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[实用新型]套筒壁厚检测装置-CN202021921921.9有效
发明人：李海斌;梁大源;刘华宝;胡轶;陈文妹 -专利权人：广东盛路通信有限公司
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： G01B5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种套筒壁厚检测装置，包括工作台，所述工作台上设置有立式的导柱，所述导柱上设置有上横杆和下横杆；所述上横杆端部设置有百分表，所述百分表包括有可上下活动的量杆，所述量杆下端设置有测头；所述下横杆上设置有探针，所述探针包括有竖直杆和锥形尖端，所述锥形尖端中心与所述测头中心对应；通过采用百分表的测头与探针的锥形尖端对位的设计，可以更快速方便地测量套筒的壁厚。
套筒检测装置

[发明专利]一种铁皮石斛盆景种植的方法-CN201610068806.3有效
发明人：覃远昌;黄锦威;覃健峰;覃馨慧;梁大源;覃健洪;潘志才;黄鑫;黎丽;何俊炜 -专利权人：广西顺昌隆生物科技有限公司
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： A01G31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁皮石斛盆景种植的方法，所述的方法包括下列步骤：种植基质的制作：将树根和/或朽木磊在容器内，在容器底部预留有蓄水的空间，再用粘合剂把所述树根和/或朽木与容器粘成一体，粘合牢固后用清水洗净并消毒；铁皮石斛驯化苗的移栽：将铁皮石斛驯化苗分成2‑4丛，其根部用水苔包裹，用棉纱将上述铁皮石斛驯化苗根部绑在所述的树根和/或朽木上；步骤三、移栽后的护理。本发明的优点在于：采用树根和/或朽木作为种植的基质，铁皮石斛可自然吸收树根和/或朽木的水分以及植物营养，使得铁皮石斛盆景种植的方法简单方便有效，成活率达99％以上，同时充分利用了家庭的阳台、窗台进行铁皮石斛盆景种植，并起到绿化美化的作用。
一种铁皮石斛盆景种植方法

[发明专利]铁皮石斛口服液及其制备方法-CN201510348982.8有效
发明人：覃远昌;黄锦威;覃健峰;覃馨慧;梁大源;覃健洪;潘志才;黄鑫;黎丽;何俊炜 -专利权人：广西顺昌隆生物科技有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： A61K36/8984 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁皮石斛口服液及其制备方法，铁皮石斛口服液由铁皮石斛、龙眼肉和桑椹加水煎煮加工而成，每1000mL铁皮石斛口服液由90～100g铁皮石斛、90～100g龙眼肉和90～100g桑椹经加水煎煮后加工而成。本发明中原料经多次煎煮的制备方法，能高效提取药材中的有效成分，铁皮石斛口服液中铁皮石斛、龙眼肉和桑椹三种组分按比例调配，能固本培元、滋阴补益，组分中含有的天然的植物多糖类物质能增强免疫功能，铁皮石斛口服液中无蔗糖，无任何添加剂，高血糖高血脂人群均可食用。
铁皮石斛口服液及其制备方法

[发明专利]铁皮石斛专用有机杀菌剂及其制备方法-CN201610068478.7有效
发明人：覃远昌;黄锦威;覃健峰;覃馨慧;梁大源;覃健洪;潘志才;黄鑫;黎丽;何俊炜 -专利权人：广西顺昌隆生物科技有限公司
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： A01N65/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁皮石斛专用有机除杀菌剂及其制备方法，采用下列重量份数的原料组成：弱酸电解水80～100份，无水乙醇20～40份、大蒜素3～7份、蛇床子提取物1～5份、大黄素甲醚1～3份。制备方法如下：首先将大黄素甲醚和蛇床子提取物与弱酸电解水均匀混合后，在50℃的温度下保温10～20min；其次将大蒜素与混合溶液均匀混合，静置10～20min后，再将无水乙醇与混合溶液均匀混合，即可得到铁皮石斛专用有机杀菌剂。本发明所公开的铁皮石斛专用有机杀菌剂具有针对性强、杀菌效果好、对环境无污染的优点。
铁皮石斛专用有机杀菌剂及其制备方法

[发明专利]铁皮石斛专用有机除螺药粉及其制备方法-CN201610068479.1有效
发明人：覃远昌;黄锦威;覃健峰;覃馨慧;梁大源;覃健洪;潘志才;黄鑫;黎丽;何俊炜 -专利权人：广西顺昌隆生物科技有限公司
申请日： 2016-02-01 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： A01N65/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁皮石斛专用有机除螺药粉及其制备方法，采用下列重量份数的原料组成：除虫菊30～50份、烟叶梗5～15份、生姜5～15份、绞股蓝4～12份、曼陀罗4～12份、大戟3～9份、半夏3～9份、山楂花2～8份、苦楝子2～6份、菖蒲1～5份，制备方法如下：首先将原料洗净，其次将切段后的烟叶梗和切片后的生姜干燥至一定程度后用文火翻炒，此后再干燥；其余除虫菊、绞股蓝、曼陀罗、大戟、半夏、山楂花、苦楝子、菖蒲分别干燥。再次经一次粉碎后将按重量份数的各原料药粉混合，随后再进行二次粉碎，最后经包装、辐照灭菌后，即可得到铁皮石斛专用有机除螺药粉。本发明所公开的铁皮石斛专用有机除螺药粉具有针对性强、原料来源广、环保且不影响铁皮石斛的生长和品质的优点。
铁皮石斛专用有机药粉及其制备方法

[发明专利]铁皮石斛柚子果醋的制备方法-CN201510349247.9有效
发明人：覃远昌;黄锦威;覃健峰;覃馨慧;梁大源;覃健洪;潘志才;黄鑫;黎丽;何俊炜 -专利权人：广西顺昌隆生物科技有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C12J1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁皮石斛柚子果醋的制备方法，包括一、将柚子果浆和铁皮石斛浆按1.25‑31混合得混合果浆；二、在混合果浆中加入0.6‰‑2.5‰柚苷酶，于28‑38℃下处理1‑6h；三、加入12％‑18％的酒，调节酒精度至5％‑7％，得果酒混合液；四、取15％的果酒混合液接种醋酸杆菌，接种量为0.04％‑0.08％，于28‑35℃下发酵6‑8天得发酵母液，监测发酵母液的酸度大于2.1g/ml时，加入剩余的85％的果酒混合液，继续发酵4‑6天，当酸度大于4.8g/ml时停止发酵，得果醋原液；五、灌装后密封后陈酿，经过滤和杀菌得铁皮石斛柚子果醋。本发明的铁皮石斛柚子果醋具有较好的保健功效。
铁皮石斛柚子制备方法

[发明专利]具有带有实质上阻挡固化处理期间紫外线辐射的光学带隙的材料的电介质盖帽以及相关的方法-CN200880001994.1有效
发明人： M·P·贝尔扬斯基;G·伯尼拉;刘小虎;S·V·恩古扬;T·M·肖;H·K·肖布哈;梁大源 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2010-12-15 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种电介质盖帽(100)以及相关的方法。在一个实施例中，电介质盖帽(100)包括电介质材料(108)，该电介质材料具有实质上阻挡固化处理期间紫外线辐射的光学带隙(例如，大于约3.0电子伏特)，并且包括具有电子施主、双键电子的氮。电介质盖帽(100)表现出高的模数并且在用于例如铜低k后段工艺(BEOL)纳电子器件的后ULK UV固化处理下是稳定的，这引起较少的膜和器件开裂以及改进的可靠性。
具有带有实质上阻挡固化处理期间紫外线辐射光学材料电介质盖帽以及相关方法

[发明专利]用以制备具有短栅极的MOSFET的结构和方法-CN200910004832.X有效
发明人：朱慧珑;B·J·格林;王延锋;梁大源 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-01-19 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明用以制备具有短栅极的MOSFET的结构和方法提供一种生产半导体器件的方法，该方法在一个实施例中包括：提供在衬底上面包括栅极结构的半导体器件，该栅极结构包括双栅极导体，该双栅极导体包括上栅极导体和下栅极导体，其中至少下栅极导体包括含硅材料；相对于下栅极导体有选择性地去除上栅极导体；在至少下栅极导体上沉积金属；以及由金属和下栅极导体产生硅化物。在另一实施例中，本发明方法包括作为下栅极导体的金属。
用以制备具有栅极 mosfet 结构方法

[发明专利]压缩性氮化物膜及其制造方法-CN200780018340.5无效
发明人： 梁大源;李佑炯;速泰祺;王允愈 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-03-06 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种通过高密度等离子体沉积工艺形成压应力氮化物膜的方法，该膜覆盖在衬底上制作的多个p型场效应晶体管栅极结构上。实施例包括使用至少硅烷、氩和氮气的源气体产生填充高密度等离子体的环境；偏置所述衬底到不同密度的高频率功率，其范围从0.8W/cm²到5.0W/cm²；并且沉积高密度等离子体到多个栅极结构，从而形成压应力氮化物膜。
压缩性氮化物及其制造方法

[发明专利]制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法-CN200710170055.7无效
发明人：德利普·R.·纳尔;陈向东;金田中;梁大源;克里斯托弗·V.·拜奥考;朴哉彦 -专利权人：国际商业机器公司;三星电子株式会社
申请日： 2007-11-09 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的方法，通过以下步骤形成晶体管：在衬底上方将栅结构图案化；在栅结构的侧面上形成间隔件；在栅叠层的交替的侧面，在衬底内形成导体区域。栅结构和导体区域形成晶体管。为了减少大功率等离子引入的损伤，本方法最初对晶体管施加第一功率水平的等离子以在晶体管上方形成第一应力层。在施加第一低功率等离子之后，本方法对晶体管施加具有第二功率水平的第二等离子以在第一应力层上方形成第二应力层。第二功率水平比第一功率水平高(例如，至少高5倍)。
制造金属氧化物半导体场效应晶体管方法

[发明专利]应用自对准双应力层的CMOS结构和方法-CN200710005908.1有效
发明人：朱慧珑;梁大源 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2007-02-15 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及应用自对准双应力层的CMOS结构和方法，具体地涉及一种CMOS结构及制造CMOS结构的方法，所述CMOS结构提供位于第一晶体管上的第一应力层和位于第二晶体管上的第二应力层。所述第一应力层和所述第二应力层毗邻而不交迭。在所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个中的源/漏区上形成到硅化物层的接触时，这样的毗邻而不交迭的布置提供了提高的制造灵活性。
应用对准应力 cmos 结构方法

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