型]近眼显示系统-CN202221955724.8有效
发明人： 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G02B27/01 文献下载
摘要：提供了一种近眼显示系统。近眼显示系统包括框架、至少一个近眼感测器、第一近眼显示器、第二近眼显示器及处理单元。框架包含主体及两个镜腿。至少一个近眼感测器安装在主体上。第一近眼显示器安装在主体上。第二近眼显示器安装在主体上。处理单元位于两个镜腿的至少一者处。
显示系统

[发明专利]存储器装置-CN201910569787.6有效
发明人： 江政鸿;郑忠;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请的实施例提供了存储器装置，包括：第一导体，沿着第一轴延伸；第一选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第二选择器材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的第一部分；第一可变电阻材料，包括沿着所述第一导体的第一侧壁延伸的部分；以及第二导体，与垂直于所述第一轴的第二轴平行地延伸，其中所述第一选择器材料的第一部分、所述第二选择器材料的第一部分和所述第一可变电阻材料的部分布置为沿着平行于第三轴的第一方向堆叠，其中，所述第三轴基本上垂直于所述第一轴和所述第二轴。本申请的实施例还提供了另外的存储器装置。
存储器装置

[发明专利]电容器结构及形成具有电容器结构的半导体结构的方法-CN202210011080.5在审
发明人： 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本揭示案揭示电容器结构及形成具有电容器结构的半导体结构的方法。半导体结构包含电容器结构，电容器结构包含第一电容器及第二电容器。第一电容器包含第一底部电极及顶部电极，顶部电极的底表面与第一底部电极的顶表面相距第一距离。第二电容器包含第二底部电极及顶部电极，其中顶部电极的底表面与第二底部电极的顶表面相距第二距离，第一距离不同于第二距离。
电容器结构形成具有半导体方法

[发明专利]装置结构以及形成装置结构的方法-CN202110684877.7在审
发明人： 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种装置结构以及形成装置结构的方法，形成装置结构的方法，其中腔体可在上覆于基板的介电材料层中形成。包括金属阻障层衬里、金属填充材料层、及金属覆盖材料的层堆叠可在腔体中且在介电材料层上方沉积。位于包括介电材料层的顶表面的水平面之上的层堆叠的部分可经移除。层堆叠的剩余材料部分的连续集合包括无凹坑表面的金属互连结构。
装置结构以及形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成的方法-CN202210028393.1在审
发明人： 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成的方法，形成半导体结构的方法包括形成第一介电层中的第一导电触点，该第一导电触点耦接至第一装置；以及形成该第一介电层中的第二导电触点，该第二导电触点耦接至第二装置。第一沟槽经形成于该第一介电层中，该第一沟槽具有第一深度且暴露该第一导电触点的至少一部分。第二沟槽经形成于该第一介电层中，该第二沟槽具有不同于该第一深度的第二深度且暴露该第二导电触点的至少一部分。第一导电层经形成于该第一沟槽及该第二沟槽中。第二介电层在该第一沟槽及该第二沟槽中经成于该第一导电层上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN202110686046.3在审
发明人： 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：一种互连结构及其形成方法，互连结构可包括：互连面介电材料层，其位于基板上方；第一金属互连结构，其嵌入于互连面介电材料层中，且包括第一金属障壁衬垫及第一金属填充材料部分；及上覆介电材料层。上覆介电材料层中的开口可整个形成于第一金属障壁衬垫的区域中及第一金属填充材料部分的区域外，以减少电浆损伤。可在开口中形成第二金属互连结构，其接触第一金属障壁衬垫的顶表面。第一金属填充材料部分的顶表面的整体接触上覆介电材料层的底表面。
互连结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构和形成半导体结构的方法-CN202210112359.2在审
发明人： 江政鸿;巫幸晃;刘家玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01P7/06 文献下载
摘要：具有两个或多个谐振器沟槽的分级的“台阶状”半导体结构的装置和制造方法。半导体结构可包含第一谐振器和第二谐振器。第一谐振器包含第一金属性谐振层和覆盖板，此覆盖板具有与第一金属性谐振层的远端相距第一距离的底表面。第二谐振器包含第二金属性谐振层和所述覆盖板，其中所述底表面与第二金属性谐振层的远端相距第二距离，并且其中第一距离不同于第二距离。
半导体结构形成方法

[发明专利]电源供应装置、半导体工艺系统与电源管理方法-CN201911037896.X在审
发明人： 江政鸿;刘志庆;林威庭;张耀明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H02J9/06 文献下载
摘要：提供一种电源供应装置，包括电源单元、电源感测器以及控制单元。电源单元包括并联配置的第一电源供应器以及第二电源供应器，两者分别提供第一输出电源以及第二输出电源至半导体工艺设备。电源感测器感测第一输出电源以及第二输出电源的一输出参数是否小于预设值。当第一输出电源及第二输出电源的该输出参数中的一者小于预设值时，电源供应装置进入一紧急备援模式。控制单元使得第一电源供应器及第二电源供应器的另外一者提供一备用电源至半导体工艺设备。备用电源的该输出参数大于第一输出电源以及第二输出电源的该输出参数。
电源供应装置半导体工艺系统管理方法

[发明专利]存储器元件与其工艺-CN201310164409.2在审
发明人：曾俊元;黄骏扬;江政鸿 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器元件，至少包括一叠层结构，所述叠层结构具有上电极/上电阻转态层/氧电浆处理后的下电阻转态层/下电极的结构。本发明通过氧电浆处理来提升氧离子含量于电阻转态层中，而增加的氧离子数目可有效提升电阻转态的次数。此外，氧电浆处理与电阻转态层薄膜的沉积皆由同一台原子层沉积系统来达成，此方式减少了因工艺腔体破真空后所可能造成的薄膜品质变质或进而影响电阻转态特性等问题，因此所述工艺方法可改善薄膜品质且便于大量量产制造。本发明的工艺方法相当适合应用于高效能电阻式非易失性存储器元件的量产制作。
存储器元件与其工艺

[发明专利]电压极限测试系统及辅助测试治具-CN201110026461.2有效
发明人：赵泓;何瑞雄;黄正宗;江政鸿;吴忠勋 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-01-25 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G01R31/30 文献下载
摘要：一种电压极限测试系统，用于连接一主板上的内存来对所述内存的极限电压进行测试，所述电压极限测试系统包括一电压极限测试治具及一第一辅助测试治具，所述电压极限测试治具包括一第一按钮，所述第一辅助测试治具包括一第一定时器、一第一继电器及一第二继电器，所述第一继电器用于接收主板的状态信号，并根据所述状态信号控制是否提供电压至所述第一定时器，所述第二继电器用于接收所述第一定时器输出的脉冲信号来以一参考时间间隔地触发所述第一按钮来调节所述内存的电源，当工作的主板停止工作时所述内存的电压为所述内存电压的第一极限电压值。本发明实现自动测试所述主板上的内存的电压的极限值，方便快捷。
电压极限测试系统辅助

[发明专利]测试报告生成系统及方法-CN201110009227.9有效
发明人：甘家名;蔡宓纹;江政鸿;杨钰滢;洪永程 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-01-17 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：一种测试报告生成方法，用于将PCI-E接口经测试所获得的测试结果文件整理成测试报告，该方法包括步骤：建立一个Excel格式的测试报告模板，并在第一张工作表中为PCI-E接口的每个测试项目建立一个参数栏位；在第二张工作表中，为PCI-E接口的每个通道建立一个贴图栏位；获取PCI-E接口各测试项目对应的通道名称、测试参数值及测试结果，依次填入对应的参数栏位中；获取PCI-E接口每个通道对应的眼图，依次填入上述贴图栏位中；及调整第二张工作表的分页线，保存调整后的测试报告模板，生成PCI-E接口的测试报告。本发明还提供一种测试报告生成系统。利用本发明可以快速生成测试报告。
测试报告生成系统方法

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