[发明专利]存储器元件与其工艺在审
| 申请号： | 201310164409.2 | 申请日： | 2013-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104143605A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 曾俊元;黄骏扬;江政鸿 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张然;李昕巍 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种存储器元件，至少包括一叠层结构，所述叠层结构具有上电极/上电阻转态层/氧电浆处理后的下电阻转态层/下电极的结构。本发明通过氧电浆处理来提升氧离子含量于电阻转态层中，而增加的氧离子数目可有效提升电阻转态的次数。此外，氧电浆处理与电阻转态层薄膜的沉积皆由同一台原子层沉积系统来达成，此方式减少了因工艺腔体破真空后所可能造成的薄膜品质变质或进而影响电阻转态特性等问题，因此所述工艺方法可改善薄膜品质且便于大量量产制造。本发明的工艺方法相当适合应用于高效能电阻式非易失性存储器元件的量产制作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 与其 工艺 | ||
【主权项】：
一种存储器元件结构，至少包括一叠层结构，而所述叠层结构至少包括：下导电层；下电阻转态层，位于所述下导电层之上；上电阻转态层，位于所述下电阻转态层之上；以及上导电层，位于所述上电阻转态层之上，其中所述上电阻转态层包括以原子层沉积法形成的第一氧化物材料层，所述下电阻转态层包括以原子层沉积法形成且经由氧电浆处理的第二氧化物材料层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华邦电子股份有限公司，未经华邦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310164409.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：阻隔膜及其制作方法
- 下一篇：用于处理具有背触式体系结构的光伏面板的方法
