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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201810438794.8有效
发明人：黄伟杰;陈界璋;许峰嘉;郭景森;梁晋玮;陈侠威 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括形成自基板凸起的结构，形成介电层以覆盖结构，形成虚置层以覆盖介电层，以及进行平坦化工艺以完全移除虚置层。平坦化工艺对虚置层的移除速率小于对介电层的移除速率。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201911051128.X有效
发明人：黄才铭;黄伟杰;匡训冲;朱彦璋;鍾政哲;梁晋玮;郭景森;陈界璋;许峰嘉;陈昇照 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法。制造半导体装置的方法包含，第一层间介电层形成于基材上，化学机械研磨停止层形成于第一层间介电层上，经由图案化化学机械研磨停止层以及第一层间介电层形成沟槽，金属层形成于化学机械研磨停止层上以及沟槽中，化学机械研磨牺牲层形成于金属层上，于化学机械研磨牺牲层以及金属层上执行化学机械研磨操作，以移除化学机械研磨停止层上方的金属层的部分，并移除沟槽上的化学机械研磨牺牲层的剩余部分。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]存储器器件及其形成方法、存储单元-CN202310635608.0在审
发明人：金海光;梁晋玮;林杏莲;江法伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B63/10 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种形成存储器器件的方法，包括：在衬底上方形成绝缘体层，其中所述绝缘体层定义第一开口；在所述第一开口内形成导通孔；在所述导通孔上方形成存储单元堆叠，其中所述存储单元堆叠包含上覆于吸气剂金属层的第一电极、上覆于所述第一电极的第一相变层以及上覆于所述第一相变层的第二电极；以及使所述存储单元堆叠图案化成存储单元，使所述顶部电极的侧壁与所述吸气剂金属层的侧壁对准。
存储器器件及其形成方法存储单元

[发明专利]相变存储器结构、存储器器件及其形成方法、存储单元-CN201910119439.9有效
发明人：金海光;梁晋玮;林杏莲;江法伸 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供一种相变存储器器件，包含具有安置在相变元件与介电层之间的吸气剂金属层的相变存储器结构。相变存储器结构包含介电层、底部电极、通孔、相变元件以及吸气剂金属层。介电层安置在衬底上方。底部电极上覆于介电层。通孔从介电层的底部表面延伸穿过介电层到介电层的顶部表面。相变元件上覆于底部电极。吸气剂金属层安置在介电层与相变元件之间。
相变存储器结构器件及其形成方法存储单元

[发明专利]一种天线罩用小型化无源柔性带通频率选择表面-CN202010729834.1有效
发明人：曹帅;曹群生;梁晋玮;吴东辉 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种天线罩用小型化无源柔性带通频率选择表面，包括上层金属周期阵列和下层基板；金属周期阵列包括若干个呈周期性排列分布的金属单元；金属单元包含四块关于中心对称的弯折线。本发明将小型化频率选择表面与超薄基底结合起来，制作简单，能够实现频率选择表面在复杂曲面天线罩表面上进行贴覆，上层金属周期阵列通过减小单元尺寸并使阵列周期减小，实现“带内透波，带外隐身”的电磁性能，并且拥有较好的角度稳定性和透波性能，具有重要的应用前景。
一种天线罩小型化无源柔性频率选择表面

[发明专利]制造半导体器件和结构的方法以及半导体结构-CN202110161527.2在审
发明人： 梁晋玮;陈昇照;匡训冲;李昇展 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法包括：接收器件衬底；在该器件衬底的正面上形成互连结构；以及将凹槽蚀刻到该器件衬底的背面中，直到互连结构的部分暴露为止。该凹槽具有凹槽深度，并且凹槽的边缘由器件衬底的侧壁限定。在凹槽中形成导电接合焊盘，并且第一多个层覆盖导电接合焊盘，沿着器件衬底的侧壁延伸，并且覆盖器件衬底的背面。第一多个层共同具有小于凹槽深度的第一总厚度。执行第一化学机械平坦化以去除第一多个层的部分，以使得第一多个层的剩余部分覆盖导电接合焊盘。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法以及半导体结构。
制造半导体器件结构方法以及半导体

[发明专利]电子元件测试设备-CN201811183868.4有效
发明人： 梁晋玮 -专利权人：鸿劲精密股份有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01R31/01 文献下载
摘要：本发明提供一种电子元件测试设备，其包含供料装置、测试装置及输送装置，该输送装置是在供料装置处取出至少一具第一面第一接点及第二面第二接点的电子元件，并移入该测试装置的测试承置器，以使电子元件的第一接点电性接触第一测试器的第一传输件，该测试装置以驱动机构驱动具第二传输件的第二测试器位移，使第二测试器的第二传输件电性接触电子元件的第二接点，利用第一测试器及第二测试器对该测试承置器上的电子元件执行复数个预设测试作业，以自动化测试电子元件及缩减转运电子元件动作时序，达到提升测试品质及生产效能的实用效益。
电子元件测试设备

[发明专利]基于RFID单标签的签名识别系统和认证方法-CN202111387045.5在审
发明人：朱飑凯;卫清;梁鑫葛;梁晋玮;刘三满;刘学博;李江涛;张心怡 -专利权人：山西警察学院
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及笔迹鉴定与用户认证系统，具体为一种基于RFID单标签的动态笔迹检测与用户身份识别认证相结合的签名识别系统和认证方法。该系统包括以RFID标签、天线与塑料容器为基础的信号采集装置、以阅读器为基础的信号感应装置与以计算机为基础的后台设备，信号感应装置和后台设备通过网线连接，标签与天线相对设置于塑料容器形成密闭的信号采集空间。本发明引入了动态时间规整技术与神经网络技术进行相似度计算与签名识别匹配，编制了实时签名笔迹检测系统，该系统通过实时检查空间和时间信息实现本人签名的有效识别，对输入位置、环境变化和用户多样性具有鲁棒性。
基于 rfid 标签签名识别系统认证方法

[发明专利]集成电路器件及其形成方法-CN202110184671.8在审
发明人：林杏莲;梁晋玮;匡训冲;杨静茹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：提供了界面层，该界面层将亲水层间电介质结合至疏水间隙填充电介质。疏水间隙填充电介质在设置在半导体衬底上方的两个金属互连层之间的器件阵列中的器件之间的间隙上方延伸并且填充间隙，并且是可流动CVD工艺的产物。界面层提供了亲水上表面，层间电介质粘附至该亲水上表面上。可选地，界面层也是可流动CVD工艺的产物。可选地，界面层可以是氮化硅或亲水的另一电介质。界面层的晶圆接触角(WCA)可以介于疏水电介质的WCA和层间电介质的WCA之间。本发明的实施例还涉及集成电路器件及其形成方法。
集成电路器件及其形成方法

[发明专利]一种柔性有源频率选择表面及其控制方法-CN202011634563.8在审
发明人：曹群生;梁晋玮 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性有源频率选择表面及其控制方法，选择表面的单元结构包括低剖面柔性介质基底和分别设置在介质基底上下侧的金属周期阵列。柔性有源频率选择表面工作时，对两个偏置系统独立进行偏置可以配置四种工作状态分别是：双极化带阻、TE单极化带通、TM单极化带通、双极化带通，构成两种功能：电磁开关和极化选择。本发明集成多种功能与一体，基板柔软，适合复杂的应用场景，制作简单且具有良好的角度稳定性，具有广阔的应用前景。
一种柔性有源频率选择表面及其控制方法

[外观设计]便携式电子装置-CN202030190988.9有效
发明人： 梁晋玮;卢伟森 -专利权人：神讯电脑（昆山）有限公司;神基科技股份有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：便携式电子装置。2.本外观设计产品的用途：用于信息收发与处理。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图。5.指定设计1为基本设计。
便携式电子装置

[外观设计]便携式电子装置的无线收发器-CN202030069186.2有效
发明人：陈维融;梁晋玮;朱玄永 -专利权人：神讯电脑（昆山）有限公司;神基科技股份有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：便携式电子装置的无线收发器。2.本外观设计产品的用途：设置在便携式电子装置上以连接网络传输信号。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图2。5.指定设计1为基本设计。
便携式电子装置无线收发

[发明专利]估计膜厚的化学机械平坦化装置及方法-CN201810973334.5在审
发明人：陈彧敏;梁晋玮;陈升照;匡训沖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明实施例涉及估计膜厚的化学机械平坦化装置及方法。本发明实施例涉及一种用于在CMP中估计膜厚的方法，所述方法包含以下操作。将其上形成有膜的衬底安置于抛光垫上方，其中在所述膜与所述抛光垫之间施配浆料。执行CMP操作以减小所述膜的厚度。在所述CMP操作期间通过电化学阻抗频谱EIS器件执行原位EIS测量以实时估计所述膜的所述厚度。当从第一等效电路模型的拟合参数获得的所述膜的所述估计厚度达到目标厚度时，结束所述CMP操作。
膜厚化学机械平坦化抛光垫电化学阻抗频谱等效电路模型操作期间拟合参数器件执行实时估计衬底减小配浆测量安置

[发明专利]改进电阻式随机存取存储器（RRAM）的保持性能的高k方案-CN201510148819.7有效
发明人：金海光;林杏莲;梁晋玮;蔡正原;蔡嘉雄 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供了电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的集成电路或半导体结构。RRAM单元包括底电极和布置在底电极上方的具有可变电阻的数据存储区。此外，RRAM单元还包括布置在数据存储区上方的扩散阻挡层、布置在扩散阻挡层上方的离子库区以及布置在离子库区上方的顶电极。本发明也提供了用于制造RRAM单元的集成电路或半导体结构的方法。本发明还涉及改进电阻式随机存取存储器(RRAM)的保持性能的高k方案。
改进电阻随机存取存储器 rram 保持性能方案

[外观设计]水杯（多功能）-CN201830603295.0有效
发明人：王东寅;韩雅茹;张爱珺;张梁;陶渊炫;梁晋玮;石姝彤 -专利权人：王东寅
申请日： 2018-10-27 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：水杯（多功能）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于主要是用来盛载液体的器皿。3．本外观设计产品的设计要点：产品的整体形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计水杯整体形状器皿图片

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