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- [发明专利]半导体装置制造方法及其半导体装置-CN200510003676.7无效
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矢野尚;林慎一郎
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松下电器产业株式会社
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2005-01-10
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2005-07-13
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H01L21/31
- 本发明防止在强电介质膜电容器中，强电介质膜的成分在膜厚方向上的不均匀，以实现具有良好电气特性的电容器。本发明的半导体装置的制造方法是，在半导体基板上形成下部电极(S11)；接着，通过使用第一原料气体的CVD法，在下部电极上形成第一强电介质膜(S13a)；然后，通过使用第二原料气体的CVD法，在第一强电介质膜上形成第二强电介质膜(S13b)；此后，在第二强电介质膜上形成上部电极(S14)；其中，包含于形成第一强电介质膜工序(S13a)中使用的第一原料气体中的铋浓度与包含于形成第二强电介质膜工序(S13b)中使用的第二原料气体中的铋浓度不同。
- 半导体装置制造方法及其
- [发明专利]电容元件及半导体存储装置-CN200410068220.4无效
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长野能久;林慎一郎
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松下电器产业株式会社
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2004-08-25
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2005-03-09
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H01L27/10
- 本发明涉及电容元件及半导体存储装置，电容元件(22)，具有立体形状的下部电极(19)，和该下部电极(19)相对形成的上部电极(21)，和在下部电极(19)和上部电极(21)之间形成的由结晶化的铁电体构成的电容绝缘膜(20)。电容绝缘膜(20)的膜厚设定在12.5nm以上而且在100nm以下，进一步，铁电体具有多结晶结构时，其结晶粒径设定在12.5nm以上而且在200nm以下。从而在具有立体形状的下部电极和由铁电体构成的电容绝缘膜的电容元件及使用它的半导体存储装置中，通过简易的方法，防止铁电体中的极化特性劣化，不给电容元件的数据保持特性带来不良影响。
- 电容元件半导体存储装置
- [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200410063756.7有效
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夏目进也;林慎一郎
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松下电器产业株式会社
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2004-07-07
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2005-02-09
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H01L27/108
- 电容元件(26)具有：在设置在半导体衬底(10)的第三层间绝缘膜(22)上的开口部(22a)的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极(23)、形成在该下部电极(23)之上的由介质构成的电容绝缘膜(24)和形成在该电容绝缘膜(24)上的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的上部电极(25)。通过该结构，能防止对电容绝缘膜(24)的用于介质结晶的热处理时产生的下部电极(23)和上部电极(25)的断线、构成电容绝缘膜(24)的原子的扩散。能防止由于对介质进行比较高温的热处理而产生的电极断线。
- 半导体器件及其制造方法
- [发明专利]铁电电容元件-CN03103803.4无效
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那须彻;林慎一郎
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松下电器产业株式会社
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2003-02-11
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2003-08-27
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H01L27/108
- 一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个假钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1－xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。
- 电容元件
- [发明专利]具有铁电薄膜的铁电存储器及其制造方法-CN00802711.0有效
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纳拉杨·索拉亚鹏;维克拉姆·乔希;卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约;拉里·D·麦克米伦;林慎一郎;大槻达男
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塞姆特里克斯公司;松下电器产业株式会社
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2000-01-07
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2002-02-20
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H01L27/115
- 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
- 具有薄膜存储器及其制造方法
- [发明专利]制造叠层超晶格材料和制造包括该材料的电子器件的低温处理方法-CN99809086.7无效
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林慎一郎;卡洛斯·A·帕兹德阿罗
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塞姆特里克斯公司;松下电子工业株式会社
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1999-07-07
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2001-09-05
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H01L21/316
- 将一种包含铊的液态前体涂敷到第一电极(28,58)上,以低于725℃的温度进行烘焙,以相同的温度进行一至五小时的退火,以产生铁电叠层超晶格材料(30,60)。成形第二电极(32,77),以形成电容器(16,72),并且以低于725℃的温度进行第二退火。如果所述的材料是锶铋铊钽酸盐,在所述的前体中,每(2.2－x)摩尔当量的铋,就含有(m－1)摩尔当量的锶、x摩尔当量的铊、以及m摩尔当量的钽,其中,m=2,并且,0.0
- 制造叠层超晶格材料包括电子器件低温处理方法
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