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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201811446597.7有效
发明人： 林玮耿;李俊德;徐志朋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：方法包括形成突出在衬底之上的第一鳍，第一鳍具有PMOS区域；在PMOS区域中的第一鳍上方形成第一栅极结构；在第一鳍和第一栅极结构上方形成第一间隔件层；并且在第一间隔件层上方形成第二间隔件层。该方法还包括实施第一蚀刻工艺以从PMOS区域中的第一鳍的顶面和侧壁去除第二间隔件层；实施第二蚀刻工艺以从PMOS区域中的第一鳍的顶面和侧壁去除第一间隔件层；以及在PMOS区域中的第一鳍上方外延生长第一源极/漏极材料，第一源极/漏极材料沿着PMOS区域中的第一鳍的顶面和侧壁延伸。本发明的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910913267.2有效
发明人：谭伟钧;翁翊轩;程德恩;林咏惠;林玮耿;李威养;粘志鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。一种方法包括：形成从衬底延伸的第一鳍，在第一鳍上方并且沿着第一鳍的侧壁形成第一栅极堆叠，沿着第一栅极堆叠的侧壁形成第一间隔件，第一间隔件包括第一碳氧化硅组合物，沿着第一间隔件的侧壁形成第二间隔件，第二间隔件包括第二碳氧化硅组合物，沿着第二间隔件的侧壁形成第三间隔件，第三间隔件包括氮化硅，以及在第一鳍中并且与第三间隔件相邻形成第一外延源极/漏极区域。
半导体器件形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其制造方法-CN201611153626.1有效
发明人：林加明;林俊泽;张简旭珂;林玮耿;罗光耀 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：提供了一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括衬底、多个绝缘体、以及栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和多个沟槽之间的至少一个半导体鳍。绝缘体设置在沟槽中并且包括分布在其中的掺杂区域。栅极堆叠件部分覆盖至少一个半导体鳍和绝缘体。还讨论了用于制造前述FinFET的方法。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201811348935.3有效
发明人：林文凯;赖柏宇;李俊德;李凯璿;杨世海;包天一;林玮耿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明实施例涉及具有减小的电容的栅极间隔件的FinFET器件以及用于形成FinFET器件的方法。具体地，根据本公开的FinFET器件包括由两次或更多次沉积形成的栅极间隔件。通过在不同的工艺时间沉积第一材料和第二材料来形成栅极间隔件，以降低栅极结构之间的寄生电容以及在源极/漏极区域的外延生长之后引入的接触。本发明实施例涉及一种半导体器件及其形成方法。
一种半导体器件及其形成方法

[发明专利]用于制造鳍式场效应晶体管和浅沟槽隔离件的方法-CN201611219061.2有效
发明人： 林玮耿;林加明;邓宪哲;施勇州;佘坤典;杨礼嘉;朱韵文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-26 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种制造浅沟槽隔离(STI)结构的方法包括以下步骤。在介于0.5托至1.5托的第一压力下并且在介于30摄氏度到105摄氏度的第一温度下引入并且混合具有500sccm至750sccm的体积流量的硅烷基前体和具有300sccm至600sccm的体积流量的氮基前体，以在衬底的沟槽中沉积可流动介电层。然后，在介于300托至650托的范围内的第二压力下和在介于50摄氏度到250摄氏度的范围内的第二温度下引入并混合臭氧气体和氧气，以处理可流动介电层，其中，臭氧气体和氧气的体积流量比率介于从1:1至3:1范围内。提供了用于制造FinFET的方法。本发明实施例涉及用于制造鳍式场效应晶体管和浅沟槽隔离件的方法。
用于制造场效应晶体管沟槽隔离方法

[发明专利]低k部件形成工艺和由此形成的结构-CN201811081811.3有效
发明人：高琬贻;柯忠祁;李俊德;林翔伟;程德恩;林玮耿;涂官瑶;廖书翎 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-09-17 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：这里描述了具有低k部件的半导体器件结构以及形成低k部件的方法。一些实例涉及可以在后续处理期间保护低k部件的表面修改层。一些实例涉及包括低k部件的栅极间隔件。一些实例涉及低k接触蚀刻停止层。本发明描述了用于形成这种部件的示例性方法。本发明实施例涉及低k部件形成工艺和由此形成的结构。
部件形成工艺由此结构

[发明专利]鳍式场效应晶体管器件和方法-CN201810042939.2有效
发明人：王尹;周鸿儒;郭俊铭;林玮耿;李俊德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：方法包括在衬底的第一区域中的第一鳍上方形成半导体覆盖层，在半导体覆盖层上方形成介电层，以及在介电层上方形成绝缘材料，该绝缘材料的上表面比第一鳍的上表面更远离衬底延伸。该方法还包括使绝缘材料凹进以暴露第一鳍的顶部；以及在第一鳍的顶部上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。
场效应晶体管器件方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610817215.1有效
发明人：林加明;林玮耿;张简旭珂;林俊泽 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-09-12 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了具有用于其中的平坦化工艺的停止层的半导体结构及其形成方法。该方法包括以下步骤：在衬底中和有源区之间形成沟槽；用隔离层填充沟槽；用元素掺杂隔离层以形成掺杂的隔离区；退火掺杂的隔离区；以及平坦化退火的和掺杂的隔离区并且测量它的平坦化深度。停止层、介电层和有源区的热膨胀系数(CTE)是不同的。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件的沟槽结构及其制造方法-CN201610071466.X有效
发明人：林加明;张简旭珂;林俊泽;王英郎;林玮耿;刘全璞 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-02-02 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的沟槽结构，包括衬底、隔离结构和衬层。衬底中具有沟槽。隔离结构设置在沟槽中。衬层设置在衬底和隔离结构之间。衬层包括氮，并且衬层在空间上具有不同的氮浓度。本发明还提供了一种制造半导体器件的沟槽结构的方法。
半导体器件沟槽结构及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810523022.4在审
发明人：詹佳玲;刘孟岳;林玮耿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：根据本公开一些实施例，提供半导体装置的制造方法，其包含形成第一鳍片于基底的第一区上及第二鳍片于基底的第二区上。上述方法亦包含形成第一栅极堆叠于第一鳍片上，及形成第二栅极堆叠于第二鳍片上。上述方法更包含形成间隙物层于第一鳍片、第二鳍片、第一栅极堆叠及第二栅极堆叠上。此外，上述方法包含形成第一掩模于第二区的间隙物层上，且第一掩模覆盖第二鳍片。形成第一掩模后，将具有第一掺杂型态的第一掺杂质注入第一鳍片上方的间隙物层内。上述方法亦包含移除第一掩模。上述方法更包含执行第一退火工艺，以将第一掺杂质导入第一鳍片，以及外延成长第一源极/漏极区于第一鳍片内。
鳍片栅极堆叠间隙物掩模半导体装置掺杂质基底源极/漏极区掺杂型态退火工艺掩模覆盖第一区移除制造

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