“柏思宇”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种防碰撞无人机螺旋桨-CN201821748759.8有效
发明人：杨晋;黄圣豪;柏思宇;徐韵博;邓雄腾 -专利权人：杨晋
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B64C39/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防碰撞无人机螺旋桨，包括壳体，壳体的侧表面阵列分布有四个固定柱，且四个固定柱呈直角分布，所述固定柱远离壳体的一端均设有保护环，所述保护环的内部下侧均设有十字固定架，所述十字固定架的上表面设有放置孔，放置孔的内部设有电机，所述十字固定架的上侧设有螺旋桨，所述电机的输出轴与螺旋桨的下表面固定连接，本防碰撞无人机螺旋桨，结构牢固，稳定耐用，保护环能够对螺旋桨进行保护，可以防止螺旋桨撞到物体，从而造成损坏，给使用带来了便利，而且可以防止对人体造成伤害，提高了使用安全性，并且在撞到物体之后，弧形防撞板接触物体，通过弹簧能够卸力压缩，能够减轻对无人机的损坏。
螺旋桨十字固定架防碰撞固定柱壳体放置孔电机本实用新型使用安全性接触物体阵列分布直角分布侧表面防撞板上表面输出轴下表面弹簧压缩便利伤害

[发明专利]碳化硅功率器件终端结构及其制造方法-CN201610599784.3有效
发明人：邓小川;柏思宇;宋凌云;陈茜茜;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法，器件包括器件元胞和器件终端；器件终端包括P型结终端拓展区，P型结终端拓展区之中有N+注入环和刻蚀沟槽，刻蚀沟槽和N+注入环相连，刻蚀沟槽位于N+注入环的外侧，刻蚀沟槽内部填充氧化层，相邻的N+注入环被刻蚀沟槽和P型结终端拓展区分隔，相邻的刻蚀沟槽被P型结终端拓展区和N+注入环分隔，P型结终端拓展区和N+注入环的上表面覆盖氧化层，本发明使电场分布趋于平缓，使终端区的耗尽层充分拓展，提高终端耐压能力，降低器件击穿电压对JTE区浓度的敏感程度。本发明结构能有效降低器件表面的局部电场，同时降低器件表面的碰撞电离率，降低了表面漏电，提高了器件表面的可靠性。
碳化硅功率器件终端结构及其制造方法

[发明专利]一种碳化硅双极结型晶体管-CN201610488399.1有效
发明人：郭飞;申华军;汤益丹;张有润;白云;杨成樾;宋凌云;柏思宇;彭朝阳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：一种碳化硅双极结型晶体管，该晶体管在发射极(1)台面边缘与基极(2)欧姆接触之间的外基区表面形成有一个肖特基接触结构，从而在所述外基区表面形成肖特基势垒。所述肖特基接触结构包括一基区及位于所述基区上的一金属层。本发明的碳化硅双极结型晶体管能够通过该肖特基接触结构阻止电子向表面处运动，抑制表面复合，提高器件的电流增益。
一种碳化硅双极结型晶体管

[发明专利]集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法-CN201610599805.1有效
发明人：邓小川;宋凌云;陈茜茜;柏思宇;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种集成温度传感器的碳化硅VDMOS器件及其制作方法，器件包含金属漏电极、漏极欧姆接触区、碳化硅N+衬底、碳化硅N^‑飘移区、第一Pbase区、第二Pbase区、第三Pbase区、N⁺源区、P⁺欧姆接触区、场氧化层、第二多晶硅栅、温度传感器P⁺离子注入区、金属源金极、第一栅介质、第一多晶硅栅、温度传感器阳极金属、温度传感器阴极金属，本发明利用肖特基二极管作为温度传感器，把温度传感器集成到碳化硅VDMOS的Pbase区中，并单独为传感器增加两个电极，通过利用碳化硅材料作为温度传器，实现了耐高温的温度传感器，工作温度0‑300℃，电流和温度有良好的线性，在实现了器件工作温度检测的同时，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销。
集成温度传感器碳化硅 vdmos 器件及其制作方法

[发明专利]碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法-CN201610794235.1有效
发明人：宋凌云;申华军;汤益丹;邓小川;白云;郭飞;柏思宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制作方法。本发明通过离子注入在第三P阱区形成温度传感器P⁺离子注入区及温度传感器N⁺离子注入区，温度传感器P⁺离子注入区及温度传感器N⁺离子注入区形成PN结二极管。通过在碳化硅VDMOS器件P阱中集成PN结温度传感器，实现了碳化硅器件内部温度的即时检测，并且可以应用于高温时的温度检测，消除了传感器对于碳化硅VDMOS反向耐压的影响，最小化了版图开销，和现有的VDMOS制作工艺有良好的兼容性。
碳化硅金属氧化物半导体场效应及其制作方法