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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相移空白掩膜和光掩膜-CN201810513173.1有效
发明人：南基守;申澈;金东建;李钟华;梁澈圭;崔珉箕 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-05-25 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。
相移空白光掩膜

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN201811558340.0有效
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。
空白光掩模

[发明专利]相移空白掩膜及其制造方法-CN201810477224.X有效
发明人：南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;申升协;公拮寓 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。
相移空白及其制造方法

[发明专利]针对极紫外线的反射型空白掩模和其制造方法-CN202011318624.X在审
发明人： 梁澈圭;公拮寓 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F1/52 文献下载
摘要：一种针对极紫外线的反射型空白掩模、其制造方法及光掩模。空白掩模包含衬底、堆叠于衬底上的反射膜以及堆叠于反射膜上的吸收膜。反射膜包含至少一个Mo/Si层和至少一个Ru/Si层，至少一个Mo/Si层包含Mo层和Si层，至少一个Ru/Si层包含Ru层和Si层。形成反射膜的相应层之间的相互扩散在具有反射膜的针对极紫外线的空白掩模中受到抑制。因此，改良空白掩模的反射率，且防止反射率由于制造之后的使用而减小，由此延长光掩模的寿命。
针对紫外线反射空白制造方法

[发明专利]具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模-CN202011322130.9在审
发明人：徐暻原;公拮寓;梁澈圭 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：一种具有背侧导电层的空白掩模及利用其制造的光掩模。空白掩模包含附接到衬底的背侧的导电层，且导电层包含依序堆叠在衬底的背侧上的第一层、第二层以及第三层。第一层和第三层由含有铬(Cr)和氧(O)的材料制成，且第二层由不含有氧(O)但含有铬(Cr)的材料制成。提供具有导电层的空白掩模，导电层具有低薄层电阻、对衬底的高粘着力以及施加到衬底的低应力的特性。
具有导电空白利用制造光掩模

[发明专利]空白罩幕以及光罩-CN201980085968.X在审
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协;公拮寓 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。
空白以及

[发明专利]空白掩模及利用其制备的光掩模-CN201510640051.5有效
发明人：南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;全永眺 -专利权人：株式会社SSTECH
申请日： 2015-09-30 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G03F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种空白掩模和光掩模，控制光屏蔽膜的金属及轻元素成分，以便光屏蔽膜可保证光屏蔽效率，增加刻蚀速度，变得更薄，并具有最小的表面电阻。为此，根据本发明的空白掩模包括至少一个位于透明基板上的光屏蔽膜，所述光屏蔽膜包括毗邻所述基板的第一光屏蔽层和形成于所述第一光屏蔽层上面的第二光屏蔽层，所述第一和第二光屏蔽层包含铬(Cr)和钼(Mo)。
空白利用制备光掩模

[发明专利]用于极紫外光刻的空白掩模和光掩模-CN202011221137.1在审
发明人：申澈;李锺华;梁澈圭;公拮寓;徐暻原 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于极紫外光刻的空白掩模以及光掩模，包含依序形成于透明基板上的反射膜、覆盖膜以及吸收膜，其中反射膜具有0.5纳米Ra或小于0.5纳米Ra的表面粗糙度。有可能防止极紫外光掩模图案的基脚发生，改善极紫外空白掩模的平坦度，且防止覆盖膜的氧化和缺陷。
用于紫外光刻空白光掩模

[发明专利]用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模-CN202011136791.2在审
发明人：申澈;李锺华;郑始俊;梁澈圭 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模和光掩模，用于极紫外光刻的半色调衰减式相移空白掩模包含：顺序地设置于透明衬底上的反射膜、覆盖膜、第一蚀刻终止膜、相移膜、第二蚀刻终止膜以及吸收膜。相移膜具有20％或大于20％的高反射率，如此在晶片印刷期间改进归一化图像对数斜率和掩模误差增强因数的特性。
用于紫外光刻色调衰减相移空白光掩模

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN202010401171.0在审
发明人：申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;申昇协 -专利权人：思而施技术株式会社
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。
空白光掩模

[发明专利]相移空白掩模及光掩模-CN201510848681.1有效
发明人：南基守;申澈;李钟华;梁澈圭;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 -专利权人：株式会社SSTECH
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制造光掩模的空白掩模，其可实现32nm级以下，优选地，14nm级以下，更优选地，10nm级以下的微细图案。为此，在透明基板上提供相移膜、光屏蔽膜、刻蚀阻止膜和硬膜，所述光屏蔽膜具有成分不同的两层或多层的多层结构，其中一种必须包含氧(O)，必须包含氧(O)的光屏蔽层占光屏蔽膜总厚度的50％‑100％，所述相移膜具有10％‑50％的透射率。
相移空白光掩模

[发明专利]相位反转空白掩模及光掩模-CN201510421048.4有效
发明人：南基守;申澈;梁澈圭;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 -专利权人：株式会社SSTECH
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明涉及相位反转空白掩模及光掩模，相位反转空白掩模的遮光膜由具有包括第一遮光层及第二遮光层的多层膜或连续膜结构的金属化合物形成。第二遮光层比第一遮光层，每单位厚度的曝光波长的光密度更高，第一遮光层的厚度为遮光膜的总厚度的70％～90％。这种空白掩模可确保遮光性，改善刻蚀速度，且可薄膜化抗蚀膜的厚度，从而可实现微细图案。
相位反转空白光掩模

[发明专利]空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模-CN201510126156.9有效
发明人：南基守;梁澈圭;姜亘远;申澈;李钟华;崔珉箕;金昌俊;张圭珍 -专利权人：株式会社S&;S技术
申请日： 2015-03-20 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G03F1/48 文献下载
摘要：本发明提供一种空白掩模和使用所述空白掩模的光掩模。所述空白掩模可以适用于在所述光掩模的制造之后通过在遮光膜或相移膜上形成具有相对于硬膜或遮光膜的图案的蚀刻选择性的保护膜来防止遮光膜或相移膜的图案的侧表面、顶表面以及底表面的厚度损失，以使得在光掩模的制造方法中在洗涤工艺和硬膜图案的去除工艺期间，当执行安置在硬膜之下的遮光膜或遮光膜图案的去除工艺时，可以防止在遮光膜下形成的相移膜或相移膜的损失，由此确保厚度均匀性。
空白使用光掩模

[发明专利]空白掩模和光掩模-CN201410521130.X有效
发明人：南基守;姜亘远;申澈;李钟华;梁澈圭;金昌俊;郑始俊;张圭珍 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明提供具有半节距为32纳米或小于32纳米(尤其半节距为22纳米或小于22纳米)的高分辨率图案的光掩模，其通过形成空白掩模来制造，在所述空白掩模中，在透明衬底上形成不透光膜和相对于所述不透光膜厚度较小并且蚀刻选择性较高的硬膜。光掩模可以通过调节构成不透光膜的金属、硅以及少量元素的组成比率而具有较高质量，以抑制在电子束修复工艺期间二氟化氙气体对图案的破坏。
空白掩模不透光光掩模节距电子束高分辨率图案蚀刻选择性二氟化氙修复工艺衬底硬膜金属图案透明制造

[发明专利]空白罩幕以及光罩的制造方法-CN201280069965.5有效
发明人：南基守;姜亘远;李钟华;梁澈圭;权顺基 -专利权人：株式会社S&S技术
申请日： 2012-10-26 - 公布日： 2017-12-26 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种制造光罩(其中硬罩膜图案是用来作为蚀刻罩幕，以蚀刻在硬罩膜图案下的相反转膜)的方法。本发明还提供一种用于制造光罩的方法的空白罩幕以及使用空白罩幕的光罩。根据本发明，可将用于图案化硬罩膜的光阻膜形成为薄厚度，并且可使用具有高蚀刻选择性的硬罩膜图案来蚀刻相反转膜，且因此，光罩可由藉由遮光膜图案而将光学密度维持为3.0的方式来制造，同时可增加图案的分辨率与精确度、减少负载效应以及改善关键尺寸特性(如关键尺寸均匀度与关键尺寸线性度)。
空白及其制造方法

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