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公布日期
2019-09-10 公布专利
2019-09-06 公布专利
2019-09-03 公布专利
2019-08-30 公布专利
2019-08-27 公布专利
2019-08-23 公布专利
2019-08-20 公布专利
2019-08-16 公布专利
2019-08-13 公布专利
2019-08-09 公布专利
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存储器元件与其工艺在审

申请号: CN201310164409.2 全文下载
申请日: 2013-05-07 公开/公告日: 2014-11-12
公开/公告号: CN104143605A 主分类号: H01L45/00
申请/专利权人: 华邦电子股份有限公司
发明/设计人: 曾俊元;黄骏扬;江政鸿
分类号: H01L45/00
搜索关键词: 存储器 元件 与其 工艺
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【摘要】:
发明公开了一种存储器元件,至少包括一叠层结构,所述叠层结构具有上电极/上电阻转态层/氧电浆处理后的下电阻转态层/下电极的结构。本发明通过氧电浆处理来提升氧离子含量于电阻转态层中,而增加的氧离子数目可有效提升电阻转态的次数。此外,氧电浆处理与电阻转态层薄膜的沉积皆由同一台原子层沉积系统来达成,此方式减少了因工艺腔体破真空后所可能造成的薄膜品质变质或进而影响电阻转态特性等问题,因此所述工艺方法可改善薄膜品质且便于大量量产制造。本发明的工艺方法相当适合应用于高效能电阻式非易失性存储器元件的量产制作。
 
【主权项】:
一种存储器元件结构,至少包括一叠层结构,而所述叠层结构至少包括:下导电层;下电阻转态层,位于所述下导电层之上;上电阻转态层,位于所述下电阻转态层之上;以及上导电层,位于所述上电阻转态层之上,其中所述上电阻转态层包括以原子层沉积法形成的第一氧化物材料层,所述下电阻转态层包括以原子层沉积法形成且经由氧电浆处理的第二氧化物材料层。
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本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310164409.2/,转载请声明来源高智网。

 
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