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[发明专利]纠错码电路、半导体存储器装置以及存储器系统-CN201911132195.4有效
发明人：赵诚慧;李起准;李明奎;孔骏镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：公开了纠错码电路、半导体存储器装置以及存储器系统。半导体存储器装置的纠错码电路包括校正子生成电路和纠正电路。响应于解码模式信号，校正子生成电路通过使用第一奇偶校验矩阵和第二奇偶校验矩阵中的一个基于从存储器单元阵列读取的码字中的消息和第一奇偶校验位，来生成校正子。纠正电路接收所述码字，基于校正子纠正所述码字中的(t1+t2)个错误位的至少一部分，并输出纠正的消息。这里，t1和t2分别是大于0的自然数。
纠错码电路半导体存储器装置以及系统

[发明专利]解码低密度奇偶校验码的方法、解码器及存储器系统-CN201811397209.0有效
发明人：李明奎;金宰弘;李起准;孔骏镇;孙弘乐;林世镇;黄映竣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本公开提供了解码低密度奇偶校验码的方法、解码器及存储器系统。一种解码低密度奇偶校验(LDPC)码的方法，包括：将LDPC码的奇偶校验矩阵划分为多个子块。该方法还包括：对于多次解码迭代中的每一个，在解码调度中执行多个子块中的多个目标子块中的每个目标子块的节点操作，所述多个目标子块对应于多次解码迭代中的当前解码迭代，基于每个目标子块的节点操作的结果来估计每个目标子块的可靠性，并基于每个目标子块的可靠性来调整解码调度。
解码密度奇偶校验码方法解码器存储器系统

[发明专利]半导体存储器件和操作半导体存储器件的方法-CN202211076157.3在审
发明人：宋英杰;金成来;李起准;李明奎;李恩爱;赵诚慧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括缓冲器管芯和多个存储器管芯。多个存储器管芯内的一个存储器管芯中的纠错码(ECC)引擎对主数据执行RS编码以生成奇偶校验数据，并使用奇偶校验检查矩阵对主数据和奇偶校验数据执行RS解码。奇偶校验检查矩阵包括子矩阵，并且子矩阵中的每一个与两个不同的符号相对应。子矩阵中的每一个包括两个单位子矩阵和两个相同的α矩阵，两个单位子矩阵设置在子矩阵的第一对角方向上，并且两个相同的α矩阵设置在第二对角方向上。奇偶校验检查矩阵的第y行中的高电平值元素的数量与第(y+p)行中的高电平值元素的数量相同。
半导体存储器件操作方法

[发明专利]纠错码电路、包括纠错码电路的存储设备以及纠错码电路的操作方法-CN202211471281.X在审
发明人：金成来;李起准;李明奎;赵诚慧;张晋熏;黄理箾 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：公开了一种存储设备，其包括：存储单元阵列，存储第一数据和第一奇偶校验数据；纠错码ECC电路，基于第一数据和第一奇偶校验数据执行ECC解码并输出经纠错的数据和解码状态标志；以及输入/输出电路，将经纠错的数据和解码状态标志提供给存储控制器。ECC电路包括：校正子生成器，基于第一数据和第一奇偶校验数据生成校正子；校正子解码电路，对校正子进行解码以生成错误向量；纠正逻辑电路，基于错误向量和第一数据生成经纠错的数据；以及快速解码状态标志DSF生成器，在不用错误向量的情况下基于校正子生成解码状态标志。
纠错码电路包括存储设备以及操作方法

[发明专利]半导体存储器装置及其操作方法-CN202211323041.5在审
发明人：赵诚慧;李起准;李明奎;李恩爱;朴炳奎;宋英杰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。半导体存储器装置包括：包括多个存储器单元行的存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在参考时间间隔期间，从外部存储器控制器捕获伴随有从激活命令随机选择的第一激活命令的行地址，每个激活命令具有一致的第一选择概率；并且在参考时间间隔期间，从捕获的行地址中多次选择至少一个行地址作为锤击地址，选择的次数与对应于至少一个行地址的激活命令的访问计数成比例。刷新控制电路接收锤击地址，并且对与对应于锤击地址的存储器单元行物理地相邻的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。
半导体存储器装置及其操作方法

[发明专利]纠错电路、存储器系统和纠错方法-CN202211374119.6在审
发明人：李明奎;李起准;赵诚慧;金成来 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11B20/18 文献下载
摘要：一种纠错电路包括：纠错码(ECC)编码器，被配置为：基于奇偶校验生成矩阵来生成与主数据相对应的奇偶校验数据，并将包括主数据和奇偶校验数据的码字输出到多个存储器件；以及ECC解码器，被配置为：从多个存储器件读取码字，基于奇偶校验检查矩阵生成与码字相对应的校正子，基于校正子检测错误模式，使用奇偶校验检查矩阵中包括的多个部分子矩阵来生成与错误模式相对应的多个估计校正子，以及基于校正子与多个估计校正子之间的比较的结果来校正在读取码字中包括的错误。
纠错电路存储器系统方法

[发明专利]存储器控制器、存储器系统和存储器模块-CN202211393645.7在审
发明人：林秀熏;李起准;李明奎;权银喆;金浩渊;李钟旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种存储器控制器包括纠错码(ECC)引擎和错误管理电路。ECC引擎被配置为：在读取操作期间，对所读取的码字集执行ECC解码，以生成与在所读取的码字集中所包括的用户数据集中的可纠正错误相关联的第一校验子和第二校验子；基于第一校验子和第二校验子来纠正可纠正错误；以及将第二校验子提供给错误管理电路。错误管理电路被配置为：累积与多个可纠正错误相关联的并且通过多个读取操作获得的第二校验子作为多个第二校验子，存储多个第二校验子，将多个第二校验子与错误模式集进行比较，以及基于比较来预测不可纠正错误的发生。
存储器控制器系统模块

[发明专利]半导体存储器装置和存储器系统-CN202210773795.4在审
发明人：金成来;赵诚慧;宋英杰;李起准;李明奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、管芯上错误校正码(ECC)引擎和控制逻辑电路。管芯上ECC引擎基于ECC在写入操作中：对主数据执行ECC编码以生成第一奇偶校验数据；基于中毒模式信号用中毒标志选择性地替换所述第一奇偶校验数据的一部分以生成第二奇偶校验数据；将所述主数据提供给所述存储器单元阵列的目标页中的正常单元区域；并且将所述第一奇偶校验数据提供给所述目标页中的奇偶校验单元区域或将所述中毒标志和所述第二奇偶校验数据提供给所述奇偶校验单元区域。所述控制逻辑电路基于来自存储器控制器的命令和地址控制所述管芯上ECC引擎并且生成所述中毒模式信号。
半导体存储器装置系统

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202210936829.7在审
发明人：金成来;李明奎;李起准;赵诚慧 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种存储器设备的操作方法包括：在存储器区域中存储关于包括擦除的码字的位置信息和包括关于擦除的位置信息的擦除信息；在上电期间，将关于包括擦除的码字的位置信息加载到行解码器和列解码器；响应于来自主机的读取指令，确定与读取指令相对应的读取地址与关于包括擦除的码字的位置信息是否一致；当读取地址与关于包括擦除的码字的位置信息一致时，将关于擦除的位置信息传送到纠错码(ECC)解码器；以及由ECC解码器使用关于擦除的位置信息来纠正从存储单元阵列接收的码字中的错误。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]操作存储控制器的方法、执行该方法的存储控制器及包括该存储控制器的存储器系统-CN202210676862.0在审
发明人：金成来;赵诚慧;李起准;李明奎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：在操作存储控制器的方法中，从包括多个数据芯片和至少一个奇偶校验位芯片的存储器模块接收解码状态标志。所述多个数据芯片和所述至少一个奇偶校验位芯片中的每一个可以包括管芯上纠错码(ECC)引擎。解码状态标志由管芯上ECC引擎生成。可以基于所述解码状态标志获得第一数量和第二数量。所述第一数量表示包括不可由管芯上ECC引擎纠正的不可纠正错误的第一芯片的数量。所述第二数量表示包括可由管芯上ECC引擎纠正的可纠正错误的第二芯片的数量。基于所述第一数量和所述第二数量中的至少一个选择多个解码方案中的至少一个解码方案。系统ECC引擎可以基于所选择的解码方案对所述第一芯片和所述第二芯片中的至少一个执行ECC解码。
操作存储控制器方法执行包括存储器系统

[发明专利]半导体存储器装置-CN202210035196.2在审
发明人：宋英杰;金成来;李起准;安成基;柳睿信;李硕汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括缓冲器裸片和多个存储器裸片。每个存储器裸片包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎和测试电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个易失性存储器单元。测试电路在测试模式下生成测试校正子和指示测试校正子的错误状态的预期的解码状态标志，接收由ECC引擎基于测试校正子来生成的测试奇偶校验数据和指示测试奇偶校验数据的错误状态的解码状态标志，并且基于测试校正子与测试奇偶校验数据的比较以及预期的解码状态标志与解码状态标志的比较来确定ECC引擎是否具有缺陷。
半导体存储器装置

[发明专利]半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统-CN202210553274.8在审
发明人：金成来;金惠兰;李明奎;吴致成;李起准;赵诚慧;车相彦 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-05-19 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：公开了半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列和循环冗余校验(CRC)引擎。存储器单元阵列包括结合到多条字线和多条位线的多个易失性存储器单元。CRC引擎在对存储器单元阵列的存储器操作中：检测通过链路从半导体存储器装置外部的存储器控制器提供的主数据和系统奇偶校验数据中的错误，基于系统奇偶校验数据生成错误标志并将错误标志发送到存储器控制器，错误标志指示检测到的错误是对应于与链路相关联的第一类型的错误还是对应于与易失性存储器单元相关联的第二类型的错误。
半导体存储器装置包括系统

[发明专利]半导体存储器件-CN202210441705.1在审
发明人：金成来;李起准;李明奎;宋英杰;张晋熏;赵诚慧;黄伊萨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：一种半导体存储器件包括存储单元阵列、链路纠错码(ECC)引擎和管芯上ECC引擎。存储单元阵列包括多个易失性存储单元。链路ECC引擎通过对包括主数据和第一奇偶校验数据的第一码字执行第一ECC解码来提供主数据，并且基于第一ECC解码的结果产生第一错误标志。管芯上ECC引擎通过对主数据执行第一ECC编码来产生第二奇偶校验数据，响应于第一错误标志被去激活，向存储单元阵列的目标页面提供包括主数据和第二奇偶校验数据的第二码字，或者响应于第一错误标志被激活，通过改变第二码字的位中的至少一个位来产生第三码字。
半导体存储器件

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202210135159.9在审
发明人：赵诚慧;李起准;李恩爱 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-02-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，连接到多条字线和多条位线；行解码器，被配置为响应于行地址从多条字线中选择字线；列解码器，被配置为响应于列地址从多条位线中选择对应的位线；感测放大电路，具有连接到选择的对应的位线的多个放大器；行锤击检测器，被配置为当对与行地址相对应的行的访问次数为预定值的倍数时，生成刷新行地址；以及，刷新控制器，被配置对与刷新行地址相对应的行执行刷新操作。与刷新行地址相对应的行被设置为和与行地址相对应的行相邻。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]存储器装置和包括该存储器装置的存储器系统-CN202111211055.3在审
发明人：金成来;李明奎;李起准;孔骏镇;宋英杰;张晋熏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：公开存储器装置和包括该存储器装置的存储器系统。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括布置成多个行的存储器单元；ECC引擎，被配置为：检测响应于读取命令和读取地址而从存储器单元阵列读取的第一数据中的错误，输出第一错误发生信号，并且纠正第一数据中的错误；行故障检测器，被配置为输出故障行地址，故障行地址指示所述多个行之中的故障行；以及标志生成器，被配置为：接收读取地址、第一错误发生信号和故障行地址，并且生成解码状态标志或故障行标志，解码状态标志指示错误是否被检测到以及错误是否被纠正，故障行标志指示包括在读取地址中的读取行地址为故障行地址。
存储器装置包括系统

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