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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及半导体制造方法-CN202210937191.9在审
发明人： 林猷颖;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：一种半导体结构包括半导体基材、位于半导体基材的沟槽中的间隔物，其中间隔物包括两个沟槽氮化物层和夹在两个沟槽氮化物层之间的空隙。第一氮化物层用以密封两个沟槽氮化物层之间的空间隙的暴露开口。第二氮化物层在第一氮化物层之上，其中第二氮化物层具有比第一氮化物层高的密度。第三氮化物层具有位于第二氮化物层上方的第一部分和设置在两个沟槽氮化物层的侧壁上的第二部分。通过氮化物层的原子层沉积来修复两个沟槽氮化物层的蚀刻损伤，以减少从位元线结构到电池容器接触和电池容器的电流泄漏。
半导体结构制造方法

[发明专利]半导体装置以及其制作方法-CN201810035934.7有效
发明人：丁煦;林猷颖;陈彦兴;陈俊仁;游峻伟;林耿任;王俞仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-01-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置以及其制作方法。半导体装置包括半导体基底、隔离结构、包覆层与栅极结构。半导体基底包括多个鳍状结构。隔离结构设置于多个鳍状结构之间。各鳍状结构包括第一部分与第二部分。第一部分设置于隔离结构的上表面之上。第二部分设置于第一部分上。第二部分的宽度小于第一部分的宽度。包覆层设置于各鳍状结构的第一部分与第二部分上，且包覆层具有一曲面。栅极结构跨设于多个鳍状结构上。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]外延结构、半导体装置以及其制造方法-CN202310114217.4在审
发明人： 林猷颖;古冠轩;胡益诚;刘厥扬;吕水烟;林钰书;杨钧耀;王俞仁;杨能辉 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种外延结构、半导体装置以及其制造方法。其中半导体装置包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上的栅极结构以及一部分形成于该半导体基底中的外延结构。该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸。该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸。该半导体装置还包括一层间介电层位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间。该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。
外延结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN202310114108.2在审
发明人： 林猷颖;叶怡良;蔡松蒝;游峻伟;王俞仁;吴振;林泰言 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法，其主要先形成一第一栅极结构于基底上，然后进行第一蚀刻制作工艺以于第一栅极结构旁形成一凹槽，进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于凹槽正下方，进行第二蚀刻制作工艺去除该非晶层，再形成一外延层于凹槽内。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202210318686.3在审
发明人： 林猷颖 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：一种半导体装置包含基板、位元线、位元线触点、字元线与焊垫。位元线在基板上。位元线触点接触位元线的底部并在基板中，其中位元线触点包含第一部分与在第一部分下的第二部分，在横截面视角中，第一部分比第二部分宽。字元线相邻位元线触点。焊垫在基板上，其中焊垫相邻字元线，使得字元线位于位元线触点与焊垫之间。位元线触点的较宽的第一部分可提升由拉伸应变所造成的效应，并提升n型金属氧化物半导体的电子迁移率与电流。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]存储器结构及其制造方法-CN202210493956.4在审
发明人： 林猷颖 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：提供一种制造存储器结构的方法。此方法包含形成第一栅极结构、第二栅极结构、及复数个源极/漏极区在基板中，其中复数个源极/漏极区设置在第一栅极结构及第二栅极结构的相对侧；执行干蚀刻工艺以在第一栅极结构及第二栅极结构之间形成沟槽；执行湿蚀刻工艺以扩大沟槽，其中扩大的沟槽具有六边形截面轮廓；以及形成位线接触在扩大的沟槽中。由于湿蚀刻工艺扩大沟槽，产生多边形状位线接触，从而能够增加位线接触的体积并降低电阻，提高存储器结构的性能。
存储器结构及其制造方法

[发明专利]外延结构、半导体装置以及其制造方法-CN201610598784.1有效
发明人： 林猷颖;古冠轩;胡益诚;刘厥扬;吕水烟;林钰书;杨钧耀;王俞仁;杨能辉 -专利权人：蓝枪半导体有限责任公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开一种外延结构、半导体装置以及其制造方法。其中半导体装置包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上的栅极结构以及一部分形成于该半导体基底中的外延结构。该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸。该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸。该半导体装置还包括一层间介电层位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间。该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。
外延结构半导体装置及其制造方法

[发明专利]具有外延结构的半导体元件及其制作方法-CN201510844852.3有效
发明人： 林猷颖;刘厥扬;王俞仁;杨能辉 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种具有外延结构的半导体元件及其制作方法，该具有外延结构的半导体元件包含有一基底、一栅极结构、一间隙壁、以及多个复Σ形外延应力件。该基底包含有一第一半导体材料，该等复Σ形外延应力件分别包含该第一半导体材料与一第二半导体材料，该第二半导体材料的晶格系数不同于该第一半导体材料的晶格系数。该等复Σ形外延应力件分别还包含一第一部分、一第二部分、与一实体连接该第一部分与该第二部分的颈部，该第一部分与该第二部分分别包含有一对第一尖角与一对第二尖角，且该等尖角在一剖面视角中指向该栅极结构。该颈部包含有一第一斜面与一第二斜面。
具有外延结构半导体元件及其制作方法

[发明专利]照光的外延制作工艺-CN201510019753.1有效
发明人： 林猷颖;郭敏郎;简金城;刘志建;许信国;林进富;吴俊元 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种照光的外延制作工艺，包含有下述步骤。首先，提供一基底。接着，进行一干蚀刻制作工艺以及一湿蚀刻制作工艺，以在基底中形成一凹槽，其中在进行湿蚀刻制作工艺时照射一红外光。接续，形成一外延结构于凹槽中。
外延制作工艺

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201810188894.X在审
发明人： 林猷颖;叶怡良;蔡松蒝;游峻伟;王俞仁;吴振;林泰言 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法，其主要先形成一第一栅极结构于基底上，然后进行第一蚀刻制作工艺以于第一栅极结构旁形成一凹槽，进行一离子注入制作工艺以形成一非晶层于凹槽正下方，进行第二蚀刻制作工艺去除该非晶层，再形成一外延层于凹槽内。
半导体元件蚀刻制作工艺栅极结构非晶层制作制作工艺外延层基底去除离子

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