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[发明专利]一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用-CN202310913102.1有效
发明人： 黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C16/32 文献下载
摘要：本发明提供一种低电阻的碳化硅基板及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅基板包括掺杂N元素的碳化硅和游离碳，所述游离碳随机分布于所述碳化硅内部；所述N元素的掺杂浓度大于5×1020atoms/cm3；所述碳化硅基板的电阻率小于10mΩ·cm。本发明制备了一种低电阻的碳化硅基板，微观组织为掺杂N元素的碳化硅和游离碳的复合结构，该碳化硅基板不仅满足了电阻率小于10mΩ·cm的要求，而且组织均匀性好，可满足作为复合碳化硅晶圆的支撑层等应用环境。
一种电阻碳化硅及其制备方法应用

[发明专利]一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用-CN202310913098.9有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅复合衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述碳化硅复合衬底包括支撑层和与支撑层键合连接的单晶碳化硅薄层；所述支撑层为含有游离C相的多晶碳化硅层。本发明提出了一种碳化硅复合衬底，包括单晶碳化硅薄层，以及含有游离C相的多晶碳化硅支撑层，该支撑层的电阻率低于0.01Ω∙cm，并且支撑层和单晶碳化硅薄层键合连接，二者相互配合，使得构建的碳化硅复合衬底具有较低的电阻率，制造成本低，有利于批量化生产，可广泛应用于新能源、光伏等领域的半导体器件制造。
一种碳化硅复合衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法-CN202310967532.1有效
发明人： 黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-03 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C30B9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种在溶液法生长碳化硅过程中防止籽晶掉落的方法，所述方法包括以下步骤：（1）依次连接籽晶、石墨托和籽晶杆；（2）在石墨坩埚内制备Si合金溶液；（3）下降籽晶杆，利用Si合金溶液浸润籽晶和石墨托；（4）提拉籽晶杆，在籽晶的上表面和石墨托的侧壁形成SiC粘接体；（5）旋转籽晶杆，在籽晶的下表面生长SiC晶体。本发明通过改变传统的工艺步骤，在生长SiC晶体之前形成SiC粘接体，有效避免了溶液法生长6英寸及以上碳化硅晶体过程中发生籽晶和晶体掉落的现象，提升了长晶过程的成功率和安全性，有利于大规模推广应用。
一种溶液生长碳化硅过程防止籽晶掉落方法

[发明专利]一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用-CN202310913101.7有效
发明人：郭超;黄秀松;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用，属于半导体技术领域，所述制备方法包括以下步骤：在中间牺牲层的表面两侧制备单晶碳化硅薄层，分别记为第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层，所述第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层分别与所述中间牺牲层键合连接，得到键合组件；在所述键合组件的表面两侧生长多晶碳化硅层，所述多晶碳化硅层中含有游离C相；去除所述键合组件中的中间牺牲层，得到两个所述复合碳化硅衬底。该制备方法可避免多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间的接合界面，成功率高，成本低。基于该方法制备的复合碳化硅衬底具有较低的电阻率，多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间结合紧密、牢固，可实现工业化生产。
一种复合碳化硅衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种用于集装箱锁钮的拆装装置和车载式锁钮拆装系统-CN202310895751.3在审
发明人： 黄秀松;李炳昆;李雪刚 -专利权人：李雪刚;九工机器（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B23P19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集装箱锁钮的拆装装置和车载式锁钮拆装系统，其中拆装装置一用于拆装集装箱角件处锁钮的夹具；一供夹具安装的夹具支撑机构；一吸附式定位机构通过两个吸附机构的吸附作用实现空间定位；以及一锁钮存储机构。本发明具有集体积小、结构简单、可随车安装、具有纯机械定位机构、稳定可靠于一体。占用码头道路面积小并以机械与液压产生动力驱动设备实现自动化拆装锁钮的解决方案，同时可以兼容二平台锁钮的拆装工作。
一种用于集装箱拆装装置车载式锁钮系统

[发明专利]一种用于集装箱中锁的自动拆装夹具-CN202310895748.1在审
发明人： 黄秀松;李炳昆;李雪刚 -专利权人：李雪刚;九工机器（上海）有限公司
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B25B27/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于集装箱中锁的自动拆装夹具包括：一连接板、至少两组仿形夹紧机构、一图像采集机构、一拨销机构、一拉辫机构和一夹具座。该自动拆装夹具可匹配各种锁形，满足目前市场上多数主流的中锁拆装需求，具有使用维护简单、工作稳定可靠、适用面广，通用性强等特点。
一种用于集装箱自动拆装夹具

[发明专利]一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法-CN202310797410.2有效
发明人： 黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-03 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶体生长中抑制表面台阶粗化的方法，所述方法包括如下步骤：（1）加热硅原料与助溶剂，得到硅合金溶液；（2）将籽晶的底面接触步骤（1）所得硅合金溶液，使碳化硅晶体在所述籽晶的底面生长；在所述碳化硅晶体的生长过程中，对靠近碳化硅晶体生长面的硅合金溶液进行高频振动处理。本发明通过在碳化硅晶体的生长过程中对硅合金溶液施加高频振动，进而提高了传输到碳化硅晶体生长面的台阶前沿的C溶质量，使得台阶沿宽度方向持续生长，从而抑制了碳化硅晶体生长过程中的台阶粗化。
一种碳化硅晶体生长抑制表面台阶方法

[发明专利]溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置-CN202311041163.X在审
发明人： 黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-18 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G01P13/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种溶液法生长碳化硅晶体中溶液流动的观察方法和观察装置，观察方法包括：对硅合金溶液进行保温，使硅合金溶液表面析出碳化硅晶体；通过调整硅合金溶液内温度梯度、施加电磁搅拌、旋转籽晶杆或旋转坩埚来改变硅合金溶液的流动参数，同时采用照相设备进行拍摄，得到含有流场参数的照片，实现对溶液流动的观测；其中，硅合金溶液的温度为1700‑2100℃；保温的时间为1‑3h；析出碳化硅晶体的溶液面积为硅合金溶液表面面积的30‑60%。本发明提供的观察方法，通过观察碳化硅晶体在硅合金溶液表面的流动过程，获得了溶液法生长碳化硅晶体过程中不同工艺条件下硅合金溶液的流动特点，具有流程简单，实现成本低的优点。
溶液生长碳化硅晶体流动观察方法装置

[发明专利]一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用-CN202310943228.3在审
发明人： 黄秀松;史悦;余剑云;郭超;母凤文 -专利权人：北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C30B15/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅籽晶的粘接方法及应用，所述粘接方法包括如下步骤：采用胶水将碳化硅籽晶粘接在石墨托上，然后进行碳化，得到包括C粘接层的石墨托；其中，所述胶水中包括含硅粉末；将所述包括C粘接层的石墨托依次进行升温和保温，然后经过冷却后，完成碳化硅籽晶的粘接；所述粘接方法利用Si元素易蒸发、SiC在过饱和状态下析出以及SiC晶体升华量小的特点，大幅加强了碳化硅籽晶的粘接强度，有效防止了溶液法生长大尺寸SiC晶体，且在使用加减速旋转条件时，SiC籽晶和晶体掉落的情况。
一种碳化硅籽晶方法应用

[发明专利]一种碳化硅石墨复合坩埚及其制备方法与应用-CN202310280787.0有效
发明人： 黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅石墨复合坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：（1）含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔；（2）热处理完成后，内腔表面涂覆含硅浆料，烘干固化，得到含硅涂层；（3）真空环境下加热石墨坩埚，冷却后，得到所述碳化硅石墨复合坩埚。本发明制备得到的碳化硅石墨复合坩埚可以作为TSSG法生长SiC单晶的容器和Si源，能够稳定生长过程中Si元素的含量，适合长时间稳定生长SiC单晶。
一种碳化硅石墨复合坩埚及其制备方法应用

[发明专利]一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用-CN202310280783.2有效
发明人： 黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明涉及一种改良石墨坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔，得到所述改良石墨坩埚。本发明提供的改良石墨坩埚的内壁为孔隙结构；沿远离改良石墨坩埚中心轴的方向，所述孔隙结构的孔隙率逐渐降低。内壁最内层的孔隙结构使石墨与含硅的合金溶液接触的表面积增加，提高了碳元素溶解到含硅的合金溶液中的速度，从而提高了SiC单晶生长的速度。
一种改良石墨坩埚及其制备方法应用

[发明专利]一种含碳化硅涂层的石墨复合坩埚及其制备方法与应用-CN202310280785.1有效
发明人： 黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及一种含碳化硅涂层的石墨复合坩埚及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：（1）含氧气氛下热处理石墨坩埚的内腔；（2）热处理完成后，通过物理气相传输于石墨坩埚的内腔表面形成SiC涂层，得到所述含碳化硅涂层的石墨复合坩埚。本发明制备得到的含碳化硅涂层的石墨复合坩埚可以作为TSSG法生长SiC单晶的容器和Si源，能够稳定生长过程中Si元素的含量，适合长时间稳定生长SiC单晶。
一种碳化硅涂层石墨复合坩埚及其制备方法应用

[实用新型]一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置-CN202320253136.8有效
发明人： 黄秀松;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C30B15/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石墨坩埚和碳化硅溶液法生长装置，所述石墨坩埚包括外坩埚和内坩埚，所述外坩埚的内腔中容纳有所述内坩埚，所述外坩埚的内侧壁与所述内坩埚的外侧壁之间存在间隙，所述外坩埚和所述内坩埚的开口方向一致；所述外坩埚为等静压石墨外坩埚，所述内坩埚为模压石墨内坩埚。本实用新型的内坩埚为生长碳化硅晶体的消耗品，其材质为模压石墨，具有价格较低的优势，从而可降低生长碳化硅晶体的消耗成本；外坩埚的材质为等静压石墨，具有高强度和高密度的优势，可以确保即使内坩埚发生泄漏，外坩埚仍然可以承载反应原料，提高了石墨坩埚的安全性。
一种石墨坩埚碳化硅溶液生长装置

[发明专利]一种港口吊具模板点云自动生成的方法-CN202310190315.6在审
发明人：潘志琛;黄秀松;张垒超;杨楣;江灿森 -专利权人：上海友道智途科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： G01S13/89 文献下载
摘要：本发明公开一种港口吊具模板点云自动生成的方法,根据车辆行驶轨迹自动提取点云关键帧、确认ROI区域、获取吊具点云，并通过匹配多组吊具点云的方式生成完整模板点云；对于多台雷达交叉视野处共同扫描吊具点云的情况，提出点云拆分并分别匹配的方式，消除多雷达外参误差对模板点云精度的影响，同时，采用智能驾驶车辆自带激光雷达完成三维点云建模，相较于专业扫描设备，成本更低，效率更高，且不需要改变吊具的外观，适用性更广。
一种港口模板自动生成方法

[发明专利]一种面向港口锁站的车辆定位方法及系统-CN202310190312.2在审
发明人：戴笠;黄秀松;杨盼;杨楣;杨磊;江灿森 -专利权人：上海友道智途科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G01C21/00 文献下载
摘要：本发明公开一种面向港口锁站的车辆定位方法及系统，根据不同情况切换定位方式，且基于锁站区域内标识物的图像处理与匹配方法进行车辆定位，具有减少冗余的存储信息，节省算力的优点，能够抵抗因环境亮度变化、观测标识物的视角变化而产生的干扰，提高匹配成功率，同时，具有锁站内定位精度高、无需场端改造、易实施且维护成本低的优点。
一种面向港口车辆定位方法系统

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