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[发明专利]显示装置-CN202080097504.3有效
发明人：见村浩英;村重正悟;武田悠二郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10K59/80 文献下载
摘要：本发明的显示装置包括TFT层(30a)，该TFT层(30a)中依次层叠有显示用布线(16f)、保护膜(20a)、第一平坦化膜(21a)、金属布线层以及第二平坦化膜(23a)，在边框区域(F)中，分别在第一平坦化膜(21a)以及第二平坦化膜(23a)中设置有与显示用布线(16f)重叠的第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)，第二电极(34)以覆盖第一沟槽(Ga)以及第二沟槽(Gb)的方式设置，保护膜(20a)包括由氧化硅膜形成的第一保护膜(17)以及第三保护膜(19)、以及由氮化硅膜形成的第二保护膜(18)。
显示装置

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN201880016702.5有效
发明人：织田明博;武田悠二郎;村重正悟;松木园广志 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：有源矩阵基板具备基板(1)、包含多个第1TFT(10)的周边电路、以及多个第2TFT(20)，第1和第2TFT(10、20)各自具有：栅极电极(3A、3B)；栅极绝缘层(5)；氧化物半导体层(7A、7B)，其包含沟道区域(7Ac、7Bc)和位于沟道区域的两侧的源极接触区域(7As、7Bs)和漏极接触区域(7Ad、7Bd)；源极电极(8A、8B)，其与源极接触区域接触；以及漏极电极(9A、9B)，其与漏极接触区域接触，第1TFT和第2TFT的氧化物半导体层由同一氧化物半导体膜形成，第1TFT的沟道区域(7Ac)中的载流子浓度比第2TFT的沟道区域(7Bc)中的载流子浓度高。
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法和成膜装置-CN201780080973.2有效
发明人：中岛伸二;锦博彦;见村浩英;齐藤裕一;武田悠二郎;村重正悟;石田和泉;冈部达 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/365 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，是具备基板(1)和氧化物半导体TFT的半导体装置的制造方法，氧化物半导体TFT支撑于基板(1)，以氧化物半导体膜为活性层，半导体装置的制造方法包括：工序(A)，准备包含含有In的第1有机金属化合物和含有Zn的第2有机金属化合物的MO气体；以及工序(B)，在将基板(1)加热到500℃以下的温度的状态下，对设置于腔室内的基板(1)供应MO气体和含有氧的气体，在基板(1)上通过MOCVD法生长含有In和Zn的氧化物半导体膜(2A)，工序(B)是在腔室内形成了等离子体(3)的状态下进行的。
半导体装置制造方法

[发明专利]有源矩阵基板和显示装置-CN201880037299.4有效
发明人：武田悠二郎;松木园广志;织田明博;村重正悟;田中耕平 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明的实施方式的有源矩阵基板具备基板和支撑于基板的多个氧化物半导体TFT。各氧化物半导体TFT具有：下部栅极电极，其设置于基板上；栅极绝缘层，其覆盖下部栅极电极；氧化物半导体层，其配置于栅极绝缘层上；源极电极，其与氧化物半导体层的源极接触区域接触；漏极电极，其与氧化物半导体层的漏极接触区域接触；绝缘层，其覆盖氧化物半导体层、源极电极以及漏极电极；以及上部栅极电极，其设置于绝缘层上。当从基板的法线方向观看时，上部栅极电极与作为源极电极和漏极电极中的一方的第1电极不重叠，并且作为源极电极和漏极电极中的另一方的第2电极与下部栅极电极不重叠。
有源矩阵显示装置

[发明专利]黑矩阵用组合物、黑矩阵、以及黑矩阵的制造方法-CN201780075336.6有效
发明人：锦博彦;冈部达;石田和泉;村重正悟;能谷敦子;野中敏章;吉田尚史 -专利权人：夏普株式会社;睿智弗尤德收购公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： G02B5/20 文献下载
摘要：本发明提供一种材料，其为黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的、高耐热性且高遮光性的黑矩阵。使用一种黑矩阵用组合物，其特征在于，含有：(I)包含体积平均粒径为1～300nm的炭黑的黑色着色剂、(II)在酸性或者碱性催化剂的存在下将由预定的式子表示的硅烷化合物进行水解以及缩合而获得的硅氧烷聚合物、(III)表面改性二氧化硅微粒、(IV)热碱产生剂、以及(V)溶剂。
矩阵组合以及制造方法

[发明专利]显示面板、显示装置和显示面板的制造方法-CN201780019232.3有效
发明人：冈部达;锦博彦;中岛伸二;石田和泉;村重正悟 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： G02B26/02 文献下载
摘要：本发明不扩大配线的线宽就使配线电阻下降，从而抑制配线延迟。包括遮光膜(102)、光透射膜(106)和第一配线层(105A)，该第一配线层为用于对像素的光的透射量进行电控制的配线的一部分，第一配线层(105A)设置在遮光膜(102)之上，光透射膜(106)以覆盖上述第一配线层的侧面的方式设置在第一配线层(105A)的上层。
显示面板显示装置制造方法

[发明专利]有源矩阵基板的制造方法-CN201780018517.5有效
发明人：冈部达;锦博彦;中岛伸二;石田和泉;村重正悟 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供一种有源矩阵基板、其制造方法和显示装置，在显示面板的制造工序中能够抑制静电放电的发生，并且能够抑制制造成本。在IGZO膜被构成栅极绝缘膜的氧化硅膜和蚀刻阻挡层夹着的状态下，在用于保护TFT的钝化膜形成之后，在200～350℃下进行退火，并且是IGZO膜从导体变化为半导体。其结果是，不仅能够抑制ESD的发生，而且能够不需要从显示面板分离静电放电防止电路，所以能够降低显示装置的制造成本。
有源矩阵制造方法

[发明专利]具备氧化物半导体TFT的半导体装置-CN201780080983.6在审
发明人：中岛伸二;锦博彦;武田悠二郎;村重正悟 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置具备基板(21)和支撑于基板的氧化物半导体TFT(20)，氧化物半导体TFT(20)包括：含有In、Ga以及Zn的氧化物半导体层(27)、栅极电极(23)、形成于栅极电极(23)与氧化物半导体层(27)之间的栅极绝缘层(25)、以及与氧化物半导体层(27)接触的源极电极(28)及漏极电极(29)，氧化物半导体层(27)具有包括第1层(31)、第2层(32)以及配置于第1层与第2层之间的中间过渡层(33)的层叠结构，第1层(31)比第2层(32)靠栅极绝缘层侧配置，第1层(31)和第2层(32)具有不同的组成，中间过渡层(33)具有从第1层侧向第2层侧连续地变化的组成。
氧化物半导体层氧化物半导体半导体装置栅极绝缘层中间过渡层栅极电极基板侧向层叠结构漏极电极源极电极配置支撑

[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及制造方法-CN201680037763.0在审
发明人：小坂知裕;原猛;冈部达;石田和泉;村重正悟;纪藤贤一;锦博彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：抑制在设置于基板与TFT之间的绝缘膜或者基板的表面生成突起物。有源矩阵基板具备：绝缘基板(100)；表面覆盖膜(110)，其覆盖绝缘基板的表面的至少一部分；绝缘性透光膜(204)，其设置在包括表面覆盖膜的绝缘基板上；栅极线；栅极绝缘膜；薄膜晶体管；数据线；以及引出配线(115)。在绝缘基板的周缘部形成未设置有绝缘性透光膜的区域。引出配线被设为，在从与绝缘基板垂直的方向观察时，与绝缘性透光膜的外周端部交叉。表面覆盖膜也设置于未设置有绝缘性透光膜的区域中与绝缘性透光膜的外周端部接触的部分。
绝缘基板绝缘性透光膜表面覆盖膜源矩阵基板外周端部引出配线基板薄膜晶体管栅极绝缘膜方向观察显示装置垂直的绝缘膜数据线突起物栅极线周缘部覆盖制造

[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及制造方法-CN201680040341.9在审
发明人： 村重正悟;石田和泉;小坂知裕;冈部达;原猛;锦博彦 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：抑制设置在有源矩阵基板的TFT与基板之间的膜的端部产生裂缝。有源矩阵基板具有多个TFT。有源矩阵基板11具备基板100、TFT、透光膜204以及保护膜Cap4。TFT与多个像素分别对应地设置在基板100上。透光膜204设置于TFT与基板100之间。保护膜Cap4覆盖透光膜204的不与基板100平行的端面204b。TFT具有栅极电极、栅极绝缘膜、半导体膜、漏极电极以及源极电极。保护膜Cap4配置于透光膜204与TFT的半导体膜之间。
有源矩阵显示装置以及制造方法

[发明专利]有源矩阵基板、显示装置以及显示装置的制造方法-CN201680040399.3在审
发明人：冈部达;锦博彦;原猛;小坂知裕;石田和泉;村重正悟 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：减少有源矩阵基板的制造工序数目。一种有源矩阵基板，其具有形成有使光透射过的透光区域、和遮挡光的遮光区域的绝缘基板100，其特征在于，具备遮光膜201，形成于绝缘基板100上的遮光区域，所述遮光膜在透明的母材含有碳颗粒，且被着色；无机膜202，形成于遮光膜201上；透光膜204，形成于绝缘基板100的透光区域，并在透明的母材含有透明的氧化碳颗粒；栅极线111，设置于无机膜202上；栅极绝缘膜101，其设置于栅极线111上；薄膜晶体管300，以矩阵状设置于栅极绝缘膜101上；以及数据线，在遮光膜201上以与栅极线111交叉的方式设置，并与薄膜晶体管300电连接。
有源矩阵显示装置以及制造方法

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