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[实用新型]一种TVS芯片批量叠片结构-CN202122275847.9有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-19 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TVS芯片批量叠片结构，包括晶圆、石墨定位板、盖板、金属凸点、放置槽，所述石墨定位板的上表面开设有放置槽，所述放置槽中设置有若干个金属凸点，所述放置槽内设置有晶圆，所述石墨定位板的上方设置有盖板，所述石墨定位板通过焊接的方式与盖板固定连接，所述金属凸点通过焊接的方式与石墨定位板固定连接，所述放置槽内可放置多个网印后的晶圆，所述晶圆可通过金属凸点固定于石墨定位板的放置槽内。本实用新型中，直接用晶圆叠片，定位准，且划片采用线切割，多层可以一次性切割，效率也提升较多。
一种 tvs 芯片批量结构

[实用新型]一种引脚外露的DFN1006结构-CN202122275845.X有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊;程刚 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-19 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种引脚外露的DFN1006结构，包括黑胶，所述黑胶的两端均固定连接有连接端，所述黑胶的前侧外表面设置有芯片，所述芯片的一侧设置有引脚，所述芯片的两侧均固定连接有键合线。本实用新型中，设置有框架、引脚、连接杆和连接端，在芯片的外部固定连接框架，所述引脚呈两端凸出中部凹陷形状，所述芯片的外部固定连接有框架，且芯片的数量为四个在使用时更够更加牢固，并且通过引脚将芯片和框架进行完整固定使用，通过连接杆进行连接，使框架进行连接，连接端将黑胶进行固定，使用时更加方便，操作简单。
一种引脚外露 dfn1006 结构

[实用新型]一种改良双芯片结构的SMB封装-CN202122275844.5有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊;程刚 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-19 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改良双芯片结构的SMB封装，包括黑胶，所述黑胶的内部设置有上引脚，所述上引脚的下端设置有焊料，所述焊料的下端设置有芯片，所述芯片的下端设置有中引脚，所述中引脚的下端设置有下引脚。本实用新型中，通过设置双芯片结构将原来两个引脚改为三个引脚，内部可以放置两颗芯片。将SMB单边引脚一分为二，从而非常方便地可实现内部两颗芯片之间的多种连接方式。
一种改良芯片结构 smb 封装

[实用新型]一种垂直叠放注塑结构的CELL封装-CN202122275843.0有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊;程刚 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B29C45/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直叠放注塑结构的CELL封装，包括主模体，所述主模体包括左模体、右模体，所述左模体、右模体相互贴合，所述左模体、右模体中间均匀设置有六个壳体，所述壳体一侧设置有胶道，所述胶道固定连接于主模体的内部至六个壳体开口处的一端，所述胶道的一侧与壳体的一端设置有开口，所述壳体内侧上下两端对称设置有黑胶，所述黑胶中间设置有芯片，所述芯片的两端分别固定连接于黑胶内侧，所述芯片两侧对称设置有焊料，所述焊料固定住芯片，所述焊料的两侧对称设置有铜粒，所述铜粒两端分别固定连接于壳体两侧。本实用新型中，实现了CELL的注塑工艺，提升了产品可靠性水平，也节省的注塑材料并提升了生产效率。
一种垂直叠放注塑结构 cell 封装

[实用新型]一种叠放式的DFN1006封装的双芯结构-CN202122275848.3有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊;程刚 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种叠放式的DFN1006封装的双芯结构，包括黑胶，所述黑胶的外表面设置有引脚，所述引脚的上表面设置有基岛，一侧所述基岛的上表面设置有第一芯片，所述基岛和第一芯片之间处设置有第一导电胶，所述第一芯片通过第一导电胶与基岛进行固晶，所述第一芯片的上表面设置有第二芯片，所述第一芯片和第二芯片之间处设置有第二导电胶，所述第二芯片通过第二导电胶与第一芯片进行固晶。本实用新型中，将多个基岛的芯片叠放到一个基岛上，第一芯片跟传统结构一样，直接固晶在基岛上，第二芯片则以第一芯片为基岛，直接固晶到第一芯片上，从而减少了对引脚基岛的占用尺寸，实现了固晶的多层作业。
一种叠放 dfn1006 封装结构

[实用新型]一种可选择通道数的ESD器件的DFN结构-CN202122275849.8有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊;程刚 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2021-09-19 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可选择通道数的ESD器件的DFN结构，包括上框，所述上框上设置有若干个大小相同的连接块，所述连接块的内部设置有大小相同的引脚，所述引脚与连接块进行线性连接，所述上框的下方设置有下框，所述下框的上方设置有若干个大小相同的限位槽，所述限位槽的内部设置有保护单元，所述保护单元的内部设置有芯片，且芯片的内部设置有单独线路，该结构巧妙利用ESD保护单元的重复性，将每个保护单元独立在一个引脚上，从而实现同一功能结构为单元的多通道的任意分割。无论纵横切割道均为0.2mm，可按需求保护通道数来切割。
一种可选择通道 esd 器件 dfn 结构

[实用新型]一种带有贴片二极管封装结构的PCB板-CN202022093201.4有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H05K1/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有贴片二极管封装结构的PCB板，包括PCB板体和焊接在PCB板体上的二极管贴片，所述PCB板体上设置有用于容纳二极管贴片的通孔，所述通孔与PCB板体上下表面连通，所述二极管贴片两侧设置有水平延伸的引脚，所述PCB板体位于通孔两侧设置有与引脚焊接连接的焊盘；本实用新型通过在二极管封胶层两侧水平延伸有引脚片，利用PCB板表面上的通孔容置二极管，在通孔两侧设置有与引脚片焊接的焊盘，有利于保留二极管上的引脚片铜材，增大引脚热容量，通过PCB板上的通孔，使二极管两面均可散热，大辐提高贴片二极管的散热性能，降低贴片二极管生产成本，提高贴片二极管的可靠性。
一种带有二极管封装结构 pcb

[实用新型]一种带有芯片模组的贴片二极管封装结构-CN202022111792.3有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有芯片模组的贴片二极管封装结构，包括芯片模组、1对与芯片模组上下表面连接的引脚以及包覆芯片模组和引脚的封胶层，所述芯片模组包括不少于2个叠置的芯片组以及设置在芯片组顶部和底部的铜片，芯片和芯片之间以及芯片和铜片之间焊接有焊片，引脚位于封胶层内的一端与铜片远离芯片组另一侧表面连接，另一端延伸出封胶层的侧部；本实用新型通过将铜片、焊片和芯片预焊成芯片模组，然后将芯片模组和引脚连接固定后进行封装，芯片组上下面加铜片进行保护，利用芯片模组对框架结构没有依赖性，后期装配框架采取统一标准，避免了芯片与框架直接焊接，提高了贴片二极管的可靠性。
一种带有芯片模组二极管封装结构

[实用新型]一种轴式贴片二极管-CN202022093152.4有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种轴式贴片二极管，包括底部开口的塑壳和设置在塑壳内的轴式二极管，所述塑壳内设置有1对对应设置的支架，所述支架上设置有轴式二极管导电轴穿过的安装孔，所述支架和塑壳侧壁之间均形成有容纳仓，所述容纳仓内设置有与导电轴连接的引脚，引脚下部延伸至塑壳底部设置有贴片；本实用新型通过将轴式二极管固定在塑壳内，利用引脚与轴式二极管导电轴固定连接后，使轴式二极管转换至贴片二极管，利用标准化的塑壳，降低转换至贴片二极管的成本，提高轴式二极管的安装便捷性和适用范围。
一种轴式贴片二极管

[实用新型]一种普通TVS贴片二极管封装结构-CN202022093202.9有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种普通TVS贴片二极管封装结构，包括芯片、1对跳线、1对引脚以及包覆芯片、跳线和引脚的封胶层，所述芯片和跳线均设置在封胶层内，所述跳线焊接在芯片上下表面上，引脚位于封胶层内的一端与跳线连接，另一端延伸出封胶层外侧，所述封胶层内位于顶部跳线上表面设置有与跳线和芯片焊接处对应设置的散热铜片；本实用新型通过依次设置有芯片、跳线和散热铜片，散热铜片设置在跳线远离跳线和芯片焊接处的背面，增加了芯片焊位处的热容量，提升瞬态散热性能，降低贴片二极管生产成本，提高贴片二极管的可靠性。
一种普通 tvs 二极管封装结构

[实用新型]一种车用大功率贴片TVS二极管封装结构-CN202022093210.3有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车用大功率贴片TVS二极管封装结构，包括铜基片、芯片、跳线、引脚以及包覆铜基片、芯片、跳线和引脚的封胶层，所述芯片设置在铜基片上表面的中部，所述跳线连接在芯片上，引脚位于封胶层内的一端与跳线连接，另一端延伸出封胶层外侧，所述铜基片上表面设置有与芯片边缘钝化区对应设置的U型槽；本实用新型通过在铜基片上位于芯片钝化区对应位置设置有U槽结构，大大提升了TVS二极管封装结构的兼容性，降低了芯片边缘钝化敏感区的影响，提升了大功率贴片TVS二极管的可靠性。
一种大功率 tvs 二极管封装结构

[实用新型]一种多芯片叠片的贴片二极管封装结构-CN202022098305.4有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多芯片叠片的贴片二极管封装结构，包括铜片、芯片模组、与芯片模组连接的引脚、以及包覆铜片、芯片模组和引脚的封胶层，所述芯片模组包括不少于2个叠置的芯片和设置在芯片顶部的跳线，所述芯片和芯片之间以及芯片和跳线之间焊接有焊片，所述芯片模组设置在铜片上表面的中部，引脚位于封胶层内的一端与跳线连接，另一端延伸出封胶层侧部；本实用新型通过将跳线、焊片和芯片预焊成芯片模组，然后将芯片模组、铜片和引脚连接固定后进行封装，使跳线可适应不同芯片数量的叠片，降低了跳线成本，提高了贴片二极管的可靠性。
一种芯片二极管封装结构

[发明专利]一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件-CN201810761857.3在审
发明人：张猛;梁令荣 -专利权人：伯恩半导体(深圳)有限公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低容结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括通过电连接关系连接的降容管D1、TVS管D4、肖特基管D2、NPN管T1和正向降容管D3；其中降容管D3提供正向电流通路；D1与T1构成PNPN结构，为主放电通道；TVS管D4提供开启电压。本发明设计合理，实现的单向大骤回SCR结构的保护器件，通过双沟槽工艺，实现了极低电容的SCR结构保护器件，能够满足当前低残压保护需求，且该器件具有低电容、低钳位和大浪涌通流能力等特点。
容管保护器件低电容残压电连接关系防护器件放电通道开启电压通流能力正向电流双沟槽肖特基大浪低容钳位正向

[实用新型]一种高速数据接口ESD保护器件-CN201821455130.4有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高速数据接口ESD保护器件，包括封装框架、芯片电路板和介质层；所述封装框架与芯片电路板之间设置介质层；所述介质层设置非导电胶装片。介质层为CVD淀积二氧化硅层。介质层的厚度为0.5～1um。本实用新型提供的高速数据接口ESD保护器件，通过在芯片背面设置CVD淀积的二氧化硅层和非导电胶层；二氧化硅层的背面贴绝缘膜或非导电胶层，在芯片与封装框架之间既设置有二氧化硅，又有非导电胶层，增加了芯片衬底与封装框架之间的介电常数，从而降低了寄生电容。通过降低IO‑GND的寄生电容，间接为IO‑IO留出更大电容空间；实现了IO‑IO、IO‑GND更低电容，可使改产品满足更广的应用领域。
介质层非导电胶封装框架高速数据接口二氧化硅层本实用新型芯片电路板寄生电容淀积芯片二氧化硅介电常数芯片背面大电容低电容绝缘膜衬底装片背面

[实用新型]一种SCR结构的低残压保护器件-CN201821455486.8有效
发明人：张猛;梁令荣;黄俊 -专利权人：伯恩半导体（深圳）有限公司
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SCR结构的低残压保护器件，包括第一晶闸管和第二晶闸管；所述第一晶闸管的阳极P+区与第二晶闸管的阴极N+区短路合并集成，所述第一晶闸管的阴极N+区与第二晶闸管的阳极P+区短路合并集成。本实用新型提供的新型SCR结构的低残压浪涌保护器件，此器件不仅具有ESD和浪涌保护能力，而且还可实现低电容、低残压的特性，并且通过结构改进后同样浪涌能力水平下器件成本更有竞争力。通过将THY1的阳极P+区与THY2的阴极短路合并集成，大幅降低了器件的面积，而且两个方向共用电流泄放通道，面积得到有效利用。采用高浓度衬底材料，有效降低器件的通态阻抗，从而实现器件的低残压效果。
晶闸管残压阴极阳极短路本实用新型保护器件合并浪涌保护器件衬底材料电流泄放降低器件结构改进浪涌保护能力水平器件成本低电容浪涌通态阻抗

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