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[实用新型]一种晶圆承载装置及探针机-CN202320161922.5有效
发明人：吴哲佳;张锦涛;钟铭婷;吴序伟;林伟铭;王正钦 -专利权人：粤芯半导体技术股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆承载装置及探针机，该晶圆承载装置包括晶圆承载台、真空管道及真空气压阀，晶圆承载台包括间隔设置的第一真空吸附区与第二真空吸附区，第一/二真空吸附区分别位于晶圆承载台的中间及边缘区域；真空管道位于晶圆承载台的下方且与其连接，真空管道包括第一管道、第二管道及第三管道，第一/二管道的一端分别与第一/二真空吸附区连通，第一/二管道的另一端均与第三管道连接；真空气压阀包括分别位于所述第一/二/三管道上的第一/二/三气压阀。本实用新型的晶圆承载装置能够缓解固定于晶圆承载台上翘曲晶圆的形变程度，改善晶圆与晶圆承载台的贴合度以实现更好的固定，并能够同时提高测试数据的准确性和稳定性。
一种承载装置探针

[发明专利]一种增加电感量的电感制程方法及电感结构-CN201911252953.6有效
发明人：黄光伟;李立中;陈智广;吴淑芳;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开一种增加电感量的电感制程方法，其中方法包括如下步骤：沉积氮化物于晶圆正面，形成正面氮化物层蚀刻正面氮化物层并在被蚀刻部分制作正面金属层；在晶圆背面涂布第一光阻层，蚀刻晶圆，去除第一光阻层，并于晶圆背面进行溅镀金属；涂布第二光阻层于晶圆背面，并沉积金属。涂布第三光阻层于晶圆背面，并沉积金属；最后通过第一接触端和第二接触端的断路开口处蚀刻溅镀金属到正面氮化物层，使晶圆背面的沉积金属与正面金属层连接形成电感结构。上述发明通过在蚀刻孔数不变，以及金属用量不增反减的情况下，使绕组匝数增加，电路能提供更大的电感量和更充沛的电能，同时获得更高的品质因数Q。
一种增加电感方法结构

[发明专利]一种基于激光烧结制备多孔反应载体板的方法及其应用-CN202211099314.2在审
发明人：褚旭阳;陈智全;周可升;周姝判;林伟铭;夏虎;周伟 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B01J23/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光烧结制备多孔反应载体板的方法及其应用，制备方法包括如下步骤：(1)将至少一组钯系催化剂颗粒与Al粉末颗粒、水溶性无机盐颗粒按照体积比1‑3:1‑3:1‑3进行混料，制得混合均匀的复合粉末；(2)将复合粉末铺在基板特定区域得到预制粉末层，然后进行激光烧结得到实体结构；(3)实体结构静置冷却，随后进行超声振动处理；(4)将实体结构进行水浴处理去除造孔剂及粘结不牢的粉末颗粒并烘干得到多孔反应载体板。本发明通过将催化剂与多孔载体直接烧结成多孔结构，并根据传质传热规律进行选区结构设计，提高催化剂利用率，省略催化剂负载流程，提高制氢效率。
一种基于激光烧结制备多孔反应载体方法及其应用

[发明专利]一种反应过程可控的微反应器及其制备方法-CN202211199952.1在审
发明人：周伟;林伟铭;周姝判;褚旭阳;李新颖;钟雨晨;吴粦静 -专利权人：厦门大学
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种反应过程可控的微反应器，包括流体通道层和密封层，流体通道层表面开设有反应流道、汇合区和至少两个进给流道，汇合区设于至少两个进给流道的末端和反应流道的始端的交汇处；密封层盖设并键合于流体通道层上，密封层设有分别对应连通各进给流道的始端的密封入口以及对应连通反应流道的末端的密封出口；流体通道层和密封层采用柔性材料，反应流道在微反应器弯曲时流道截面发生改变以影响反应过程。本发明还公开了其制备方法。本发明的通道截面可随微反应器宏观形变改变，反应过程可实时调控，提高了反应的可操控性；适应不同流量、不同粘度反应物的混合反应需求。
一种反应过程可控反应器及其制备方法

[发明专利]一种基于强化学习的区域控制器预测方法-CN202211210264.0在审
发明人：江福椿;林伟铭;刘中明 -专利权人：厦门一联时代科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H04L67/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于强化学习的区域控制器预测方法，包括以下步骤：S1、对采集的原始数据进行数据预处理；S2、将通道注意力模块和传统的注意力模块构建成混合注意力模块；S3、将混合注意力模块与长短时记忆LSTM模型串联，得到预测系统；S4、将预处理后的数据输入预测系统进行预测，通过预测系统预判出采集的连续数据的下一阶段的预判数据；S5、将预判数据与实际数据作比较，如果数据正常，则区域控制器不上报数据；如果数据异常，则区域控制器立即上报数据；本发明将强化学习算法集成到区域控制器中，通过神经元预判模型，预判采集的数据，在数据出现异常才实时上报，大大降低了区域控制器的上报数据量，可从根本缓解系统高并发可能性。
一种基于强化学习区域控制器预测方法

[发明专利]一种异质结双极晶体管结构及制造方法-CN201910433131.1有效
发明人：邓丹丹;林锦伟;郭文海;赵玉会;翁佩雪;甘凯杰;钟艾东;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种异质结双极晶体管结构及制造方法，其中方法包括如下步骤：在具有发射极接触金属的半导体器件上进行蚀刻，蚀刻发射极接触位置四周的帽层；保留发射极接触位置下面和半导体器件四周的帽层；沉积第一保护层；对基极接触位置进行蚀刻，蚀刻去除基极接触位置上的第一保护层和发射极层；在基极接触位置沉积基极接触金属；沉积第二保护层；对基极台面位置进行蚀刻，蚀刻去除基极台面位置四周的第二保护层、第一保护层、发射极层、基极层和部分集电极层，保留半导体器件四周的结构。本方案可以避免箭影的产生，提高产品良率，降低了寄生电容，从而减少了射频损耗。
一种异质结双极晶体管结构制造方法

[发明专利]一种香辣海鲜调味料及其应用-CN202210883072.X在审
发明人：张世兵;林典旋;林伟铭 -专利权人：林典旋
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： A23L27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种香辣海鲜调味料及其应用，所述香辣海鲜调味料包括下述重量份的原料，高汤粉3.2‑5份、高鲜调味粉1‑3份、鸡精调味粉4‑5份、鸡精调味料4‑6份、蛤汁粉6‑10份、熬骨高汤调味料6‑10份、黑胡椒粉0.6‑1份、蚝油30‑45份、料酒40‑50份、味精18‑25份、甜米酒50‑80份。本发明的有益效果为：本发明所述香辣海鲜调味料应用的海鲜中可去除海鲜的腥味，丰富了海鲜的口感，使所得海鲜品色泽鲜艳，光泽靓丽，香气四溢，鲜香口感持续回味。
一种海鲜调味料及其应用

[发明专利]一种人体信道建模方法、终端设备及存储介质-CN201811438291.7有效
发明人：陈志英;杜民;林伟铭;林峰 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明涉及人体信道建模技术领域，提出了一种人体信道建模方法、终端设备及存储介质，在电磁波传播的基本理论基础上，结合分界面链接条件(边界条件)，提出一种均匀平面电磁波向多层媒质斜入射的传播特性计算方法，主要包括每个分界面上的切向等效波阻抗、反射系数、透射系数以及每种媒质区域中电磁波的数学计算表达式。它可用于计算任何均匀平面波向多层导电或非导电媒质以不同角度入射时各媒质中及各分界面上的电磁场分布情况。它的提出进一步丰富和补充了电磁波的入射传播理论，可为微波射频相关实际应用提供理论基础。
一种人体信道建模方法终端设备存储介质

[发明专利]一种基于晶体管的电阻结构及其制作方法-CN201910784342.X有效
发明人：陈智广;吴淑芳;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种基于晶体管的电阻结构及其制作方法，其中方法包括如下步骤：在具有栅极金属、源极金属、漏极金属、第一层氮化物以及第一层金属连线的器件上沉积第二层氮化物；对源极金属、漏极金属位置的第二层氮化物进行蚀刻开口；沉积平坦化层，对源极金属、漏极金属位置的平坦化层进行蚀刻开口；沉积第二层金属，使得第二层金属连接源极第一层金属和漏极第一层金属。本技术方案具有如下优点：优点1：省去了现有制备高值电阻的工艺步骤，可有效降低制造成本，同时因工艺步骤减少可在一定程度上提高制程稳定性。优点2：制备出高值的电阻占用外延面积较小。
一种基于晶体管电阻结构及其制作方法

[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法-CN201910942730.6有效
发明人：郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。
一种晶体管管芯结构制作方法

[发明专利]半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管-CN202210958204.0在审
发明人：杨婷;庞宏民;黄伟;林伟铭;蔡水健 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法和具有屏蔽栅沟槽结构的晶体管，应用于半导体技术领域。具体的，其在有源区和端接区各自对应的沟槽中形成第一氧化层和第一多晶硅层之后，并没有像现有技术那样直接在端接区上形成图形化的光刻胶，以对有源区中的栅极沟槽中的第一多晶硅层进行回刻蚀，而是先对整个半导体衬底上形成的第一氧化层沿着垂直于所述半导体衬底表面的方向进行减薄处理，以在形成图形化的光刻胶之前就减薄了覆盖在位于所述有源区和端接区之间的连接区的外延层上的第一氧化层的厚度，从而避免了在后续工艺制程形成第二层多晶硅层后，造成两层多晶硅（源极沟槽与有源区中的栅极沟槽之间的连接处）引出连接处出现台阶形貌的问题。
半导体结构制备方法具有屏蔽沟槽晶体管

[发明专利]一种空气桥制作方法及具有该空气桥的器件-CN201910648325.3有效
发明人：陈建星;林易展;王淋雨;林伟;郑伯涛;章剑清;邱文宗;林伟铭;郭一帆 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种空气桥制作方法及具有该空气桥的器件，其中方法包括如下步骤：在器件表面覆盖聚酰亚胺，高温固化，使用第一光罩干蚀刻聚酰亚胺，露出预连接的桥墩；涂布第一光阻，高温固化，利用第一光罩光刻，露出预连接的桥墩；涂布第二光阻，利用第二光罩光刻出桥面；沉积金属到桥墩和桥面，形成桥结构，曝光显影去除第一光阻，而后用显影液去除第二光阻。本方案使用两层光罩制作含聚酰亚胺的空气桥连线，节约光罩成本。中空的介质空气桥有利于提高器件的工作频率，可以降低器件的暗电流。
一种空气制作方法具有器件

[发明专利]一种预判晶圆校准值的方法和存储介质-CN201911235572.7有效
发明人：陈智广;吴淑芳;黄光伟;马跃辉;吴靖;庄永淳;李立中;林伟铭 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种预判晶圆校准值的方法和存储介质，所述方法包括：设置晶圆校准图；获取晶圆扫描图，将所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图进行比对，并输出比对结果；所述比对结果包括所述晶圆扫描图和所述晶圆校准图之间的校准值。当晶圆扫描图的位置调整时，其相较于晶圆校准图的校准值也相应调整，使得校准过程更加直观，有利于提高校准精度。
一种预判晶圆校准方法存储介质

[发明专利]一种通孔结构及其制作方法-CN201910937839.0有效
发明人：黄光伟;李立中;林伟铭;吴淑芳;陈智广;马跃辉;吴靖;庄永淳 -专利权人：福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种通孔结构及其制作方法，本方案采用正面孔洞和背面孔洞相结合的方式制程通孔。通过第一氮化层的沉积，实现背面蚀刻的孔洞与正面蚀刻的孔洞的对接，同时也保证了整体侧壁的垂直度。在进行电镀金属时沉积金属层的厚度与电镀的时间和电流密度成正比，形成更厚的沉积层封合正面孔洞。避免蜡流进深孔，避免后续工艺去蜡和蓝宝石。通过正面孔洞和背面孔洞相结合的方式保证了所涂布光阻的厚度，从而避免显影轮廓及晶圆表面异常等问题的发生，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。提升制程效率，减少光阻用量，避免显影时发生轮廓及晶圆表面异常，降低黄光微影的制程难度，提高通孔的精度与良率。
一种结构及其制作方法

[发明专利]一种沟槽型双层栅功率MOSFET及其制造方法-CN202210221344.X有效
发明人：黄伟;林伟铭 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型双层栅功率MOSFET及其制造方法，该方法包括以下步骤：形成第一多晶硅层、介质层于沟槽中，以遮盖第一多晶硅层引出区的第二保护层为掩膜，采用干法刻蚀对介质层进行回刻以使介质层的顶面与半导体层的顶面间隔第一距离；采用湿法刻蚀对介质层进行回刻以使介质层靠近沟槽侧壁的部分呈内凹弧形，并使介质层位于沟槽中间部分的顶面与半导体层的顶面间隔第二距离。本发明采用干式刻蚀加湿法刻蚀工艺，改善介质层侧向腐蚀，提高生产过程中工艺稳定性，提升产品良率，并减少了湿法过程中晶圆泡在酸液内的时间，减少蚀刻溶液的蚀刻速率变化带来的对第一、第二多晶硅层之间介质层厚度波动的影响，有利于提高产品动态参数稳定性。
一种沟槽双层功率 mosfet 及其制造方法

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