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[实用新型]一种具有复合钝化层的半导体器件-CN202022813212.5有效
发明人： 林科闯;赵杰;刘成;叶念慈;林育赐;徐宁;郭德霄 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有复合钝化层的半导体器件，包括半导体基底和设于半导体基底之上的电极，还包括设于半导体基底和电极之上的复合钝化层，所述复合钝化层于所述电极之上具有暴露所述电极的开口；所述复合钝化层包括交替设置的第一纳米沉积层和第二纳米沉积层，其中第一纳米沉积层的生长速率低于第二纳米沉积层。利用纳米复合结构的钝化层，调控器件钝化工艺引入的应力，同时采用高黏附性及覆盖性的复合纳米结构钝化层，提高钝化层对存在较高台阶不连续区域的覆盖，提高器件可靠性。
一种具有复合钝化半导体器件

[实用新型]一种氮化物功率器件-CN202022456799.9有效
发明人：徐宁;林科闯;刘成;林育赐;赵杰;何俊蕾;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化物功率器件，包括沟道层、势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分立间隔排布。本实用新型于漏极引入p型氮化物结构，且漏极金属与p型氮化物结构形成欧姆接触，通过正向偏置时空穴注入，降低沟道电阻，提高器件的峰值电流处理能力。
一种氮化物功率器件

[实用新型]一种具有多层金属连线的半导体器件-CN202022144091.X有效
发明人：武吉龙;林科闯;郭佳衢;邱宗德;高谷信一郎 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有多层金属连线的半导体器件，包括由下至上按序设置的半导体基底、第一介质层、第一SiN层、第二介质层和第二SiN层，还包括第一金属连线层和第二金属连线层，第一金属连线层嵌设于第一介质层之中，第二金属连线层嵌设于第一SiN层、第二介质层和第二SiN层之中；第一金属连线层的底端与半导体基底相连，顶端与第二金属连线层的底端相连，第二金属连线层的顶端至少部分外露于第二SiN层。通过低介电常数材料减少在导电线或元件间的寄生效应，通过SiN的高防水性阻挡水汽，可实现多层金属连线结构中对减少寄生效应和增加可靠性两个方面的兼顾。
一种具有多层金属连线半导体器件

[实用新型]一种光学按键-CN202022094307.6有效
发明人： 林科闯;曾评伟;范纲维 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H03K17/968 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光学按键，采用面射型激光器朝向触发件发射面激光，经触发件的光反射层进行反射，形成具有一定覆盖范围的反射光；通过触发件的往复运动，改变反射光的覆盖范围，进而基于光接收器接收反射光的有无或多少，即可判断按键按下或抬起，省略了传统的光路引导结构，简化按键的整体结构，有利于进行小型化设计，实现按键的轻薄化。本实用新型结构简单，成本低，并且特别适用于电竞键盘、笔记本电脑键盘，或者其他需要超薄按键的场合。
一种光学按键

[发明专利]气泡产生设备及装置-CN201580080900.4有效
发明人： 林科闯;黄苡叡 -专利权人： 林科闯;黄苡叡
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： B01F5/02 文献下载
摘要：一种超微细气泡产生设备在此被公开，其包括一层微细阵列多孔膜及一个用于在液体中产生多个实质均一的超微细气体气泡的装置。所述微细阵列多孔膜包括多个具有小于100μm且实质上均一而具有小于20％的变化量的尺寸的孔洞。由所述超微细气泡产生设备产生的所述超微细气泡可以具有50nm至50000nm且小于20％变化量的实质上均一分布的尺寸。所述超微细气泡产生设备的应用也在此被公开，其包括一种肌肤清洁装置及牙齿清洁装置。所述清洁装置皆包括这样的超微细气泡产生设备。
气泡产生设备装置

[实用新型]一种预加工碳化硅基晶圆结构-CN202021531676.0有效
发明人：陈为彬;林科闯;陶永洪;史春林;程江涛 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可改善正面崩边的预加工碳化硅基晶圆结构，包括碳化硅衬底、设于所述碳化硅衬底正面的功能层和设于所述碳化硅衬底背面的背金层，所述功能层包括若干器件区，相邻器件区之间设有切割道，所述碳化硅衬底对应所述切割道设有改质区，所述碳化硅衬底的正面对应所述切割道设有表层切割槽。通过表层切割槽的设置，在后续裂片中晶圆芯片被劈刀下压产生形变，在劈刀上抬后芯片克服应力恢复形变中不会因为两个芯片切割道边缘相互碰撞产生崩边。
一种加工碳化硅基晶圆结构

[发明专利]一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件及其制作方法-CN202011180879.4在审
发明人：徐宁;林科闯;刘成;林育赐;赵杰;何俊蕾;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合漏极结构的氮化物功率器件，包括GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极金属、漏极金属和栅极金属，沟道层和势垒层构成异质结，源极金属、漏极金属和栅极金属设于势垒层之上；还包括若干p型氮化物结构，所述若干p型氮化物结构设于所述漏极金属和势垒层之间且分立间隔排布，所述漏极金属与所述p型氮化物结构形成欧姆接触。本发明还公开了上述具有复合漏极结构的氮化物功率器件的制作方法。本发明于漏极引入p型氮化物结构，且漏极金属与p型氮化物结构形成欧姆接触，通过正向偏置时空穴注入，降低沟道电阻，提高器件的峰值电流处理能力。
一种具有复合结构氮化物功率器件及其制作方法

[实用新型]一种多层介质隔离结构-CN202021677046.4有效
发明人：郭德霄;林科闯;汪晓媛;王立阁;何俊蕾;刘成;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多层介质隔离结构，包括基底和至少一形成于基底上的金属互联结构，金属互联结构包括第一金属层和第二金属层，第一金属层与第二金属层连接，还包括粘附层、钝化层、平坦化层和保护层；粘附层、钝化层和平坦化层依次覆盖于基底上；粘附层、钝化层和平坦化层所形成的结构覆盖第一金属层并在第一金属层的顶部上开设第一通孔；保护层覆盖于平坦化层表面和第一通孔的内壁；第一金属层设于基底上，第二金属层凸设于保护层上并延伸至第一通孔内与第一金属层接触，平坦化层的厚度大于第一金属层的厚度。本实用新型通过在既有的半导体器件表面形成隔离结构，可提升金属互联隔离效果、降低器件表面平粗糙度。
一种多层介质隔离结构

[实用新型]一种p型碳化硅欧姆金属结构和晶体管-CN202020253980.7有效
发明人：杨程;林科闯;陶永洪 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种p型碳化硅欧姆金属结构和晶体管，涉及半导体技术领域。p型碳化硅欧姆金属结构包括p型碳化硅半导体和在所述p型碳化硅半导体上依次设有镍层、钛层和铝层。p型碳化硅欧姆金属结构在高温退火后，并不会降低n型与p型中一者的接触性能。
一种碳化硅欧姆金属结构晶体管

[实用新型]一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构-CN202021359640.9有效
发明人：房育涛;林科闯;张恺玄;刘波亭 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓晶体管结构及氮化镓基外延结构，所述氮化镓晶体管结构包含由下从上依次叠层的衬底、缓冲层、沟道层、极化掺杂p型AlGaN层、AlGaN势垒层；设于AlGaN势垒层上的源极和漏极；在所述AlGaN势垒层开设有凹槽或在极化掺杂p型AlGaN层上部及所述AlGaN势垒层开设有凹槽，所述凹槽内设有p型GaN层，所述凹槽的位置介于源极和漏极之间；设于p型GaN层的栅极；采用本实用新型的氮化镓基外延结构的晶体管是一种具有高阈值、高功率的氮化镓基HEMT器件。
一种氮化晶体管结构外延

[发明专利]一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构-CN202011262655.8在审
发明人：罗捷;林科闯;谢祥政 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-11-12 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种声表面滤波器的键合方法及其键合结构，涉及半导体技术领域。该声表面滤波器的键合方法包括在键合基板的上表面形成不透明的反射层；在高真空条件下，以预设压力将压电层通过反射层键合于键合基板上。该声表面滤波器键合方法能够有效降低失焦的风险。
一种表面滤波器方法及其结构

[发明专利]氮化镓基半导体器件及其制作方法-CN201910888407.5有效
发明人： 林科闯;房育涛;刘波亭;毛张文;李健;张恺玄;杨健 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种氮化镓基半导体器件及其制作方法，该氮化镓基半导体器件包括衬底、基于衬底一侧形成的氮化物半导体层以及基于氮化物半导体层远离衬底一侧形成的复合势垒层。其中，该复合势垒层包括至少两组层叠设置的超晶格势垒层，每组超晶格势垒层包括层叠设置的第一势垒层和第二势垒层，该第一势垒层中的Al组分含量高于第二势垒层中的Al组分含量。如此，通过较高Al组分含量的第一势垒层保证沟道的二维电子气浓度，以改善器件导通特性，并利用较低Al组分含量的第二势垒层降低超晶格势垒层的等效压电极化系数，从而减小器件高压下的逆压电形变，以提高器件的可靠性。
氮化半导体器件及其制作方法

[发明专利]氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件-CN202010902507.1在审
发明人：何俊蕾;林科闯;刘成;郭德霄;赵杰;徐宁;汪晓媛;叶念慈 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种氮化镓基晶体管器件外延结构及其制备方法、器件，属于半导体器件技术领域。氮化镓基晶体管器件外延结构，包括：衬底及依序形成于衬底上的缓冲层、第一层异质结、刻蚀终止层和第二层异质结，第二层异质结形成有凹槽，第二层异质结背离刻蚀终止层的一侧形成有P型氮化物层，且P型氮化物层填充凹槽。本发明，一方面，能够通过形成的第一层异质结和第二层异质结，使两个异质结的二维电子气沟道之间可产生强耦合，从而降低该功率器件的导通电阻；另一方面，增加非凹槽处外延层厚度，降低表面态对沟道二维电子气的影响，同时阻止P型氮化物层填充凹槽过程中受主杂质如镁扩散至二维电子气沟道，提升器件动态稳定性。
氮化晶体管器件外延结构及其制备方法

[实用新型]一种氮化镓基外延结构-CN202020891889.8有效
发明人：房育涛;林科闯;张恺玄;刘波亭;郑元宇 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓基外延结构，由下至上包含衬底、成核层、缓冲层和氮化镓层；缓冲层由n个极化掺杂纳米单元层组成，2≤n＜100，所述极化掺杂纳米单元层为组分渐变的AlGaN层，AlGaN层的Al组分含量沿外延生长方向逐渐减小或增加。本实用新型利用周期性极化掺杂纳米单元层，可以减小背景自由电子浓度从而形成高阻值的缓冲层。
一种氮化外延结构

[实用新型]一种校准晶圆片-CN202020233920.9有效
发明人：罗捷;林科闯;谢祥政 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种校准晶圆片，在晶圆上具有多组校准图形，每组校准图形包括直通校准单元、短路校准单元和负载校准单元；至少一组负载校准单元中的匹配电阻具有电阻值粗调部和/或电阻值微调部。本实用新型不但能降低量测的校准成本，提升量测产能，而且还能同时提高量测精度。
一种校准晶圆片

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