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- [实用新型]光电半导体元件-CN202320242915.8有效
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欧震;廖文禄;沈庆兴;高慧芳
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晶元光电股份有限公司
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2023-02-17
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2023-10-20
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H01L33/24
- 本实用新型公开一种光电半导体元件，包括具有高台部及凹陷部的外延叠层。高台部包括第一侧面、第二侧面相对于第一侧面、第三侧面位于第一侧面与第二侧面之间、及第四侧面相对于第三侧面，其中第一侧面较第二侧面靠近凹陷部，第一侧面具有第一倾斜角度，第二侧面具有第二倾斜角度，第三侧面具有第三倾斜角度，第四侧面具有第四倾斜角度。绝缘层覆盖于外延叠层上，绝缘层在凹陷部具有第一开孔。第一电极位于凹陷部上，填入第一开孔且覆盖第一侧面，其中第一倾斜角度分别小于第二倾斜角度、第三倾斜角度、及第四倾斜角度。
- 光电半导体元件
- [发明专利]发光元件-CN202211361128.1在审
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刘家铭;欧震;戴俊杰;王士玮;杨智乔;黄锋文;胡殿英;叶育翔
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晶元光电股份有限公司
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2022-11-02
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2023-05-05
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H01L33/14
- 本发明公开一种发光元件，其包含一n型氮化物半导体结构；一应力释放结构位于n型氮化物半导体结构上，包含多个窄能隙层与多个宽能隙层交替堆叠，其中多个宽能隙层之一包含多个宽能隙子层且多个宽能隙子层的至少一个包含Als6Ga(1‑s6)N；一活性结构位于应力释放结构上，包含多个量子阱层与多个障壁层交替堆叠，其中多个障壁层之一包含多个障壁子层且多个障壁子层的至少一个包含Als8Ga(1‑s8)N，宽能隙子层的绝对铝组成大于或等于障壁子层的绝对铝组成，且宽能隙层的平均铝组成大于障壁层的平均铝组成；一电子阻挡结构位于活性结构上；以及一p型氮化物半导体结构位于电子阻挡结构上。
- 发光元件
- [发明专利]发光元件-CN202310074601.6在审
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陈鹏壬;邱于珊;林文祥;王士玮;欧震
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晶元光电股份有限公司
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2019-04-28
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2023-04-18
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H01L33/22
- 本发明公开一种发光元件，其包含：基板结构，包含基底部，其具有表面以及多个凸出部位于基底部之上，多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上；以及缓冲层，其覆盖于多个凸出部及表面上，其中，缓冲层包含氮化铝材料且具有一厚度大于5nm及不超过50nm；以及Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层，位于缓冲层上；其中，多个凸出部各包含第一部分以及位于第一部分上的第二部分，第一部分一体成形于基底部，且第二部分的材料与第一部分的材料不同；以及第一部分的高度占凸出部的高度的1％至30％(两者都含)。
- 发光元件
- [发明专利]光电元件-CN202211107157.5在审
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薛惟仁;李世昌;欧震;潘柏舟;廖文禄
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晶元光电股份有限公司
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2022-09-09
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2023-03-14
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H01L31/0304
- 本发明公开一种光电元件，其包含：一基底；一第一半导体叠层设置于基底上，包含一第一主动层用以发出或吸收一第一光线，所述的第一光线具有一第一波长；第二半导体叠层设置于所述的第一半导体叠层上，包含一第二主动层用以发出或吸收一第二光线，其中，所述的第二光线具有一第二波长以及且所述的第一波长大于所述的第二波长；以及一第一光学结构设置于所述的第一半导体叠层及所述的第二半导体叠层之间，包含多个第一结构以及多个第二结构沿着一水平方向以一第一周期作交替周期性排列，且所述的第一半导体叠层、所述的第二结构、及所述的第二半导体叠层彼此之间的界面包含连续堆叠的外延结构。
- 光电元件
- [发明专利]发光元件-CN201910348458.9有效
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陈鹏壬;邱于珊;林文祥;王士玮;欧震
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晶元光电股份有限公司
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2019-04-28
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2023-02-03
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H01L33/22
- 本发明公开一种发光元件，其包含：一基板结构，包含一基底部，其具有一表面以及多个凸出部，多个凸出部以二维阵列方式排列于基底部的表面上；以及一缓冲层，其覆盖于多个凸出部及表面上，其中，缓冲层包含氮化铝材料；以及Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体层，位于缓冲层上；其中，多个凸出部各包含第一部分以及位于第一部分上的第二部分，且第一部分一体成形于基底部；以及发光元件具有一(102)面的X‑射线绕射(XRD)的一半高宽数值，半高宽数值小于250arcsec。
- 发光元件
- [发明专利]半导体元件-CN202211137887.X在审
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胡子杰;连伟杰;欧震;刘家铭;纪慈祎
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晶元光电股份有限公司
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2018-11-30
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2023-01-06
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H01L33/32
- 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体区域；以及位于第一半导体区域上的一第一电极，其中第一半导体区域包含一第一层以及一第二层，第二层包含一第一部位和与第一部位相邻的一第二部位，第一部位具有一第一厚度，第二部位具有一第二厚度，第二厚度小于第一厚度，第一层包含一第一材料和一第一掺杂物，第一材料包含多种元素，第一掺杂物具有一第一浓度，第二层包含一第二材料和一第二掺杂物，第二材料包含多种元素，第二掺杂物具有一第二浓度，第一层的第一材料的多种元素之一与第二层的第二材料的多种元素不同。
- 半导体元件
- [发明专利]半导体元件-CN201811451716.8有效
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胡子杰;连伟杰;欧震;刘家铭;纪慈祎
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晶元光电股份有限公司
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2018-11-30
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2022-10-04
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H01L33/32
- 本发明公开一种半导体元件，其包含︰一第一半导体区域；以及位于第一半导体区域上的一第一电极，其中第一半导体区域包含一第一层以及一第二层，第二层包含一第一部位和与第一部位相邻的一第二部位，第一部位具有一第一厚度，第二部位具有一第二厚度，第二厚度小于第一厚度，第一层包含一第一材料和一第一掺杂物，第一材料包含多种元素，第一掺杂物具有一第一浓度，第二层包含一第二材料和一第二掺杂物，第二材料包含多种元素，第二掺杂物具有一第二浓度，第一层的第一材料的多种元素之一与第二层的第二材料的多种元素不同。
- 半导体元件
- [发明专利]银行产品套餐业务数据的处理方法及系统-CN202111289162.8在审
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刘欢欢;欧震
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中国银行股份有限公司
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2021-11-02
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2022-02-01
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G06Q40/02
- 本发明公开了一种银行产品套餐业务数据的处理方法及系统，其中该方法包括：客户端接收用户输入的产品套餐业务办理请求；将该请求发送至服务器；该请求中包括用户选择的收费类型和收费内容参数；服务器根据用户选择的收费类型和收费内容参数，预先建立的产品套餐确定模型，确定多种产品套餐组合；根据预先建立的试算模型，确定每一产品套餐组合对应的价格数据；将每一产品套餐组合及其对应的价格数据反馈给客户端；客户端根据用户所属机构的属性提供多种类型显示页面显示产品套餐组合及其对应的价格数据；接收用户根据每一产品套餐组合及其对应的价格数据选择的最优产品套餐组合作为签约产品套餐。本发明可以灵活高效地处理银行产品套餐业务数据。
- 银行产品套餐业务数据处理方法系统
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