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[发明专利]一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法-CN202311219550.8在审
发明人： 母凤文;高文琳;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-21 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法，所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板；所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上，来调整并优化等离子的刻蚀强度和作用，平衡刻蚀中心与刻蚀边缘的刻蚀效果，使刻蚀更加平稳而均匀，进而可以精准控制刻蚀过程，在有效去除刻蚀目标的同时，防止过度刻蚀，有效保护衬底。进一步地，本发明通过配有翻转机构和/或伸缩机构来控制多孔挡板，实现其对等离子体阻挡作用的打开或关闭，进而可以选择性地使用多孔挡板或不使用多孔挡板来进行刻蚀，以形成更加灵活且具有针对性的刻蚀工艺过程。
一种等离子体刻蚀装置方法

[发明专利]晶圆预键合保持系统及晶圆预键合保持方法-CN202311211672.2在审
发明人：么之光;高智伟;母凤文;郭超 -专利权人：天津中科晶禾电子科技有限责任公司
申请日： 2023-09-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了晶圆预键合保持系统及晶圆预键合保持方法。该系统包括下治具、上治具和对位机构；下治具包括第一吸附台和若干间隔均布于第一吸附台周围的第一吸附件，第一吸附件弹性连接于第一吸附台；上治具包括第二吸附台和若干间隔固接于第二吸附台周围的第二吸附件，第二吸附件用于吸附与自身相接触的第一吸附件；对位机构包括下压头及活动连接于下压头的上压头和驱动组件，上压头位于下压头上方，上治具可拆卸安装于上压头，下压头用于放置下治具，驱动组件用于驱动每个第一吸附件靠近或远离对应的第二吸附件。该系统通过对第一吸附件的位置调整，得以实现下治具在下压头上的定位以及下治具与上治具的连接。
晶圆预键合保持系统方法

[发明专利]一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用-CN202310913102.1有效
发明人：黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅基板包括掺杂N元素的碳化硅和游离碳，所述游离碳随机分布于所述碳化硅内部；所述N元素的掺杂浓度大于5×1020atoms/cm3；所述碳化硅基板的电阻率小于10mΩ·cm。本发明制备了一种低电阻的碳化硅基板，微观组织为掺杂N元素的碳化硅和游离碳的复合结构，该碳化硅基板不仅满足了电阻率小于10mΩ·cm的要求，而且组织均匀性好，可满足作为复合碳化硅晶圆的支撑层等应用环境。
一种电阻碳化硅及其制备方法应用

[发明专利]一种温度保持装置-CN202310913103.6有效
发明人：鞠家旺;郭超;母凤文 -专利权人：天津中科晶禾电子科技有限责任公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了一种温度保持装置，温度保持装置包括主体构件，主体构件包括依次设置的加热部、中间部和连接部，加热部用于放置并加热产品，中间部设置有空腔，连接部上开设有与空腔连通的连接通道。本发明提供的温度保持装置，产品放置于加热部上，并通过加热部直接加热，实现产品快速升温的目的；且中间部空腔的设置，当产品需要冷却时，空腔通过连接通道通入第一冷却介质，加热部与第一冷却介质换热降温，降温的加热部与产品换热，实现产品快速冷却的目的；当产品需要保温时，空腔通过连接通道通入隔热介质或抽真空，降低连接部与加热部之间的热传导速度，使加热部以及产品保持在合适的温度范围内。
一种温度保持装置

[发明专利]一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用-CN202310913098.9有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率，制造成本低，有利于批量化生产，可广泛应用于新能源、光伏等领域的半导体器件制造。
一种碳化硅复合衬底及其制备方法应用

[发明专利]化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法-CN202311181675.6在审
发明人：范博珺;高文琳;母凤文;郭超 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种化学机械抛光装置及化学机械抛光的方法。该化学机械抛光装置包括抛光台、抛光垫、抛光头、氧化组件和抛光液组件，抛光垫设置于抛光台上；抛光头用于吸附晶圆的背面，抛光头能够旋转，并使晶圆压向抛光垫；氧化组件包括混气腔体、臭氧气源件和氢气气源件，臭氧气源件通过第一管路与混气腔体连通，氢气气源件通过第二管路与混气腔体连通，混气腔体的顶部安装有射频电源件，混气腔体的内部安装有紫光灯；抛光液组件用于向抛光垫上喷淋抛光液。本发明提供的化学机械抛光的方法采用上述化学机械抛光装置进行。该化学机械抛光装置，通过设置氧化组件，有效提高了对晶圆表面的氧化效率。
化学机械抛光装置方法

[发明专利]键合片的分离装置及其分离方法-CN202311062453.2有效
发明人：张向鹏;王晓宇;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合片的分离装置及其分离方法，涉及半导体芯片制造技术领域。键合片包括支撑衬底和压电材料衬底，压电材料衬底包括余料衬底和薄膜层，薄膜层位于支撑衬底和余料衬底之间，键合片的分离装置用于将余料衬底与薄膜层分离，键合片的分离装置包括分离器、支撑台和压杆，分离器内设有分离腔。支撑台设于分离腔内，支撑台内设置有加热器，支撑台用于支撑键合片，并对键合片加热。压杆可移动的设置于分离器上，压杆包括压头，压头与支撑台相对设置，且压头具有冷却功能，压杆能移动至压头与余料衬底抵接，压头用于对余料衬底施加压力和冷却。使用该键合片的分离装置实现了压电材料衬底的重复利用，降低了成本。
键合片分离装置及其方法

[实用新型]间隙可调的送料牵引辊组-CN202322464360.4有效
发明人：鲁金鑫;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2023-09-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B65H20/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及送料设备技术领域，具体公开了间隙可调的送料牵引辊组。该送料牵引辊组用于传送待传送产品，包括固定组件、调节块和活动组件；固定组件包括第一固定架和驱动辊，驱动辊能绕工作方向转动；调节块能沿调节方向移动，调节块上转动连接有能绕工作方向转动的第一传动件，驱动辊与第一传动件带传动连接；活动组件能沿调节方向移动，活动组件包括活动架和能绕工作方向转动的从动辊，活动架上转动连接有能绕工作方向转动的第二传动件，从动辊与第二传动件带传动连接，第一传动件能与第二传动件啮合连接，驱动辊和从动辊分别从待传送产品的两侧夹紧待传送产品。该送料牵引辊组用于实现驱动辊与从动辊的间隙调节，以扩展适用的场景。
间隙可调牵引

[发明专利]一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法-CN202310967532.1有效
发明人：黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法，所述方法包括以下步骤：（1）依次连接籽晶、石墨托和籽晶杆；（2）在石墨坩埚内制备Si合金溶液；（3）下降籽晶杆，利用Si合金溶液浸润籽晶和石墨托；（4）提拉籽晶杆，在籽晶的上表面和石墨托的侧壁形成SiC粘接体；（5）旋转籽晶杆，在籽晶的下表面生长SiC晶体。本发明通过改变传统的工艺步骤，在生长SiC晶体之前形成SiC粘接体，有效避免了溶液法生长6英寸及以上碳化硅晶体过程中发生籽晶和晶体掉落的现象，提升了长晶过程的成功率和安全性，有利于大规模推广应用。
一种溶液生长碳化硅过程防止籽晶掉落方法

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用-CN202310913101.7有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述制备方法包括以下步骤：在中间牺牲层的表面两侧制备单晶碳化硅薄层，分别记为第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层，所述第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层分别与所述中间牺牲层键合连接，得到键合组件；在所述键合组件的表面两侧生长多晶碳化硅层，所述多晶碳化硅层中含有游离C相；去除所述键合组件中的中间牺牲层，得到两个所述复合碳化硅衬底。该制备方法可避免多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间的接合界面，成功率高，成本低。基于该方法制备的复合碳化硅衬底具有较低的电阻率，多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间结合紧密、牢固，可实现工业化生产。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置-CN202210551153.X有效
发明人：郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅复合基板的制造方法及制造装置，所述制造方法包括如下步骤：在保护性气氛中，使用含硅溶液交替生长单晶层与多晶层；切片，得到包括单晶层与多晶层的复合基板，复合基板中单晶层的数量与多晶层的数量相等；所述制造装置适用于所述制造方法，通过本发明提供的制造方法制备碳化硅复合基板，由于采用单晶层与多晶层交替生长的方式，生长至一定厚度的时间远小于生长单一的单晶碳化硅，且通过切片即可得到复合基板，提高了碳化硅复合基板的制造效率，降低了碳化硅复合基板的生产成本。
一种碳化硅复合制造方法装置

[发明专利]一种FD-SOI衬底的制备方法及SOI器件-CN202311118837.1在审
发明人：邢永禄;母凤文;郭超 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种FD‑SOI衬底的制备方法及SOI器件，所述制备方法包括：提供衬底a；提供依次经第一热氧氧化处理和离子注入的衬底b；将衬底a和衬底b进行键合，之后进行裂片，得到FD‑SOI结构衬底；对FD‑SOI结构衬底依次进行第二热氧氧化、酸蚀、抛光和离子束刻蚀，得到含顶膜的FD‑SOI衬底；本发明提供的FD‑SOI衬底的制备方法，通过对制备过程进行设计，并借助特定的参数控制，实现了高质量顶膜FD‑SOI衬底中高质量顶膜的制备，制备所得顶膜厚度可达FD‑SOI顶膜的要求，膜厚均匀性≤10Å，粗糙度Ra≤0.2nm。
一种 fd soi 衬底制备方法器件

[实用新型]气相沉积装置-CN202322381334.5有效
发明人：姜耀天;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-09-04 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型属于薄膜制备技术领域，公开了气相沉积装置，其包括：炉体、旋转轴、传动组件以及驱动件。炉体内具有炉腔，炉腔内具有供气流穿过的流道；旋转轴转动连接于炉腔内并垂直穿设于流道，旋转轴位于流道内的部分设有多个衬底；传动组件设置于炉体并与旋转轴连接；驱动件与传动组件连接以通过传动组件驱动旋转轴带动多个衬底旋转。以此该气相沉积装置在使用时，不仅能够一次性对多个衬底进行镀膜，而且每个衬底表面镀膜的厚度也能保持一致。
沉积装置

[实用新型]晶体称重装置及系统-CN202322365140.6有效
发明人：梁爽;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： C30B15/28 文献下载
摘要：本实用新型属于长晶炉技术领域，公开了一种晶体称重装置及系统。该晶体称重装置包括支撑座、衬套、磁流体密封件、真空室、旋转提拉机构和称重传感器，两个衬套分别设于支撑座的两端，衬套内密封滑动连接有导向轴；磁流体密封件与支撑座间隔设置，且磁流体密封件与导向轴连接；真空室设于磁流体密封件远离支撑座的一侧；旋转提拉机构包括旋转轴组件和第一驱动件，旋转轴组件的第一端穿过支撑座并密封穿过所述磁流体密封件的中心处后伸入真空室内，旋转轴组件的第一端设置有晶体；称重传感器设于支撑座和磁流体密封件之间，且称重传感器位于衬套的内侧。本实用新型提供的晶体称重系统包括上述晶体称重装置，提高了称重精度。
晶体称重装置系统

[发明专利]一种碳化硅单晶生长装置及生长方法-CN202310761937.X有效
发明人：吴江;乔建东;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅单晶生长装置及生长方法，包括坩埚主体，用于盛放及加热碳化硅原料，坩埚主体内设置有阻流元件，将坩埚主体的内腔分为由上至下的生长腔与原料腔，阻流元件开设有连通生长腔与原料腔的开口，生长腔用于生长碳化硅晶体，原料腔内填充碳化硅原料；原料腔内设置有Si源补充容器，Si源补充容器与阻流元件之间形成气体通道，Si源补充容器埋覆于所述碳化硅原料内，Si源补充容器内填充有含硅粉料，含硅粉料的Si组分与碳化硅原料在坩埚主体的加热下升华，经过气体通道并由开口上升至生长腔内。本发明解决了因碳化硅粉料碳化导致的晶体内碳包裹物数量超标的问题，极大提高了碳化硅晶体质量。
一种碳化硅生长装置方法

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