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[发明专利]NAND存储器及其制备方法-CN201710716640.6有效
发明人：胡禺石;吕震宇;陈俊;朱继锋;陶谦;杨士宁;杨伟毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明涉及一种NAND存储器及其制备方法，包括：多个NAND串和形成在上述多个NAND串上的一个单晶硅层，所述单晶硅层与所述多个NAND串接触连接；其中，每个所述NAND串包括：多个导体/绝缘体叠层；一个在竖直方向延伸并穿过所述多个导体/绝缘体叠层的半导体通道；一个形成在所述多个导体/绝缘体叠层和所述半导体通道之间的隧道层；和一个形成在所述隧道层和多个导体/绝缘体叠层之间的存储单元层。本发明通过将阵列器件和外围器件的制作分开，能够避免两个器件制造时互相影响对方的制作过程，因此解决了现有技术中后面的层的制作受前面的层制作后温度限制的问题，从而获得了良好的外围器件性能。另外由于阵列器件叠加在外围器件之上，实现了高器件密度。
nand 存储器及其制备方法

[发明专利]一种半导体装置及其制备方法-CN201710831396.8有效
发明人：朱继锋;吕震宇;陈俊;胡禺石;陶谦;杨士宁;杨伟毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L27/11578 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制备方法，所述半导体装置由下到上依次包括：硅衬底；形成在所述硅衬底上方的一个或多个NAND串；形成在所述NAND串上方的一个或多个外围器件；形成在所述一个或多个外围器件上方的单晶硅层，和形成在所述一个或多个外围器件和一个或多个NAND串之间的一个或多个第一互联层。外围器件和阵列器件通过粘结界面结合。本发明通过将阵列器件和外围器件的制作分开，能够避免两个器件制造时互相影响对方的制作过程，因此解决了现有技术中后面的层的制作受前面的层制作后温度限制的问题，从而获得了良好的外围器件性能。另外由于外围器件叠加在阵列器件之上，实现了高器件密度。
一种半导体装置及其制备方法

[发明专利]一种低压差线性稳压器-CN201710134366.1有效
发明人：潘锋;吕震宇;杨伟毅;杨士宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种低压差线性稳压器，包括：第一比较器、第一开关管、第二开关管和米勒电容；第一比较器的第一输入端连接参考电压，第二输入端连接第一开关管的第一端，输出端连接第一开关管的控制端；第一开关管的第一端连接负载，第二端连接电源电压；第二开关管的第一端连接负载，第二端连接电源电压，控制端连接第一比较器的输出端；米勒电容连接所述在第一开关管的控制端和第一端之间。由于米勒效应，米勒电容降低了第一开关管的输出震荡，减小了第一开关管输出至负载的噪声，使得本发明实施例提供的LDO通过第一开关管和米勒电容在低频区间内输出更小的噪声，在保证了高带宽的基础上减小了LDO的输出噪声。
一种低压线性稳压器

[发明专利]NAND存储器及其制备方法-CN201711236924.1有效
发明人：胡禺石;吕震宇;陶谦;陈俊;杨士宁;杨伟毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明公开了一种NAND存储器，包括：等级层堆栈、NAND串、共源触点和源端导电层；所述等级层堆栈包括由导体层和绝缘层交替堆叠形成的导体/绝缘体叠层；所述NAND串和所述共源触点在垂直于所述等级层堆栈中的导体层或绝缘层的第一方向上延伸贯穿所述等级层堆栈；所述源端导电层覆盖所述等级层堆栈，并与所述NAND串第一端和所述共源触点的第一端接触，所述NAND串和所述共源触点通过所述源端导电层形成电性连接；所述源端导电层的导电区由金属、金属合金和金属硅化物中的一种或多种的组合构成。本发明旨在提高器件的操作速度以及外围器件对存储块的源端的驱动能力。
nand 存储器及其制备方法

[发明专利]3D NAND存储器件、制造方法以及台阶校准方法-CN201710134787.4有效
发明人：吕震宇;宋立东;李勇娜;潘锋;戴晓望;刘丹;杨伟毅;杨士宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本方案提供的3D NAND存储器件，通过在台阶层设置多层台阶掩膜，并对每一层的台阶掩膜设置一个台阶标记，且，沿字线方向，每层台阶掩膜与台阶标记的间距均为第一预设值，用于实现对台阶的对齐校准，使得台阶不会因为层数的增加导致台阶的扭曲变形。除此，本方案将台阶层分成第一台阶区域、片区域以及第二台阶区域，将第一台阶区域用于放置真正的台阶，第二台阶区域用于放置台阶标记，这样能够合理的利用存储器件的空间，不会导致原存储器件体积的增加。并且，本方案可以选择在刻蚀台阶掩膜的同时，刻蚀出台阶标记，使得工艺更加简单。
dnand 存储器件制造方法以及台阶校准

[发明专利]存储器结构及其制备方法、存储器的测试方法-CN201710134368.0有效
发明人：金钟俊;潘锋;李钟硕;吕震宇;李勇娜;宋立东;金允哲;杨伟毅;杨士宁 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L27/11548 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，在该存储器结构中至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述字线连接之间形成电连接；和/或；至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔、所述第一金属图案层上的金属图案以及所述位线连接之间形成电连接。如此，测试信号能够在上述电连接的结构之间进行传输，因此，利用上述电连接的结构能够对存储器结构进行测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。
存储器结构及其制备方法测试

[发明专利]一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法-CN201710135655.3有效
发明人：吕震宇;杨士宁;潘锋;杨伟毅;陈俊;吴关平;施文广;程卫华 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-03-08 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND存储器件及其制造方法、封装方法，通过绝缘环将环内和环外的堆叠层隔离开，绝缘环内仍为氧化物层和氮化物层的堆叠，绝缘环外为氧化物层和金属层的堆叠，绝缘环内的氧化物层和氮化物层的堆叠易于贯通接触孔的形成，而绝缘环外金属层保证了存储阵列字线的电连接，这种结构的贯通接触孔便于实现存储器件同CMOS芯片的连接，且易于同现有的工艺集成，特别是当堆叠层的厚度不断增加后，无需刻蚀金属堆叠来形成贯通接触孔，利于工艺的实现和集成度的不断提高。
绝缘环堆叠氧化物层接触孔氮化物层贯通堆叠层封装存储器件存储阵列工艺集成刻蚀金属外金属层集成度电连接金属层字线制造隔离保证

[发明专利]阿莫西林胶囊及其制备方法-CN201510141461.5有效
发明人：郝瑞霞;王利杰;严正人;李树宾;张丹丹;赵川河;王海燕;马影影;周捷;刘丹;武琳;吴浩;杨士宁;甄长家;刘亚红;李兰涛;张云龙;程丽霞 -专利权人：华北制药股份有限公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： A61K9/48 文献下载
摘要：本发明公开一种阿莫西林胶囊及其制备方法，属于药物制剂技术领域。阿莫西林胶囊中包含的组分及其质量分数为100份阿莫西林，0.1～1份十二烷基硫酸钠，0.1～3份滑石粉，0.25～2.0份硬脂酸镁。本发明通过调节原料阿莫西林颗粒粒径和调节辅料的比例来保证阿莫西林的较高溶出度，避免了使用羧甲基淀粉钠及交联聚维酮等崩解剂，减小了阿莫西林胶囊的体积；简化了阿莫西林胶囊的药品的生产配置步骤，降低了生产成本，并降低了阿莫西林胶囊中的高分子杂质含量，提高了生产效率。
阿莫西林胶囊及其制备方法

[实用新型]一种能够感测前后门牌是否贴合的裤子-CN201621116810.4有效
发明人： 杨士宁;洪齐元;沈亮 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2016-10-13 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： A41D1/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及裤子设计领域，尤其涉及一种能够感测前后门牌是否贴合的裤子，所述裤子于裆部设置有前门牌及后门牌，所述裤子包括有源主机，固定于所述后门牌上，用以发射探测信号，且所述有源主机包括一报警器；无源探测片，固定于所述前门牌上，且所述前门牌与所述后门牌贴合时，所述无源探测片与有源主机至少部分交叠，以接收所述探测信号并发送反馈信号至所述有源主机；其中，所述有源主机接收不到所述无源探测片发送的所述反馈信号时，触发所述报警器报警。
一种能够前后门牌是否贴合裤子

[发明专利]一种基于Multi-port的异步复合测试方法-CN201610262749.2在审
发明人：罗晶;杨士宁 -专利权人：航天科工防御技术研究试验中心
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Multi‑port的异步复合测试方法，包括以下步骤：按照多端口元器件的端口数将器件的管脚分为若干组；将每一组管脚中的电源信号与测试系统源连接，将每一组的地址信号、数据信号、控制信号与测试系统连接器连接；通过测试平台的Multi‑port组件，根据测试要求对每一组端口分别定义所有的工作电压、工作频率和工作方式；编写测试主程序，利用并行工作指令和多核工作模式将不同接口之间的多种串行的工作模式同时并行执行。本发明不仅能够提高测试效率，而且能充分遍历所有的复合工作模式，以检测器件各端口所有异步复合工作条件下的性能。
一种基于 multi port 异步复合测试方法

[发明专利]一种光纤分布式扰动传感器-CN201110300798.8无效
发明人：李立京;杨士宁;李勤;李慧;杨德伟;许文渊;张晞;陆文超 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤分布式扰动传感器，包括：光纤激光器，其输出端连接第一耦合器，第一耦合器的两个输出端分别连接声光调制器和第三耦合器；双向分布式拉曼放大单元，通过第一环形器与声光调制器相连，并通过第一环形器与第三耦合器相连；光电探测及信号处理单元，与第三耦合器相连，接收第三耦合器内干涉增强的光信号，转化为电信号，并进行后续数据处理。本发明通过采用双向分布式拉曼放大结构可提高光纤末端的后向散射光强和信噪比，从而提高光纤分布式扰动传感器的传感距离；通过采用光源输出的一部分连续光与后向散射光的干涉提高探测器接收的光功率，可提高系统的信噪比；该传感器采用常规光电器件的组合，结构简单，容易实现。
一种光纤分布式扰动传感器

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN200910197091.1有效
发明人：吴汉明;高大为;杨士宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开了一种互连结构，包括：半导体基底；位于所述半导体基底上的至少两个第一金属衬垫；位于需要连接的第一金属衬垫之间的第一碳纳米管，用于电连接所述需要连接的第一金属衬垫。互连结构形成方法包括步骤：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成至少两个第一金属衬垫；在需要连接的第一金属衬垫之间形成第一碳纳米管，用于电连接所述需要连接的第一金属衬垫。本发明由于纳米管的连线截面极小，相邻两线的电容不在需要降低介质的K值来降低，因此可以用普通的具有良好机械强度的氧化硅来替代Low-K介质，也可以降低互连结构中的传输延迟，并且大幅度提高可靠性和稳定性。
互连结构及其形成方法

[发明专利]用于CMOS技术的应变感应迁移率增强纳米器件及工艺-CN200510030311.3有效
发明人：陈军;杨士宁 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-09-29 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种CMOS半导体集成电路器件。该CMOS器件包括NMOS器件，其中NMOS器件包括栅极区、源极区、漏极区以及在源极区和漏极区之间形成的NMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成碳化硅材料。碳化硅材料使沟道区处于拉伸模式。CMOS器件还具有PMOS器件，其中PMOS器件包括栅极区、源极区和漏极区。PMOS器件具有在源极区和漏极区之间形成的PMOS沟道区。在源极区和漏极区中形成硅锗材料。硅锗材料使沟道区处于压缩模式。
用于 cmos 技术应变感应迁移率增强纳米器件工艺

[发明专利]一种即配型输液-CN200510012790.6无效
发明人：郝瑞霞;吴金波;刘浩;王德胜;张颜会;王志良;杨士宁;刘英华;路玉锋 -专利权人：华北制药集团有限责任公司
申请日： 2005-09-07 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： A61M5/00 文献下载
摘要：一种即配型输液，它包括装液袋、装液管、临床上可用的药粉和注射用溶液，经过制袋、加装液管(或配药管)、灌液、热封口、热淋灭菌、灯检、灌粉、热封口、全检等工序制成。采用本发明产品不仅节省了治疗用药品的包装费用，而且避免了药品配置过程中和医院空气对输液的二次污染，节省了使用成本和操作时间，且减少了输液器材对环境的污染。本发明所提供的即配型输液的另一优点是非常适合急救和野外救护。
一种即配型输液

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