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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括穿通孔的半导体装置-CN201410323159.7有效
发明人：朴日光;李锺天;金洪谦 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：具有穿通孔的半导体装置包括：半导体芯片和通过穿通半导体芯片形成的穿通孔。系统还包括：第一金属层，其在穿通孔的端部与穿通孔的一部分连接；以及第二金属层，其在穿通孔的端部与穿通孔的另一部分连接。
包括穿通孔半导体装置

[发明专利]具有焊盘和凸块的半导体装置-CN201410842721.7有效
发明人：任秀彬;李锺天 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体装置可以包括半导体芯片，并且半导体芯片可以包括：第一焊盘、第二焊盘和凸块。第一焊盘可以被配置成接收来自外部器件的信号，以及第二焊盘可以包括彼此电隔离的第一金属层和第二金属层。凸块可以层叠在第二焊盘之上，并且可以被配置成接收来自控制器芯片的信号。
具有半导体装置

[发明专利]半导体存储装置的温度检测电路-CN201410079844.X在审
发明人：金帝润;李锺天 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2009-12-18 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：半导体存储装置的温度检测电路包括固定周期振荡器、温度可变信号发生单元和计数单元。振荡器被配置成当使能信号被使能时，生成固定周期振荡信号。温度可变信号发生单元被配置成当使能信号被使能时，生成其使能间隔基于温度变化而改变的温度可变信号。计数单元被配置成在温度可变信号的使能间隔期间，对振荡信号计数以生成温度信息信号。
半导体存储装置温度检测电路

[发明专利]半导体集成电路和包括半导体集成电路的半导体系统-CN201110316084.6有效
发明人：高在范;李锺天;边相镇 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路和包括半导体集成电路的半导体系统。所述半导体集成电路包括：多个半导体芯片，所述多个半导体芯片响应于多个芯片选择信号而分别被选择；以及芯片选择信号发生器，所述芯片选择信号发生器被配置为响应于用于决定是否驱动半导体芯片的一个第一控制信号和用于从半导体芯片中选择至少一个半导体芯片的至少一个第二控制信号，来产生芯片选择信号。
半导体集成电路包括系统

[发明专利]半导体装置及其修复方法-CN201110256480.4有效
发明人：崔珉硕;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种包括信号传输模块和信号接收模块的半导体装置。信号传输模块设置在第一芯片中，且被配置为与传输控制信号同步地传输熔丝信息。信号接收模块设置在第一芯片和第二芯片中，且被配置为与接收控制信号同步地接收熔丝信息。
半导体装置及其修复方法

[发明专利]检测穿通芯片通孔的缺陷的集成电路-CN201110130233.X有效
发明人：金大石;李锺天;金澈 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种在晶片级检测穿通硅通孔是否具有缺陷的集成电路。所述集成电路包括：半导体衬底；穿通硅通孔，被配置为形成在半导体衬底中以从半导体衬底的表面延伸至特定深度；输出焊盘；以及电流路径提供单元，被配置为在测试模式期间将半导体衬底与穿通硅通孔之间流动的电流提供至输出焊盘。
检测芯片缺陷集成电路

[发明专利]半导体装置的测试模式控制电路及其控制方法-CN201110291078.X有效
发明人：尹泰植;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置的测试模式控制电路及相关方法的各个实施例。在一个示例性实施例中，测试模式控制电路可以包括：测试模式控制模块，测试模式控制模块被配置成响应于顺序输入的第一地址信号组和第二地址信号组而产生多个控制信号组；测试模式传送模块，测试模式传送模块被配置成将根据所述多个控制信号组的组合所产生的多个测试模式信号传送至半导体装置的多个电路模块；以及多个全局线，所述多个全局线被配置成将所述多个控制信号组传送至测试模式传送模块。
半导体装置测试模式控制电路及其控制方法

[发明专利]半导体集成电路-CN201010543676.7无效
发明人：崔珉硕;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路，包括：多个从芯片，每个从芯片包括具有存储单元阵列的核心区、被配置为传送相应的核心区的输入/输出数据的全局数据线、以及被配置为将相应的核心区与相应的全局数据线接口的第一外围电路区；多个数据传送贯穿芯片通孔，所述多个数据传送贯穿芯片通孔分别贯穿多个从芯片而垂直地形成，并且与从芯片的相应的全局数据线耦合；以及主芯片，所述主芯片包括被配置为在数据传送贯穿芯片通孔与外部控制器之间提供输入/输出接口的第二外围电路区。
半导体集成电路

[发明专利]半导体集成电路-CN201110083284.1无效
发明人：朴炳权;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体集成电路，包括：半导体芯片，所述半导体芯片包括存储器单元阵列；多个第一穿通芯片通孔，所述多个第一穿通芯片通孔被配置为垂直地贯穿所述半导体芯片且作为信号和电源电压的接口而操作；以及半导体衬底。半导体衬底包括：外围电路区域，所述外围电路区域与所述多个第一穿通芯片通孔相耦接且被配置为控制所述半导体芯片；以及导电图案区域，所述导电图案区域被配置为在所述外围电路区域与外部控制器之间作为信号和电源电压的接口而操作。
半导体集成电路

[发明专利]具有多芯片结构的半导体集成电路-CN201010531402.6有效
发明人：陈伸显;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-11-04 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多芯片结构的半导体集成电路，包括层叠的多个半导体芯片。半导体芯片中的至少一个包括：第一金属层和第二金属层，分开地形成在半导体芯片内部；第一内部电路，串联耦接在半导体芯片内部的第一金属层与第二金属层之间；第一金属路径，垂直地形成在第二金属层之上并到达半导体芯片的第一面；以及第一贯穿硅通孔，被形成为从半导体芯片的第二面穿透半导体芯片到达第一金属层。
具有芯片结构半导体集成电路

[发明专利]延迟电路和延迟信号的方法-CN201110029277.3有效
发明人：高在范;李锺天;边相镇 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-01-27 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H03K5/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种延迟电路，包括：延迟单元，被配置为接收时钟信号，顺序地将输入信号延迟预定的时间间隔，并且输出多个第一延迟信号；以及选项单元，被配置为基于一个或更多个选择信号来选择多个第一延迟信号中的一个，并且输出第二延迟信号。
延迟电路信号方法

[发明专利]地址延迟电路-CN201010248333.8无效
发明人：高在范;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置的地址延迟电路，包括：控制时钟延迟模块，被配置为响应于第一输入控制信号来接收时钟作为第一控制时钟，并将外部地址输出作为第一延迟地址；控制时钟输入选择延迟模块，被配置为响应于第二输入控制信号来接收所述时钟作为第二控制时钟，响应于第一输入控制信号来选择是接收所述外部地址还是接收所述第一延迟地址，并将选中的地址输出作为第二延迟地址；以及控制时钟输入/输出选择延迟模块，被配置为接收所述时钟，响应于所述第二输入控制信号来选择是接收所述外部地址还是所述接收第二延迟地址，并将选中的地址输出作为内部地址。
地址延迟电路

[发明专利]半导体存储装置-CN201010571971.3有效
发明人：金载镒;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储装置，包括：第一数据输入/输出线，被配置为传输来自于第一存储体的数据；第二数据输入/输出线，被配置为传输来自于第一存储体的数据；第一数据输出部，被配置为基于输入/输出模式，将经由第一输入/输出线传输的数据对齐并输出；以及第二数据输出部，被配置为基于输入/输出模式和地址信号，将经由第一输入/输出线传输的数据或经由第二数据输入/输出线传输的数据对齐并输出。
半导体存储装置

[发明专利]半导体装置及其探针测试方法-CN201010260882.7有效
发明人：尹泰植;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-08-24 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体设备及相关方法的各个实施例。在一个示例性的实施例中，提供一种半导体装置，可以包括：芯片；划片通道，所述划片通道位于芯片周围；以及探针测试逻辑电路，所述探针测试逻辑电路用于在芯片上执行探针测试。所述探针测试逻辑电路位于划片通道的一部分。
半导体装置及其探针测试方法

[发明专利]延迟锁定环及其驱动方法-CN201010148546.3有效
发明人：安承俊;李锺天 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-04-16 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03L7/08 文献下载
摘要：本发明提供一种延迟锁定环，包括延迟脉冲发生单元、编码单元和延迟线。延迟脉冲发生单元被配置为产生具有某个宽度的延迟脉冲。编码单元被配置为将所述延迟脉冲进行编码并输出编码值。延迟线被配置为将输入时钟延迟所述编码值，并产生延迟锁定了的时钟。在第三时间段期间，所述延迟脉冲具有逻辑高电平状态，所述第三时间段等于第一时间段与第二时间段之间的差，所述第一时间段与所述输入时钟的整数倍相对应，所述第二时间段是某个复制器延迟时间段。
延迟锁定及其驱动方法

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