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[发明专利]光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法-CN201880031374.6有效
发明人： 桥本雅广;内田真理子 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子新加坡股份有限公司
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：提供一种光罩基底、转印用光罩的制造方法以及半导体设备的制造方法，在进行EB缺陷修正的情况下能够抑制透光性基板的表面粗糙的发生并且能够抑制在遮光膜的图案中发生自发性蚀刻。在透光性基板上具备用于形成转印图案的遮光膜，遮光膜通过由硅元素和氮元素组成的材料形成或者通过进一步包含从准金属元素和非金属元素中选择的一种以上的元素的材料形成，将除了遮光膜的与透光性基板的界面的附近区域和遮光膜的与透光性基板位于相反侧的表层区域之外的内部区域中的Si3N4结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合(其中，b/[a+b]＜4/7)以及Si‑Si结合的总存在数量的比值为0.04以下，将遮光膜的内部区域中的SiaNb结合的存在数量除以Si3N4结合、SiaNb结合以及Si‑Si结合的总存在数量的比值为0.1以上。
基底用光制造方法以及半导体设备

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201880082414.X有效
发明人：宍戸博明;桥本雅广;打田崇;内田真理子 -专利权人： HOYA株式会社;HOYA电子新加坡股份有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料，其可以在进行了EB缺陷修正的情况下抑制透光性基板的表面粗糙的发生，可以抑制相移膜的图案发生自发性蚀刻。本发明的掩模坯料中，与透光性基板相接的相移膜由包含最下层的2层以上的层叠结构构成，除最下层以外的层由含有选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素和硅的材料形成，最下层由含有硅和氮的材料形成、或者由含有该材料和选自半金属元素及非金属元素中的1种以上元素的材料形成，在最下层中，用Si3N4键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键(其中，b/[a+b]＜4/7)及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.05以下，用SiaNb键的存在数除以Si3N4键、SiaNb键及Si‑Si键的总存在数而得到的比率为0.1以上。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201880039083.1有效
发明人： 桥本雅广;宍户博明 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明的掩模坯料(100)具备在透光性基板(1)上依次层叠有相移膜(2)和遮光膜(3)的结构，相移膜与遮光膜的层叠结构对于ArF准分子激光的曝光光的光密度为3.5以上，遮光膜具备从透光性基板侧起层叠有下层(31)及上层(32)的结构，下层由铬、氧、氮及碳的总含量为90原子％以上的材料形成，上层由金属及硅的总含量为80原子％以上的材料形成，上层对于曝光光的消光系数kU大于下层对于曝光光的消光系数kL。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模、及半导体器件的制造方法-CN202011344580.8在审
发明人： 桥本雅广 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种可以提高对于图案形成用的薄膜整体的湿法蚀刻的蚀刻速率、提高通过湿法蚀刻对薄膜形成图案时的图案侧壁的垂直性的掩模坯料。解决方法是该掩模坯料，其在基板上具备图案形成用的薄膜。上述薄膜由含有铬的材料形成。另外，上述薄膜由与基板侧相反侧的上部区域、和除该上部区域以外的区域构成。此处，上部区域的结晶尺寸比除上部区域以外的区域的结晶尺寸大。
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980034001.9在审
发明人：前田仁;宍户博明;桥本雅广 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜(2)包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层(21)及第2层(22)的结构，第1层(21)与透光性基板(1)的表面相接地设置，将第1层(21)及第2层(22)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2时，满足n1＜n2的关系，将第1层(21)及第2层(22)在上述曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2时，满足k1＜k2的关系，将第1层(21)及第2层(22)的膜厚分别设为d1、d2时，满足d1＜d2的关系。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法-CN201980034268.8在审
发明人：宍户博明;前田仁;桥本雅广 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种具备相移膜的掩模坯料，上述相移膜兼具使ArF准分子激光的曝光光以给定的透射率透过的功能、和使该透过的ArF准分子激光的曝光光产生给定的相位差的功能，且上述相移膜的背面反射率得到了降低。该相移膜包含从透光性基板侧起依次层叠有第1层、第2层及第3层的结构，将第1层及第2层在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率分别设为n1、n2、n3时，满足n1＞n2及n2＜n3的关系，将第1层、第2层及第3层在曝光光的波长下的消光系数分别设为k1、k2、k3时，满足k1＜k2及k2＞k3的关系，将第1层、第2层及第3层的膜厚分别设为d1、d2、d3时，满足d1＜d3及d2＜d3的关系。
坯料相移半导体器件制造方法

[发明专利]掩膜基板、转印用掩膜及其制造方法、半导体设备的制造方法-CN202010564772.3在审
发明人：福井亨;桥本雅广;打田崇 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：提供一种掩膜基板，能够在光刻胶膜上形成线宽度比激光描绘装置的激光的波长小的图案。掩膜基板在基板上具备遮光膜。遮光膜由含有金属元素的材料构成。遮光膜是所述金属元素的含量在厚度方向上变化的组分倾斜膜。在遮光膜从接近基板的一方依次被分割为遮光部和防反射部时，防反射部相对于350nm以上且520nm以下的波长区域的光的折射率nA为2.1以下。在波长区域的光透过所述防反射部时波长区域的光所产生的相位差为28度以上。
掩膜基板转印用掩膜及其制造方法半导体设备

[发明专利]光掩模坯体、光掩模及其制造方法、以及半导体器件的制造方法-CN200980138311.1无效
发明人： 桥本雅广;小凑淳志 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明的目的在于，使用于制作ArF准分子激光曝光用光掩模的光掩模坯体，能够应用于半导体设计规则中从DRAM半节距(hp)32nm起的下一代。作为解决方案的是一种光掩模坯体，其用于制作采用了波长200nm以下的曝光光的光掩模，所述光掩模坯体的特征在于，具有：透光性基板；遮光膜，其形成在透光性基板上，并含有钼及硅；以及蚀刻掩模膜，其形成在该遮光膜上并与其接触，并含有铬，所述遮光膜从所述透光性基板侧起依次具有遮光层和防反射层，所述遮光层的钼含量为9％原子百分比以上40％原子百分比以下，所述蚀刻掩模膜的铬含量为45％原子百分比以下。
光掩模坯体光掩模及其制造方法以及半导体器件

[发明专利]基板的再生方法、掩模坯体的制造方法、带多层反射膜的基板和反射型掩模坯体的制造方法-CN201010547438.3有效
发明人： 桥本雅广;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种使基板再生的方法，该方法通过除去在由玻璃构成的基板的主表面上具备图案形成用的薄膜的掩模坯体、或使用该掩模坯体制作的转印用掩模的所述薄膜，从而使基板再生，该方法中，通过使掩模坯体或转印用掩模的薄膜与含有氯(Cl)、溴(Br)、碘(I)、和氙(Xe)中的任意元素与氟(F)的化合物的非激发状态的物质接触并将其除去，从而使基板再生。
再生方法掩模坯体制造多层反射型掩模坯体

[发明专利]掩模坯体及转印掩模的制造方法-CN200780034381.3有效
发明人： 桥本雅广 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明提供制作半导体设计规则(DRAM hp65nm以下)的转印用掩模时，能够防止抗蚀剂图案的消失，能够防止图案缺陷的掩模坯体、及掩模。其特征在于，该掩模坯体具备用于在基板上成膜的掩模图案的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的抗蚀剂膜，通过插入有与所述薄膜和所述抗蚀剂膜接合的附着层，在进行使所述抗蚀剂膜形成为图案的显影时，防止形成为图案的抗蚀剂膜的倒塌。
掩模坯体转印掩模制造方法

[发明专利]掩模坯板和掩模-CN200710153319.8有效
发明人： 桥本雅广;榎本智之;坂口崇洋;坂本力丸;永井雅规 -专利权人：豪雅株式会社;日产化学工业株式会社
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供可控制转印用掩模的转印图案线宽的设计尺寸与在基板上形成的转印图案线宽尺寸之差，且可将线性控制在10nm以下的掩模图案和掩模。本发明提供了一种掩模坯板，其具有在基板上成膜的用于形成掩模图案的薄膜、和在该薄膜的上方成膜的化学放大型的抗蚀剂膜，其特征在于，在上述薄膜和抗蚀剂膜之间具有保护膜，所述保护膜可阻止妨害上述抗蚀剂膜的化学放大机能的物质从抗蚀剂膜的底部向抗蚀剂膜内移动。
掩模坯板

[发明专利]形成掩模坯板用抗蚀剂下层的膜的组合物、掩模坯板和掩模-CN200710005538.1有效
发明人： 桥本雅广;榎本智之;坂口崇洋;坂本力丸;永井雅规 -专利权人：豪雅株式会社;日产化学工业株式会社
申请日： 2007-02-12 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供在掩模坯板和掩模的制作工艺中使用的形成抗蚀剂下层的膜的组合物，并且提供使用该组合物制作的掩模坯板和掩模。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成抗蚀剂下层的膜的组合物，是在基板上按照形成转印图案的薄膜和化学放大型抗蚀剂膜的顺序形成这些膜而成的掩模坯板中，为了在该形成转印图案的薄膜和该抗蚀剂膜之间形成抗蚀剂下层的膜而使用的，含有具有含卤原子的重复单元结构的高分子化合物和溶剂的形成抗蚀剂下层的膜的组合物。上述高分子化合物含有至少10质量％的卤原子。
形成掩模坯板用抗蚀剂下层组合掩模坯板

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